Компания Samsung с трудом наращивает объёмы выпуска мобильных процессоров Exynos 2500 на основе 3-нм техпроцесса, сообщают аналитики TrendForce со ссылкой на южнокорейское издание ZDNet. Всё дело в огромном проценте брака — к настоящему моменту производитель вышел на уровень годной продукции чуть ниже 20 %.

Обзор ноутбука Acer Swift Go 14 (SFG14-63-R7T4) с процессором Ryzen 9 8945HS и OLED-экраном

Обзор смартфона HONOR 400: реаниматор

Пять причин полюбить HONOR 400

HUAWEI Pura 80 Ultra глазами фотографа

Обзор рейтингового режима Warface: просто освоиться, сложно оторваться

Обзор смартфона HUAWEI Pura 80 Ultra: зум, которому нет равных

Источник изображения: Samsung

В первом квартале этого года уровень выхода годных чипов составлял однозначное число процентов, так что Samsung постепенно улучшает техпроцесс. Но даже с учётом улучшения производства объёмы выхода небракованных чипов не дотягивает до перехода к массовому выпуску. Остается неясным, будут ли данные процессоры использоваться в составе смартфонов серии Galaxy S25 в будущем, но недавние слухи говорили о том, что будущие флагманы поголовно получат Snapdragon 8 Gen 4.

Для эффективного массового производства необходимо, чтобы уровень брака был ниже 40 %. Как сообщается, подразделение System LSI Samsung собирается продолжить работу над повышением качества производственного процесса годных чипов Exynos 2500 во второй половине этого года. Компания намерена выйти на выход годных чипов в 60 % к октябрю.

В том же отчёте южнокорейского издания говорится, что главный конкурент Samsung, тайваньский контрактный производитель чипов TSMC, полностью загружен заказами на производство 3-нм продукции для Apple, NVIDIA, AMD, Qualcomm, Intel и MediaTek. В конце мая TSMC сообщала, что утроила производственные мощности для выпуска 3-нм чипов, но этого по-прежнему недостаточно, чтобы покрыть все заказы, поэтому компания всё ещё прилагает усилия для удовлетворения спроса.

Японский стартап Rapidus планирует открыть пилотное производство 2-нм чипов в апреле 2025 года, сообщил генеральный директор Ацуёси Койке (Atsuyoshi Koike). В освоении передового техпроцесса компании помогает IBM и глобальная научно-исследовательская организация Imec. Инновационная технология обработки пластин должна обеспечить Rapidus конкурентное преимущество перед TSMC и Samsung за счёт сокращения продолжительности производственного цикла.

Обзор рейтингового режима Warface: просто освоиться, сложно оторваться

Обзор смартфона HONOR 400: реаниматор

Обзор ноутбука Acer Swift Go 14 (SFG14-63-R7T4) с процессором Ryzen 9 8945HS и OLED-экраном

Пять причин полюбить HONOR 400

HUAWEI Pura 80 Ultra глазами фотографа

Обзор смартфона HUAWEI Pura 80 Ultra: зум, которому нет равных

Источник изображения: Samsung

«Если стоимость одинаковая, если я могу обеспечить [время цикла] в два-три раза меньше, чем на обычном заводе, что предпочтёт заказчик? — рассуждает Койке. — Мы недостаточно быстры, чтобы перейти на 2 нм [раньше TSMC], но мы можем наверстать упущенное, потому что у нас есть высокоскоростная обратная связь, позволяющая быстро наращивать темпы».

По словам аналитика Albright Stonebridge Group Пола Триоло (Paul Triolo), предсказать успех амбициозного проекта сложно: «У фирмы компетентное руководство, мощная поддержка правительства Японии и уважаемые технологические партнёры, такие как Imec и IBM. Но клиенты должны быть уверены, что передовые технологические процессы, впервые разработанные командой Rapidus-IBM-Imec, способны обеспечить привлекательную производительность и стоимость на одном уровне с мировыми лидерами TSMC и Samsung».

Rapidus, в число инвесторов которой входят Sony, Denso, Toyota, SoftBank и Kioxia, потребуется больше внешних инвестиций, чтобы начать коммерческое производство. По оценкам Койке, его компании понадобится в общей сложности 5 триллионов йен (около 31,8 миллиарда долларов). При этом правительство Японии готово предоставить Rapidus субсидии на основе годовых результатов.

Компания планирует добавить в список своих партнёров больше разработчиков чипов ИИ, таких как Tenstorrent и Esperanto. Койке заявил, что несколько компаний Кремниевой долины заинтересованы в том, чтобы стать их клиентами, но названия компаний он сообщить отказался. Rapidus планирует производить чипы ИИ для маломощных периферийных вычислений, а также мощные чипы для высокопроизводительных вычислений в центрах обработки данных.

Rapidus объединяет процессы производства и упаковки чипов, чем традиционно занимаются отдельные компании. По словам Койке, инженеры этих производств «разделены большой стеной». «Никаких обсуждений. Они говорят на разных языках. Я убрал эту стену в своей компании, чтобы они могли говорить друг с другом», — добавил он. Объединение производства и упаковки теоретически может сократить время цикла. В настоящее время Rapidus разрабатывает методы тестирования признанных годных кристаллов (known good die, KGD) и впервые в полупроводниковой промышленности собирается перейти от проектирования процессов (process design kit, PDK) к проектированию сборки (assembly design kit, ADK).

Для строительства завода в городе Титосэ на севере японского острова Хоккайдо Rapidus заключила контракт с Kajima, одной из старейших и крупнейших строительных компаний Японии. По данным Rapidus, сейчас на возведении фабрики работает 2000–3000 сотрудников Kajima, а октябрю на этом проекте будет задействовано около 5000 человек.

Источник изображения: Rapidus

Сама компания Rapidus уже наняла более 400 инженеров и планирует ежегодно увеличивать штат ещё на 300 человек. В этом году компания отправит около 200 из них в США для освоения 2-нм технологии, разработанной IBM. Аналитики полагают, что компания столкнётся со значительными проблемами в привлечении персонала, учитывая спрос на квалифицированную рабочую силу в Японии и расширение производственных мощностей конкурентов, таких как TSMC, Western Digital, Micron и Kioxia.

Компания Samsung объявила о расширении стратегического партнерства с американской компанией Advanced Micro Devices (AMD) в области разработки передовой 3-нанометровой технологии производства чипов. Используя более тесные связи с AMD, Samsung стремится обогнать своего главного конкурента, контрактного производителя полупроводников TSMC.

HUAWEI Pura 80 Ultra глазами фотографа

Обзор рейтингового режима Warface: просто освоиться, сложно оторваться

Обзор смартфона HONOR 400: реаниматор

Обзор ноутбука Acer Swift Go 14 (SFG14-63-R7T4) с процессором Ryzen 9 8945HS и OLED-экраном

Пять причин полюбить HONOR 400

Обзор смартфона HUAWEI Pura 80 Ultra: зум, которому нет равных

Источник изображения: Samsung

Это партнерство позволит компаниям объединить усилия в разработке инновационных решений для производства чипов следующего поколения, которые будут использоваться в высокопроизводительных вычислительных системах, центрах обработки данных, смартфонах и других электронных устройствах.

Как сообщает корейское новостное издание KED Globall, в рамках соглашения Samsung, крупнейший в мире производитель микросхем памяти, получит доступ к передовым разработкам AMD в области архитектуры чипов, а AMD, который в свою очередь разрабатывает микропроцессоры и графические процессоры, сможет воспользоваться мощностями Samsung по производству чипов с использованием новейшей 3-нм технологии транзисторов Gate-All-Around (GAA).

Данная технология позволяет создавать чипы с рекордной плотностью транзисторов и улучшенными характеристиками производительности. По сравнению с предыдущим поколением 5-нм чипов, 3-нм чипы GAA обеспечивают прирост производительности на 30 %, снижение энергопотребления на 50 % и уменьшение площади чипа на 45 %. В настоящее время Samsung является единственным производителем в мире, который уже запустил 3-нм техпроцесс GAA в коммерческое производство, опередив основного конкурента тайваньскую компанию TSMC.

Расширение сотрудничества с AMD позволит Samsung нарастить свою долю на рынке контрактного производства чипов и сократить отставание от TSMC. Известно, что в настоящее время Samsung контролирует около 17 % этого рынка, а TSMC — более 50 %. В дальнейшем Samsung планирует начать массовый выпуск 2-нм чипов на базе технологии GAA в 2025 году, что позволит ей упрочить лидерство в области полупроводниковых технологий.

В рамках мероприятия Let Loose компания Apple представила новый мобильный процессор M4, который послужит основой её продуктов нового поколения. Дебютировал он в составе новых флагманских планшетов iPad Pro с OLED-экраном.

Пять причин полюбить HONOR 400

Обзор рейтингового режима Warface: просто освоиться, сложно оторваться

HUAWEI Pura 80 Ultra глазами фотографа

Обзор ноутбука Acer Swift Go 14 (SFG14-63-R7T4) с процессором Ryzen 9 8945HS и OLED-экраном

Обзор смартфона HONOR 400: реаниматор

Обзор смартфона HUAWEI Pura 80 Ultra: зум, которому нет равных

Источник изображений: Apple

Процессор Apple M4 с более чем 28 млрд транзисторов производится с использованием 3-нм техпроцесса TSMC второго поколения. В его состав входят 10 вычислительных ядер CPU (4 производительных и 6 энергоэффективных) и 10 графических ядер GPU на новой архитектуре с поддержкой динамической кеш-памяти, а также технологий сетчатого затенения и аппаратным ускорением трассировки лучей.

Компания заявляет, что вычислительная производительность нового чипа до 50 % выше, а графическая до четырёх раз выше, чем у процессора M2. По словам Apple, новый процессор M4 также на 50 % энергоэффективное процессора M2. В рамках презентации также было заявлено, что M4 обеспечивает на фоне конкурентов такую же производительность, но при этом потребляет всего четверть от используемого ими питания. Никаких сравнительных графиков компания не привела.

В составе Apple M4 также имеется новый 16-ядерный ИИ-движок (NPU) с производительностью 38 TOPS (триллионов операций в секунду). Он примерно в 60 раз быстрее NPU в составе процессора Apple A11 Bionic. Apple заявляет, что новый NPU в составе M4 быстрее любого другого NPU, который применяется в составе так называемых AI PC от конкурентов.

В составе чипа также используется новый интерфейс дисплея с поддержкой частоты обновления до 120 Гц и технологии экрана Tandem OLED, которая применяется в новейшем планшете iPad Pro. Для Apple M4 заявляется пропускная способность унифицированной памяти на уровне 120 Гбайт/с.

Несмотря на отсутствие доступа к оборудованию для выпуска чипов с литографией в экстремальном ультрафиолете (EUV) из-за санкций, китайская компания SMIC продолжает разработку 5-нм и 3-нм техпроцессов производства чипов. Ранее SMIC удалось наладить серийное производство 7-нм микросхем, опираясь исключительно на литографию в глубоком ультрафиолете (DUV), что само по себе не является невозможным — техпроцесс TSMC N7P также не использует EUV.

Обзор смартфона HUAWEI Pura 80 Ultra: зум, которому нет равных

Обзор рейтингового режима Warface: просто освоиться, сложно оторваться

Обзор ноутбука Acer Swift Go 14 (SFG14-63-R7T4) с процессором Ryzen 9 8945HS и OLED-экраном

HUAWEI Pura 80 Ultra глазами фотографа

Обзор смартфона HONOR 400: реаниматор

Пять причин полюбить HONOR 400

Источник изображения: SMIC

В отчёте Nikkei утверждается, что сразу после запуска 7-нм техпроцесса 2-го поколения, SMIC создала исследовательскую группу для работы над 5-нм и 3-нм техпроцессами. Команду возглавляет ранее работавший в TSMC и Samsung содиректор SMIC Лян Монг-Сонг (Liang Mong-Song). «Нет более умного учёного или инженера, чем этот парень, — так охарактеризовал его Дик Терстон (Dick Thurston), бывший главный юрисконсульт TSMC. — Он действительно один из самых блестящих умов, которых я видел в области полупроводников».

SMIC прошла долгий путь от небольшой полупроводниковой фабрики до пятого по величине контрактного производителя микросхем в мире. На фоне растущей напряжённости между США и Китаем компания была включена в санкционный список Министерства торговли США и потеряла доступ к передовым инструментам для обработки кремниевых пластин, что серьёзно замедлило её развитие и внедрение новых технологических процессов.

На данный момент литографические машины ASML Twinscan NXT:2000i являются лучшими инструментами, которыми располагает SMIC — они могут производить травление с разрешением до 38 нм. Этот уровень точности обеспечивает экспонирование с шагом 38 нм с использованием двойной фотомаски, чего достаточно для производства чипов класса 7 нм. Согласно исследованиям ASML и IMEC, при 5 нм шаг металла уменьшается до 30-32 нм, а при 3 нм — до 21-24 нм, что уже требует применения EUV.

Источник изображения: ASML

Но использование инструментов литографии со сверхвысоким разрешением (13 нм для EUV с низкой числовой апертурой) — не единственный путь к достижению сверхмалых размеров транзисторов. Другой вариант предусматривает нанесение нескольких последовательных масок, но это сложный процесс, который увеличивает продолжительность производственного цикла, снижает процент выхода годных изделий, увеличивает износ оборудования и повышает затраты. Однако без доступа к EUV-литографии у SMIC просто нет другого выбора, кроме как использовать тройное, четверное или даже пятикратное паттернирование.

Терстон считает, что под руководством Лян Монг-Сонга SMIC сможет производить (если уже не производит) 5-нм чипы в больших количествах без использования инструментов EUV. Однако сегодняшний отчёт Nikkei впервые сообщает о возможной способности SMIC разработать в обозримом будущем 3-нм производственный процесс на оборудовании класса DUV.

На конференции Innovation 2023 глава компании Intel Патрик Гелсингер (Patrick Gelsinger) показал кремниевую пластину с процессорами Arrow Lake, выполненными по техпроцессу 20A (20 ангстрем или 2 нм). Эти чипы появятся в 2024 году и станут первыми за 13 лет носителями новой архитектуры транзисторов. На мероприятии глава Intel раскрыл кое-какие детали будущих архитектур, что можно считать официальным подтверждением появившихся ранее утечек.

Обзор смартфона HUAWEI Pura 80 Ultra: зум, которому нет равных

Обзор ноутбука Acer Swift Go 14 (SFG14-63-R7T4) с процессором Ryzen 9 8945HS и OLED-экраном

Пять причин полюбить HONOR 400

Обзор рейтингового режима Warface: просто освоиться, сложно оторваться

Обзор смартфона HONOR 400: реаниматор

HUAWEI Pura 80 Ultra глазами фотографа

Источник изображения: Intel

Значительным событием стало подтверждение планов Intel начать выпуск 2-нм процессоров в 2024 году — раньше, чем это сделают компании TSMC и Samsung, до этого показавшие значительный технологический отрыв от микропроцессорного гиганта. Компания Intel поставила перед собой цель освоить за четыре года выпуск процессоров на пяти новых технологических узлах и, похоже, строго следует этому плану. Более того, по ряду технологических новшеств Intel собирается оказаться впереди как Samsung, так и TSMC.

Пластина с чипами Arrow Lake

В частности, компания Intel первой переведёт линии питания элементов процессоров на заднюю часть подложки. Сигнальные линии останутся на прежнем месте, а питание будет подаваться с обратной стороны непосредственно на транзисторы. Произойдёт это, начиная с транзисторов чипов Arrow Lake, которые компания уже выпускает в виде инженерных образцов.

Разделение питания и сигнальных линий даст много преимуществ, хотя также будет сопряжено с технологическими трудностями. Разгрузка объёма пластины со стороны сигнального интерфейса позволит упростить разводку и повысить скорость работы сигнального интерфейса за счёт уменьшения длин соединений и, соответственно, снижения их сопротивления току. Такое же упрощение разводки питания (с обратной стороны) и даже увеличение сечения проводников питания позволит уменьшить переходные процессы и даже откроет путь к увеличению плотности размещения транзисторов. Компания TSMC, например, планирует внедрить похожую технологию не раньше 2026 года или на два года позже Intel.

Доставка питания сзади (справа на изображении). Слева — актуальный подход, когда сигнал и питание подаются в одном слое

Но определённо революционным новшеством в процессорах Arrow Lake станут новые транзисторы RibbonFET Gate-All-Around (GAA) с каналами, полностью окружёнными затворами. Это будут первые с 2011 года новые транзисторы в процессорах Intel после начала производства транзисторов FinFET с вертикальными каналами (рёбрами), окружёнными затворами только с трёх сторон. Подобные транзисторы в собственной интерпретации (SF3E) уже выпускает компания Samsung, но она не готова сделать их массовыми. Компания Intel, похоже, готова организовать производство GAA-транзисторов на массовой основе.

Архитектурно GAA-транзисторы Intel похожи на такие же транзисторы Samsung. Они точно также представлены расположенными друг над другом каналами в виде тонких нанолистов (наностраниц), окружённых затворами со всех сторон. В составе транзистора Intel использует четыре канала. По словам Intel, такая конструкция обеспечивает более быстрое переключение транзисторов при использовании управляющего тока аналогичного по силе току для FinFET. При этом GAA-транзистор занимает на подложке заметно меньше места, чем FinFET.

Компания TSMC рассчитывает внедрить в производство собственную архитектуру GAA в 2025 году или на год позже Intel. В этом формально Samsung опередила своих конкурентов, но в плане массовости производства самых передовых решений она пока ничем похвастаться не может.