MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
Не только производители памяти склоняются к мысли, что дефицит на этом рынке обретает долгосрочный характер, а цикличность изменения цен остаётся в прошлом. Эксперты Jefferies считают, что дефицит DRAM и NAND сократится как минимум до 2028 года, а привычные просадки цен после подъёма не будут радовать покупателей микросхем памяти в обозримом будущем.
Источник изображения: Micron Technology
В текущем квартале контрактные цены на память вырастут последовательно на 40–50 %, по мнению источника, а по итогам четвёртого квартала они увеличатся ещё на 30–40 %. Рост цен продолжится и в 2027 году, в общей сложности они поднимутся на 40–45 %, поскольку по итогам периода производители памяти ещё не успеют ввести в строй дополнительные мощности. Сейчас облачные гиганты выкупают до 50 % объёмов доступной на рынке памяти, но их доля может вырасти до 70 %. С поставщиками памяти они заключают долгосрочные контракты на период от двух лет, которые нередко подразумевают авансовые платежи до 40 % от общей суммы закупки.
В сегменте потребительской электроники подобные контракты на поставку памяти не заключаются. Из-за роста дефицита им достаётся всё меньше микросхем памяти, и это влияет не только на уровень цен, но и саму способность выпускать собственную продукцию в необходимых объёмах. Как и ранее, выгодная в производстве память HBM отвоёвывает себе всё больше пространства на конвейерах производителей, а потому классическая DRAM выпускается во всё меньших количествах. Компания Samsung Electronics по мере перехода к выпуску HBM4 сможет наверстать своё отставание от конкурентов, которое наблюдалось на этапе выпуска HBM3 и HBM3E.
Китайские производители памяти на мировую конъюнктуру существенно повлиять в лучшую сторону пока не могут. Передовую HBM они пока не производят в значимых количествах, а DRAM они отгружают главным образом на внутренний рынок КНР. Из-за технологического отставания от западных и корейских конкурентов на полтора или два поколения они не смогут изменить ситуацию на мировом рынке до конца 2027 года, как минимум. CXMT без доступа к EUV-литографии вряд ли сможет перейти к выпуску DDR6 или HBM3E в обозримой перспективе.
В сегменте NAND влияние Китая будет выражено сильнее, поскольку местные производители к 2028 году смогут выйти на мировой уровень как с технологической точки зрения, так и по объёмам поставок. Чтобы цены на DRAM к 2028 году начали снижаться, как считают эксперты Jefferies, к тому времени мировые объёмы производства должны вырасти на величину от 15 до 20 %, но для этого должны замедлиться темпы роста спроса на память со стороны инфраструктуры ИИ.
Источник:
