Теги → 7 нм
Быстрый переход

AMD зарегистрировала торговую марку Vega II

Компания AMD зарегистрировала новую торговую марку Vega II и её логотип, который отличается от старого двумя вертикальными полосками, обозначающими римскую цифру «II». Произошло это всего две недели назад, и это означает, что «красная» компания ещё не планирует расставаться с архитектурой Vega.

Собственно, это было известно и раньше, ведь не так давно AMD анонсировала ускорители вычислений Radeon Instinct на базе новых графических процессоров Vega, выполненных по 7-нм техпроцессу. Собственно, новый логотип, вполне вероятно, и предназначен для маркировки этих ускорителей, и вовсе не указывает на появление новых потребительских видеокарт Radeon RX Vega.

Конечно же, есть вероятность появления и потребительских видеокарт на 7-нм Vega, но она очень небольшая, о чём не раз заявляли представители AMD. К тому же, напомним, что уже в начале наступающего 2019 года, согласно слухам, могут дебютировать графические процессоры на новой архитектуре AMD Navi, а также видеокарты Radeon RX на их основе.

Судя по описанию, данный логотип можно будет встретить на самых различных электронных устройствах, в том числе на чипах, видеокартах, процессорах, компьютерах, играх и множестве других товаров. Подобные списки часто составляются для торговых знаков электронных устройств, так что это, опять же, ничего конкретного не означает.

TSMC построит на Тайване новый завод для «специализированных техпроцессов»

На днях TSMC провела такое ежегодное мероприятие, как форум поставщиков компании — материалов, оборудования, технологий и прочего. По результатам года среди представителей из свыше 700 компаний со всего мира были выбраны и премированы девять наилучших. Но сейчас речь не об этом, хотя масштабы зависимости контрактного производителя от поставщиков впечатляют безо всяких оговорок. На форуме генеральный директор TSMC Си Си Вэй (CC Wei) сделал интересное объявление. Так, на юге Тайваня вблизи города Тайнань компания будет строить новый завод для обработки кремниевых пластин. Необычное в данном случае то, что это будет завод по обработке 200-мм подложек, а не ставших массовыми 300-мм пластин.

Генеральный директор TSMC Си Си Вэй (фото Digitimes)

Генеральный директор TSMC Си Си Вэй (фото Digitimes)

Последней раз компания строила фабрику для обработки 200-мм подложек примерно 15 лет назад. Основная разница между 200-мм и 300-мм пластинами в том, что на пластинах большего диаметра получается в два раза больше чипов, чем на пластинах меньшего диаметра. В два раза! Это серьёзный фактор, влияющий на себестоимость микросхем. Почему TSMC пошла на этот шаг, пока остаётся только догадываться. Шеф компании утверждает, что это потребовалось для удовлетворения растущего спроса со стороны клиентов. Также нет ясности с техпроцессами, которые будут внедрены на новом предприятии. Коротко сообщается, что это будет специализированный техпроцесс, что бы это ни значило.

В то же время напомним, научный парк вблизи Тайнаня выбран местом строительства будущего завода TSMC для внедрения 3-нм техпроцесса. Предприятие должно быть построено к 2022 году с инвестициями в районе $20 млрд. Это огромные деньги, как и потребуются значительные ресурсы в виде воды и электроэнергии для обеспечения производственной деятельности предприятия. Поэтому может так статься, что компания решила изменить планы по вводу в строй 3-нм техпроцессов. Например, построив для этого менее масштабный завод с прицелом на обработку 200-мм пластин. Если это так, то это очередной звоночек полупроводниковой отрасли — на горизонте маячит замедление со всеми вытекающими неприятностями.

Imec доказал эффективность памяти SST-MRAM для разделяемой кеш-памяти

На конференции 2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) представители бельгийского исследовательского центра Imec продемонстрировали доказательство эффективности магниторезистивной памяти SST-MRAM для использования в качестве разделяемой кеш-памяти вместо традиционной памяти SRAM. Для этого была разработана модель массива SST-MRAM и выпущен опытный чип, на котором были проведены все необходимые измерения.

Следует отметить, что опытный массив памяти SST-MRAM выпущен с использованием 5-нм техпроцесса. Для производства был использован 193-нм сканер и однопроходная иммерсионная литография (с погружением в жидкость). Тем самым разработчики доказали, что процесс производства массива кеш-памяти SST-MRAM с технологическими нормами 5 нм может быть достаточно недорогим.

Сначала с помощью расчёта, а затем путём замеров был составлен график зависимости потребления массива кеш-памяти SST-MRAM и SRAM в зависимости от объёма памяти. Выяснилось, что в случае ёмкость 0,4 Мбайт память SST-MRAM становится эффективнее памяти SRAM в режимах чтения, а при наборе ёмкости 5 Мбайт потребление в режиме записи памяти SRAM начинает превышать потребления в режиме записи памяти SST-MRAM. Это означает, что в техпроцессах 5 нм память SST-MRAM невыгодно использовать для кеш-памяти первого и второго уровней, тогда как для кеш-памяти третьего уровня, обычно разделяемой, это эффективная замена SRAM. К тому же память SST-MRAM является энергонезависимой, что добавляет ей очков при сравнении с обычной оперативной памятью.

Остаётся напомнить, что ячейка памяти SST-MRAM представляет собой бутерброд из диэлектрика, заключённого между двумя слоями с намагниченностью: одну с фиксированной, а вторую — с переменной. В зависимости от поляризации тока свободный слой меняет направление намагниченности благодаря движению через него электронов с заданным вращающим моментом. Использование SST-MRAM вместо SRAM решает также другую задачу — это увеличения плотности ячеек памяти. Эксперимент показал, что в рамках 5-нм техпроцесса ячейка SST-MRAM занимает примерно 43,3 % от площади ячейки SRAM.

В следующем полугодии часть 7-нм линий TSMC могут простаивать

Накануне издание Commercial Times сообщило, что в следующем полугодии часть передовых полупроводниковых линий тайваньской компании TSMC могут оказаться загруженными не полностью. Некий осведомлённый источник из среды промышленников якобы сообщил, что компании Apple, HiSilicon и Qualcomm опасаются заказывать TSMC чрезмерные объёмы 7-нм мобильных процессоров. В сумме в первые шесть месяцев 2019 года объём простаивающих 7-нм линий может достигать 20 %, что довольно много.

Компания TSMC не стала комментировать эти заявления. Очередная встреча с инвесторами TSMC запланирована на середину января. Пока же руководство этого тайваньского контрактного производителя полупроводников придерживается старых прогнозов — добиться в 2019 году от 7-нм техпроцесса выручки не менее 20 % от совокупной за год. По итогам 2018 года доля выручки от 7-нм линий составит около 10 %. Правда, в отдельности за четвёртый квартал 2018 года доля выручки от 7-нм техпроцесса уже приблизилась к 20 % от общего дохода за квартал. Но если в первом полугодии лидеры рынка мобильных процессоров в лице упомянутых выше компаний снизят объёмы заказов, то TSMC рискует не удержаться в обозначенных рамках.

Рынок SoC для смартфонов действительно развивается со слабеющей динамикой. Она положительная, но не такая крутая, как раньше. Слух о возможном простое самых востребованных для флагманских SoC линий вполне вписывается в данную тенденцию. Другое дело, что этой продукцией дело не ограничивается. Компания TSMC обслуживает 7-нм заказы разработчиков ASIC для майнеров, а также выпускает процессоры и GPU компании AMD. Впрочем, падение котировок криптовалют уже не позволяет TSMC рассчитывать на значительные доходы от данного сектора.

Возможно, значительная загрузка 7-нм линий TSMC с возможностью расширения произойдёт только во второй половине 2019 года. По словам TSMC, на конец следующего года она ожидает увидеть от клиентов около 100 проектов чипов для выпуска с использованием 7-нм техпроцесса. Это будет в два раза больше, чем на конец текущего года. Иными словами, во втором полугодии 2019 года может образоваться дефицит 7-нм линий TSMC, что, в общем-то, тоже плохо. Ведь именно в этот период обещают выйти 7-нм настольные GPU и CPU компании AMD.

Слухи о ценах и характеристиках AMD Ryzen 3000

AMD, как утверждается, готовит 10 новых весьма любопытных процессоров серии Ryzen 3000, которые получат до 16 ядер и будут работать на частоте до 5,1 ГГц. Примерно через месяц на CES может состояться предварительный анонс, но благодаря видеоблогеру AdoredTV просочилась информация об этих чипах, основанных на 7-нм архитектуре Zen 2. Верить ей или нет — пусть каждый решает за себя, потому что, разумеется, это неофициальные, хотя и весьма подробные сведения.

Если информация верна, AMD решила заметно нарастить количество ядер. Начнём с простейших чипов: Ryzen 3. Как сообщается, готовятся три 6-ядерных 12-поточных решения этого семейства — 3300X, 3300 и 3300G. Последний процессор включает чип графики поколения Navi и выйдет лишь в третьем квартале 2019 года, первые же два являются просто процессорами и появятся в начале 2019 года.

Самым мощным решением этой серии выступает Ryzen 3 3300X, отличающийся энергопотреблением до 65 Вт и стоимостью $129 — его базовая частота составляет 3,5 ГГц, а в Boost-режиме — до 4,3 ГГц. В свою очередь чип Ryzen 3 3300 при цене $99 может предложить частотную формулу 3,2/4 ГГц и энергопотребление 50 Вт. Наконец, Ryzen 3 3300G при цене в $129 работает на частоте 3/3,8 ГГц, имеет графику Navi с 15 вычислительными блоками CU и энергопотребление до 65 Вт.

Ryzen 3 3300G — три чипа под одной упаковкой: 7-нм 6-ядерный CPU Zen 2, 7-нм GPU Navi, 14-нм модуль I/O

Ryzen 3 3300G — три чипа под одной упаковкой: 7-нм 6-ядерный CPU Zen 2, 7-нм GPU Navi, 14-нм модуль I/O

Процессоры среднего уровня, принадлежащие к семейству AMD Ryzen 5, тоже будут представлены тремя продуктами — 3600X, 3600 и 3600G. Всё это 8-ядерные 16-поточные чипы. Флагманом, как можно судить и по названию, выступает 95-Вт чип Ryzen 5 3600X стоимостью $229, обеспечивающий базовую частоту в 4 ГГц, а в Boost-режиме — до 4,8 ГГц. Более простой процессор Ryzen 5 3600 при цене $178 предлагает частотную формулу 3,6/4,4 ГГц и энергопотребление до 65 Вт.

Наконец, Ryzen 5 3600G станет первым 8-ядерным APU от AMD, предложит довольно мощную графику Navi 12 с 20 вычислительными блоками CU, частоты 3,2/4 ГГц, энергопотребление до 95 Вт и стоимость в $199. К сожалению, судя по утечке, ждать этот весьма любопытный продукт ранее третьего квартала 2019 года также не стоит.

Ryzen 5 3600G — три чипа под одной упаковкой: 7-нм 8-ядерный CPU, 7-нм GPU, 14-нм модуль I/O

Ryzen 5 3600G — три чипа под одной упаковкой: 7-нм 8-ядерный CPU, 7-нм GPU, 14-нм модуль I/O

Семейство AMD Ryzen 7, которое придёт на смену нынешним потребительским флагманам (если не учитывать серию для энтузиастов Threadripper), будет 12-ядерным 24-поточным и состоять всего из двух решений без всякой встроенной графики. Флагман серии в лице Ryzen 7 3700X при стоимости в $329 будет иметь энергопотребление до 105 Вт, базовую частоту 4,2 ГГц и частоту в режиме Boost до 5 ГГц. Более простой Ryzen 7 3700 при стоимости в $299 предложит TDP 95 Вт и частотную формулу 3,8/4,6 ГГц.

64-ядерный процессор EPYC 2 включает восемь 7-нм чиплетов с архитектурой Zen 2 и 14-нм модуль I/O

64-ядерный процессор EPYC 2 включает восемь 7-нм чиплетов с архитектурой Zen 2 и 14-нм модуль I/O

Любопытной особенностью Ryzen 7, как сообщается, будет тот факт, что эти процессоры являют собой не монолитный кристалл, а объединённые под одной упаковкой два 7-нм чипа («чиплета» в терминологии AMD), которые объединены 14-нм контроллером ввода-вывода (модуль I/O), отвечающим за работу с памятью, связь между чиплетами и PCIe-соединения. Этот же подход применяется в серверных процессорах EPYC 2 (Rome) — вполне вероятно, что чиплеты в Ryzen 7 и EPYC 2 используются одни и те же.

64-ядерный процессор EPYC 2 включает восемь 7-нм чиплетов с архитектурой Zen 2 и 14-нм модуль I/O

Но это ещё не всё — AMD якобы готовит новое потребительское семейство процессоров Ryzen 9. Это два 16-ядерных 32-поточных процессора 3850X, 3800X, которые якобы также построены путём объединения двух 8-ядерных кристаллов Zen 2 под одной упаковкой. За $449 покупателям будет предложен Ryzen 9 3800 с базовой частотой 3,9 ГГц (Boost — 4,7 ГГц) и энергопотреблением до 125 Вт. Его анонс якобы состоится на CES.

Позже, в мае, AMD планирует представить ещё более впечатляющий процессор Ryzen 9 3850X стоимостью $499. При энергопотреблении в 135 Вт он может предложить базовую частоту в 4,3 ГГц и частоту в Boost-режиме до 5,1 ГГц. Другими словами, речь идёт о более чем двукратном приросте по сравнению с современными флагманскими чипами для контактной площадки AM4.

Если информация верна, то нас ждут отличные и весьма привлекательные по цене продукты, которые могут заставить Intel нервничать ещё сильнее. Здесь отчётливо виден подход объединения нескольких простых и относительно недорогих кристаллов под одной упаковкой. Это позволяет AMD создавать различные типы продуктов: в случае с Ryzen 7 и Ryzen 9 речь идёт о двух кристаллах Zen 2, а на примере с APU в семействах Ryzen 5 и Ryzen 3 — CPU и GPU, соединённых через Infinity Fabric. Этот подход позволяет экономить за счёт объединения различных техпроцессов под одной упаковкой, повышения доли выхода годных кристаллов, использования различной логики.

Samsung в целом завершила разработку 3-нм техпроцесса и запустит его в 2020 году

В понедельник на стартовавшей годовой конференции International Electronic Devices Meeting (IEDM 2018) глава контрактного подразделения компании Samsung Electronics д-р Юнг (Dr. ES Jung) сделал интересное заявление. Согласно приведённой на сайте Pulsenews цитате (которой нет в официальном пресс-релизе), Samsung намерена запустить массовое производство чипов с использованием 3-нм техпроцесса в 2020 году. Ранее компания Samsung официально сообщала, что техпроцесс с нормами 3 нм с использованием кольцевых затворов (Gate-All-Around Early/Plus, 3GAAE/GAAP) будет внедрён в массовое производство в 2021 году. Если компания действительно собирается форсировать внедрение 3-нм техпроцесса, то это означает, что она нацелена на значительный рывок на рынке контрактных полупроводников.

Глава контрактного полупроводникового производства Samsung д-р Юнг (Dr. ES Jung)

Глава контрактного полупроводникового производства Samsung д-р Юнг (Dr. ES Jung)

По поводу 3-нм техпроцесса GAA в пресс-релизе Samsung сказано, что полное название технологии звучит как Multi-Bridge-Channel FET(MBCFET). Каналы транзисторов в такой структуре представляют собой вертикальный стек из нескольких уложенных друг на друга наностраниц (мостов), каждая из которых окружена собственным затвором. Характеристиками таких транзисторов легко управлять, варьируя ширину наностраниц и их количество, тем самым оптимизируя транзисторы для той или иной задачи. Что самое приятное, эти структуры можно выпускать на тех же самых линиях, что и структуры с транзисторами FinFET с совпадением технологий производства до 90 %. Необходимо лишь изменить часть фотошаблонов, что обеспечит простую миграцию с FinFET-техпроцессов на GAA-техпроцессы.

Каналы транзисторов превратятся в «перемычки» из нанопроводов и наностраниц (изображение IBM)

Каналы транзисторов превратятся в «перемычки» из нанопроводов и наностраниц (изображение IBM)

Без учёта цитаты на Pulsenews, Samsung говорит о завершении квалификации 3-нм техпроцесса. Начало производства с этими нормами стартует по плану, а всё оставшееся до этого момента время компания посвятит шлифовке деталей нового техпроцесса. Да, самое интересное, что Samsung выпустила опытный массив SRAM с использованием 3-нм техпроцесса MBCFET, однако пока данных о характеристиках образца нет. Как только они появятся, мы сразу об этом сообщим.

wsj.com

wsj.com

Зачем Samsung нужен этот рывок, если он действительно запланирован? Обоснованно предполагается, что Samsung необходимо усилить направление на контрактное производство чипов. Это снизит зависимость от рынка DRAM, который подвержен сильным колебаниям. На этапе внедрения 7-нм техпроцесса Samsung уступила компании TSMC, но может обогнать её на этапе внедрения 3-нм техпроцесса. Сейчас Samsung вкладывает огромные деньги в полупроводниковые предприятия по выпуску чипов, включая контрактное производство. В ближайшие годы она рассчитывает довести годовую выручку на этом направлении до $10 млрд и выше, тогда как в прошлом году выручила около $4,6 млрд. Выход на цифру $10 млрд сделает Samsung второй по величине в мире на рынке контрактников после TSMC.

Intel считает, что с переходом на 7-нм техпроцесс проблем возникнуть не должно

Как известно, компания Intel столкнулась с серьёзными трудностями при переходе на 10-нм техпроцесс, из-за чего выход соответствующих процессоров не раз откладывался. Однако компания считает, что переход на ещё более «тонкий» 7-нм техпроцесс в будущем не вызовет столько осложнений и пройдёт в ранее намеченные сроки.

Выступая на конференции инвесторов Nasdaq в Лондоне, Мурти Рендучинтала (Murthy Renduchintala), директор Intel по разработкам, говорил о проблемах с освоением новых производственных норм. Он считает, что компания «явно недооценила проблему» перехода с 14 на 10 нм. Он также повторил прежние утверждения Intel о том, что к этому времени в следующем году уже будут выпущены 10-нм процессоры для настольных ПК, и что, несмотря на проблемы, «целевые показатели энергопотребления, производительности и плотности транзисторов остаются такими же, как раньше». То есть 10-нм техпроцесс Intel должен быть именно таким, как планировалось.

Учитывая все проблемы, сопровождающие переход на 10-нм техпроцесс, можно было предположить, что переходы на следующие более «тонкие» производственные нормы также будут проходить с осложнениями. Но представитель Intel заявил, что компания по-прежнему продвигается вперёд и 7-нм процессоры должны выйти именно тогда, когда это было запланировано. Правда, когда именно, пока что не уточняется.

Отмечается, что над 7-нм техпроцессами в Intel работает отдельная команда. Мурти Рендучинтала отметил: «Мы очень довольны прогрессом в освоении 7-нм техпроцесса, и я думаю, что мы извлекли много уроков из опыта, полученного при работе над 10-нм техпроцессом. Мы определили другую точку оптимизации между плотностью транзисторов, энергопотреблением и производительностью».

Как известно, при переходе от 14- к 10-нм производству Intel планировала добиться 2,7-кратного увеличения плотности размещения транзисторов, при этом используя традиционные методы литографии. Однако в случае с 7 нм компания планирует «умерить свои аппетиты» и ставит целью достичь «всего лишь» двукратного увеличения плотности транзисторов, при этом используя более современную технологию литографии в глубоком ультрафиолете (EUV).

В завершение отметим, что уже в начале следующего года AMD планирует выпустить свои первые 7-нм продукты, а уже в 2020 году перейти на улучшенный 7-нм техпроцесс (7nm+). Вероятность того, что Intel сможет в 2020 году запустить своё собственное 7-нм производство, крайне мала. К сожалению, мы пока что не знаем, когда именно Intel планирует перейти на следующий после 10-нм техпроцесс.

Техпроцесс 7 нм+ вряд ли сильно улучшит производительность AMD Zen 3

Процессоры AMD с архитектурой Zen 2 должны получить значительный прирост производительности по сравнению с актуальными моделями в том числе за счёт перехода с 12/14-нм техпроцесса на 7-нм. Однако следующие за ними процессоры с архитектурой Zen 3 уже вряд ли смогут похвастаться подобными достижениями.

Марк Пейпермастер (Mark Papermaster), технический директор AMD, в недавнем интервью отметил, что улучшенный 7-нм техпроцесс (7nm+), по которому и будут производиться процессоры на базе Zen 3, сможет предложить лишь «скромные улучшения производительности». Также было отмечено, что теперь при переходе на более «тонкие» техпроцессы не приходится рассчитывать на значительный прирост тактовой частоты, как это было раньше.

Получается, что переход на доработанный техпроцесс принесёт не так много плодов. Но свои плюсы, у него, всё же будут: улучшенный 7-нм техпроцесс TSMC даст возможность повысить плотность размещения транзисторов на 15–20 %, а также позволит снизить энергопотребление на 10 %. Возможно, именно это и подразумевал Пейпермастер, говоря про «скромные улучшения».

Однако это вовсе не означает, что AMD не сможет обеспечить прирост производительности процессорам на Zen 3 за счёт изменений в архитектуре. К сожалению, сейчас нельзя сказать, принесёт ли архитектура Zen 3 большие изменения по сравнению с Zen 2. Но архитектура Zen+ показала, что за счёт даже не самых крупных изменений, вкупе с оптимизациями, а также переходом на улучшенный техпроцесс может получиться весьма удачная серия процессоров.

В конце отметим, что AMD планирует выпустить процессоры с архитектурой Zen 3 уже в 2020 году. Скорее всего, они будут производиться на мощностях TSMC с использованием литографии в глубоком ультрафиолете (EUV).

Intel готовит 10-ядерные «народные» процессоры Comet Lake-S

Компания Intel, похоже, хочет ещё больше увеличить число ядер в процессорах для массового сегмента рынка. Как сообщает ресурс WCCFTech со ссылкой на один тайваньский форум, компания Intel планирует в следующем году представить в новом семействе процессоров Comet Lake модель, обладающую 10 ядрами.

О том, что компания Intel планирует в следующем году выпустить очередное семейство 14-нм процессоров под названием Comet Lake, стало известно ещё в начале лета этого года. Теперь же источник сообщает, что на некой встрече в Intel было упомянуто, что в семействе настольных процессоров Comet Lake-S будет присутствовать по меньшей мере одна модель, располагающая 10 ядрами.

Упоминается также, что новые процессоры могут использовать две кольцевые шины с коммутатором. На данный момент Intel выигрывает у конкурентной AMD за счёт низкой латентности межъядерного взаимодействия. Но использование коммутатора ухудшит этот показатель. Такое решение выглядит ещё более странным на фоне того, что одиночная кольцевая шина способна работать с десятью и даже большим количеством ядер.

Также стоит заметить, что охлаждение процессора с десятком ядер может стать довольно сложной задачей. Особенно на фоне того, как непросто обеспечить достойное охлаждение нынешним восьмиядерным процессорам Intel Coffee Lake Refresh. А поскольку будущие Comet Lake-S будут производиться по всё тому же 14-нм техпроцессу и базовая архитектура чипа останется прежней, то два «лишних» ядра не лучшим образом повлияют на тепловыделение процессора. Хотя Intel всегда может понизить частоты.

К сожалению, каких-либо подробностей о производительности, равно как и о ценах будущих 10-ядерных процессоров Intel пока что нет. Можно с уверенностью сказать лишь очевидную вещь: в многопоточных задачах новинки будут быстрее любых других массовых процессоров Intel, а вот в производительность одного потока вряд ли повысится. Также заметим, что даже рекомендованная цена новинок может оказаться на уровне $550–600.

Улучшенный техпроцесс на 20 % увеличит выход памяти DDR4 компании SK Hynix

На один год позже компании Samsung второй в мире по величине производитель памяти типа DRAM компания SK Hynix сообщила о завершении разработки микросхем DDR4 для производства с использованием второго поколения техпроцесса класса 10 нм. Как и её конкуренты, компания SK Hynix не приводит точную цифру технологических норм, с помощью которых она предполагает выпускать новую память. Техпроцесс скрывается под кодовым именем «1Ynm» и может быть как 18-нм, так и 17-нм, и 16-нм.

Для нас главное не «шашечки», а «ехать». Переход от техпроцесса класса 10 нм первого поколения ко второму обеспечивает возросший на 20 % выход продукции — кристаллов DRAM DDR4. Проще говоря, себестоимость производства DDR4 ещё немного снизится, а модули памяти могут стать немного дешевле. Не на 20 %, но на единицы процентов — это вполне реальный сценарий. Но произойдёт это уже в новом году. Массовые поставки чипов DRAM с использованием второго поколения 10-нм техпроцесса компания начнёт в первом квартале календарного 2019 года.

Первыми в производство попадут 8-Гбит чипы DDR4-3200. По словам производителя, это самая быстрая в настоящий момент память. Потребление памяти, тем не менее, за счёт уменьшения масштаба технологических норм последовательно снижено более чем на 15 %. Первыми новую память получат производители модулей памяти для серверов и персональных компьютеров. Впоследствии второе поколение производства 10-нм класса осчастливит другие области применения памяти, в частности — область мобильных устройств.

Уменьшение масштаба технологических норм заставило разработчика внести ощутимые изменения как в схемотехнику цепей питания и управления памятью, так и в структуру «помельчавших» транзисторов. Это неудивительно, каналы транзисторов становятся меньше, что снижает токовые характеристики этих полупроводниковых приборов.

Для снижения вероятности появления ошибок чтения и для поддержки стабильной работы памяти инженеры SK Hynix предложили 4-фазную схему тактового генератора и разработали новые и более чувствительные усилители для сигнальных цепей памяти. Собственно, эти улучшения позволили поднять скорость по одному контакту до 3200 Мбит/с с одновременным снижением потребления до 15 % и более.

В 2019 году в Китае начнёт внедряться «национальный» 14-нм FinFET техпроцесс

Локомотивом разработки и внедрения в Китае условно национальных техпроцессов является крупнейший в этой стране контрактный производитель полупроводников Semiconductor Manufacturing International (SMIC). Не всё у него идёт гладко, но в свете отказа тайваньской компании UMC от разработки техпроцессов с нормами менее 14 нм SMIC получила шанс обогнать ближайшего к себе тайваньского конкурента как по технологичности, так и по объёмам выручки.

Разделение китайского рынка контрактных полупроводников между местными и иностранными лидерами отрасли (IC Insights)

Разделение китайского рынка контрактных полупроводников между местными и иностранными лидерами отрасли (IC Insights)

На последней отчётной конференции руководство SMIC подтвердило, что производитель начнёт рисковое производство с нормами 14 нм и транзисторами FinFET в первой половине 2019 года. Это на два года позже запуска 14-нм техпроцесса на линиях UMC, но дальше тайваньский производитель не пойдёт, чего не скажешь о намерениях китайцев.

В настоящий момент SMIC на практике обкатывает техпроцесс с нормами 28 нм (HKC+). В третьем квартале 2018 календарного года выручка от выполнения 28-нм заказов принесла SMIC 7,1 % от общей выручки. Впрочем, год назад и кварталом ранее техпроцесс 28 нм принёс компании чуть больше: сокращение составило, соответственно, 8,8 % и 8,6 %. Зато техпроцесс 40/45 нм стабильно приносит SMIC в районе 19 % от общей выручки.

Основной продукцией компании являются дактилоскопические датчики и контроллеры, чипы для беспроводных платформ и электроника по управлению питанием устройств. Интересно отметить, что 33 % объёма выручки китайский контрактник получает от выполнения заказов от компаний из США. Китайские клиенты в третьем квартале принесли SMIC 57,9 % от совокупной выручки. Год назад эта доля составляла 45,7 %, а во втором квартале 2018 года — 58,6 %.

В четвёртом квартале производитель ожидает последовательного снижения квартальной выручки на 7–9 %. В первом квартале 2019 года компания также ждёт непростых времён, в чём будет повинен также сезонный фактор. Спрос со стороны клиентов и рынка SMIC рассчитывает увидеть со второго квартала нового года. Как бы Китай ни обвиняли в протекционизме, SMIC сама крутится, как может (хотя оказание помощи тоже нельзя отрицать). Получается средне, но иным не снилось даже такое.

NVIDIA планирует выпустить 7-нм GPU в следующем году

На днях компания AMD представила первый в мире графический процессор, выполненный по передовому 7-нм техпроцессу. Компания NVIDIA пока что не обладает подобным GPU, но его выпуск входит в её планы. Как сообщает ресурс DigiTimes, NVIDIA уже заключила контракт на производство своих будущих 7-нм графических процессоров в 2019 году.

Сообщается, что в следующем году тайваньская компания TSMC будет производить продукцию по 7-нм технологическим нормам сразу для нескольких крупных клиентов. Среди них упоминаются Apple, Qualcomm, AMD и, собственно, NVIDIA.

Для Apple компания TSMC уже сейчас производит 7-нм однокристальные платформы (SoC) для смартфонов и планшетов. В свою очередь Qualcomm планирует представить 7-нм SoC как раз в следующем году. Компания AMD уже разместила у TSMC заказы на производство не только своих новых графических процессоров, но и центральных процессоров на архитектуре Zen 2. Здесь стоит заметить, что AMD выведет на рынок 7-нм GPU раньше своего конкурента.

Компания NVIDIA уже давно сотрудничает с TSMC, и её актуальные графические процессоры Turing, Volta и Pascal производятся на 12-, 14- и 16-нм линиях тайваньского производителя. К сожалению, каких-либо подробностей о будущих 7-нм графических процессорах NVIDIA пока что нет, но долго ждать себя они не заставят. Всё же NVIDIA не привыкла отставать от конкурентов во внедрении передовых техпроцессов. От себя лишь можем предположить, что весьма вероятно, что NVIDIA, как и AMD, сначала задействует 7-нм GPU в составе ускорителей вычислений, и лишь потом в игровых видеокартах.

В конце отметим, что согласно данным источника, до конца 2019 года компания TSMC планирует удвоить число различных продуктов, которые будут массово выпускаться по 7-нм техпроцессу. Даже Bitmain, производитель ASIC для добычи Bitcoin, начала предлагать изделия, выполненные по 7-нм техпроцессу.

AMD Radeon Instinct MI60: первый ускоритель вычислений на 7-нм Vega

Компания AMD провела мероприятие под названием Next Horizon. Оно было посвящено будущим передовым продуктам компании, в частности первому в мире графическому процессору, выполненному по 7-нм техпроцессу.

Нетрудно догадаться, что речь идёт о новой версии графического процессора Vega, которая в утечках фигурировала под кодовым названием Vega 20. Графический процессор «Vega 7nm», как его называет сама AMD, имеет площадь всего 331 мм2, но при этом на ней разместилось 13,23 млрд транзисторов за счёт использования техпроцесса TSMC 7-нм FinFET. Для сравнения, 16-нм графический процессор NVIDIA Pascal GP104 при площади 314 мм2 располагает лишь 7,2 млрд транзисторов.

По сравнению с оригинальной 14-нм версией Vega у новой 7-нм версии вдвое возросла плотность размещения транзисторов. При потреблении той же мощности графический процессор способен обеспечивать на 25 % лучшую производительность. А при одинаковой частоте энергопотребление новинки оказывается на 50 % ниже.

AMD представила ускорители вычислений Radeon Instinct MI50 и MI60 на новом графическом процессоре. Между собой эти ускорители отличаются лишь конфигурацией GPU, а также объёмом видеопамяти. Младший Radeon Instinct MI50 построен на урезанной версии «Vega 7nm» с 3840 потоковыми процессорами и тактовой частотой до 1746 МГц. В свою очередь Radeon Instinct MI60 предлагает полноценный «Vega 7nm» с 4096 потоковыми процессорами и частотой до 1800 МГц. Энергопотребление обоих ускорителей составляет 300 Вт.

В обеих новинках использована память типа HBM2 с поддержкой коррекции ошибок ECC. Младшая модель получила 16 Гбайт, тогда как старшую AMD наделила сразу 32 Гбайт памяти. В обоих случаях использована память с частотой 1000 МГц, а для её подключения задействована шина шириной 4096 бит. В итоге пропускная способность памяти достигает 1 Тбайт/с.

Что касается производительности, то AMD называет Radeon Instinct MI60 самым быстрым ускорителем для вычислений двойной точности (FP64). Производительность в таких операциях достигает 7,4 Тфлопс. В операциях одинарной (FP32) и половинной (FP16) точности показатели производительности составляют 14,7 и 29,5 Тфлопс соответственно. Наконец, в операциях типа INT8 производительность достигает 59 TOPS. У модели Radeon Instinct MI50 показатели производительности немного ниже из-за меньшего числа потоковых процессоров и частоты.

Производительность нового ускорителя Radeon Instinct MI60 сопоставима с производительностью ускорителя NVIDIA Tesla V100 на базе GPU Volta. Причём по теоретической производительности, выраженной в терафлопсах, новинка AMD немного обходит конкурента, а в тренировке нейросети в ResNet-50 наблюдается перевес в сторону ускорителя NVIDIA.

Ещё одной важной особенностью новых ускорителей Radeon Instinct является то, что они получили поддержку интерфейса PCI Express 4.0 x16. Он способен обеспечить пропускную способность между CPU и GPU до 64 Гбайт/с в обе стороны одновременно. Сохранилась, конечно же, и обратная совместимость с интерфейсом PCI Express 3.0 x16.

Также отметим, что для связи между графическими процессорами, когда они работают в связках, используется шина Infinity Fabric с пропускной способностью 100 Гбайт/с на канал. У новых видеокарт таких каналов два, то есть общая пропускная способность составляет 200 Гбайт/с. Для сравнения, интерфейс NVLink предлагает пропускную способность 50 Гбайт/с на один порт и до 200 Гбайт/с на один GPU.

Новые ускорители Radeon Instinct могут использоваться не только для вычислений и задач, связанных с искусственным интеллектом, но также они поддерживают аппаратную виртуализацию третьего поколения, которая не требует программной составляющей, а соответственно позволяет избежать расходов на софт для виртуализации. Один ускоритель поддерживает до 16 виртуальных машин, либо одна виртуальная машина может включать до 8 ускорителей Radeon Instinct.

AMD анонсировала и новую улучшенную открытую программную платформу для разработки ROCm 2.0. Также было отмечено, что платформа ROCm работает на графических процессорах NVIDIA и центральных процессорах Intel, а не только на продуктах AMD.

Ускоритель вычислений AMD Radeon Instinct MI60 поступит в продажу уже в текущем, четвёртом квартале 2018 года. В свою очередь младший ускоритель Radeon Instinct MI50 придётся подождать до первого квартала 2019 года. К сожалению, стоимость новинок компания AMD не уточняет.

TSMC первой принесла в Китай массовое производство с нормами класса 10 нм

На торжественной церемонии 31 октября высшее руководство тайваньской компании TSMC в лице председателя Марка Лю (Mark Liu) и финансового директора Лоры Хо (Lora Ho), которая также является председателем производственного комплекса TSMC в Нанкине, формально ввело в строй новый полупроводниковый завод компании в Китае.

Завод TSMC Fab 16 в Нанкине (TSMC)

Завод TSMC Fab 16 в Нанкине (TSMC)

Завод под именем Fab 16 начал строиться в Нанкине в июле 2016 года. В сентябре 2017 года на предприятие начали завозить производственное оборудование. Первую продукцию предприятие начало выпускать в мае 2018 года, что произошло на полгода раньше запланированного. Запуск предприятия Fab 16 в строй, тем не менее, официально состоялся только сейчас, как и было намечено два с половиной года назад.

Следует подчеркнуть, что завод Fab 16 станет первым в Китае массовым производством с использованием технологических норм класса 10 нм. Это техпроцесс с нормами 16 нм и транзисторами FinFET. Техпроцесс с нормами 14 нм и транзисторами FinFET пытается внедрить в производство местная компания SMIC, но до массового производства на её линиях пройдёт ещё один год, если не больше. Компания TSMC к концу 2019 года будет ежемесячно выпускать с использованием 16-нм FinFET техпроцесса до 15 000 300-мм пластин с чипами, а до конца 2020 года мощность производства будет доведена до 20 000 пластин в месяц.

Благодаря усилиям TSMC китайские разработчики получат доступ к достаточно передовому техпроцессу у себя дома, что облегчит путь к современным решениям массе средних и небольших компаний-разработчиков. В TSMC, кстати, оценивают нынешний потенциал разработчиков из Китая на высоком уровне, не хуже мирового. Кроме того, выручка TSMC от деятельности в Китае неуклонно растёт и в третьем квартале 2018 года, например, составила 16 % от выручки компании во всём мире.

Пока компания TSMC не выказывает страданий от нарастающей торговой войны США и Китая. В то же время от сотрудничества с американскими партнёрами TSMC получает львиную долю выручки, которая сегодня доходит до 61 %. Если вдруг её заставят делать выбор между двумя странами, можно не сомневаться, что TSMC выберет сотрудничество с США. Будем надеяться, что до таких крайностей не дойдёт, ибо пострадают от этого обе стороны, а не одна.

Radeon RX 590 действительно получит 12-нм графический процессор

На днях мы писали о том, что уже к середине ноября компания AMD представит видеокарту Radeon RX 590, которая станет очередным графическим ускорителем на базе графического процессора Polaris. И чем ближе к анонсу, тем больше подробностей выясняется о новинке.

Так, Андреас Шиллинг (Andreas Schilling), редактор сайта HardwareLuxx, подтвердил, что видеокарта Radeon RX 590 действительно существует, опубликовав фотографии её упаковки. Вместе с тем подтвердилось и то, что новинка будет построена на графическом процессоре, выполненном по 12-нм техпроцессу. Заметим, что актуальные видеокарты AMD Radeon RX 500-й серии построены на графических процессорах Polaris, выполненных по 14-нм техпроцессу.

Более «тонкий» техпроцесс должен обеспечить лучшую энергоэффективность, что должно позволить увеличить тактовые частоты нового графического процессора. Собственно, более ранние утечки как раз и указывали на повышение частот по сравнению с Radeon RX 580. По слухам, новая Radeon RX 590 будет до 10 % быстрее в плане производительности. Прирост ожидается именно за счёт частот, хотя, возможно, AMD внесёт и некоторые оптимизации в архитектуру Polaris.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥