Экспансию производства памяти типа HBM с не совсем очевидной стороны попробовали оценить аналитики TrendForce. По их мнению, к концу этого года на производство HBM будут уходить до 35 % кремниевых пластин, обрабатываемых с использованием передовой литографии, применяемых для выпуска оперативной памяти (DRAM).

Источник изображения: Micron Technology

Если рассматривать техпроцессы 10-нм класса в целом, то они к концу года, по мнению специалистов TrendForce, будут использоваться для обработки до 40 % кремниевых пластин, используемых при производстве памяти DRAM. Как можно понять, основная часть таких пластин будет направляться в производство HBM. Во-первых, при выпуске HBM не так уж высок уровень выхода годной продукции, он сейчас составляет 50 или 60 % от силы. Во-вторых, кристаллы чипов памяти HBM имеют на 60 % большую площадь по сравнению с другими популярными типами DRAM, поэтому с одной пластины можно получить меньше чипов HBM, пригодных для использования по назначению. Соответственно, для выпуска памяти HBM по этой причине требуется больше кремниевых пластин. Если 35 % передовых пластин к концу года будут использоваться при производстве HBM, то оставшиеся 65 % распределят между собой LPDDR5X и DDR5.

Более того, эксперты TrendForce считают, что HBM3E в этом году успеет стать доминирующим на конвейере типом памяти HBM. Компании SK hynix и Micron её уже выпускают в массовых количествах для Nvidia, используя техпроцессы 10-нм класса типа «бета» для обработки кремниевых пластин. Компания Samsung Electronics готовится начать поставки своей памяти HBM3E для нужд Nvidia в середине текущего года. Она будет использовать техпроцессы 10-нм класса типа «альфа» для обработки соответствующих кремниевых пластин.

Спрос на кремниевые пластины при выпуске DRAM растёт ещё и по причине повышения среднего объёма памяти в удельном выражении на одно устройство. Больше всего тенденция выражена в серверном сегменте, где средний объём ОЗУ для сервера достиг 1,75 Тбайт из-за высокой популярности систем искусственного интеллекта. К концу текущего года, помимо прочего, DDR5 начнёт доминировать на рынке ОЗУ, перевалив за 50 % в показателях доли рынка.

Во втором полугодии вырастет сезонный спрос как на HBM3E, так и на DDR5 и LPDDR5X. При этом производители памяти будут осторожно наращивать свои мощности после ударившего по ним в прошлом году кризиса перепроизводства. Поскольку больше кремниевых пластин будет требоваться для выпуска HBM3E, то может возникнуть дефицит сырья для производства DDR5 и LPDDR5X. Цены на два последних типа памяти могут в результате вырасти.

Производители DRAM при этом могут столкнуться с полной загрузкой своих существующих предприятий к концу этого года, а планы по расширению мощностей они будут реализовывать лишь в следующем, поэтому в какой-то момент может сложиться дефицит мощностей по выпуску микросхем DRAM. Ускорители вычислений типа Nvidia GB200, оснащаемые 384 Гбайт памяти HBM3E в максимальной конфигурации, будут только усиливать спрос на память соответствующего типа. Разработка HBM4 тоже будет поддерживать тенденцию к росту спроса на кремниевые пластины, поэтому нехватка мощностей может стать серьёзной проблемой для производителей прочих типов DRAM. Финансировать же строительство новых линий они готовы лишь в том случае, если цены на память будут достаточно высокими, чтобы получать подходящую для этого прибыль.

Первоначально AMD пыталась продвигать память HBM в сегменте игровых видеокарт, но больше всего эта память пригодилась конкурирующей Nvidia при создании ускорителей вычислений для систем искусственного интеллекта. Китай до сих пор не мог выпускать память такого класса, но недавно появились свидетельства того, что местные компании серьёзно продвинулись в этой сфере.

Источник изображения: CXMT

Являющаяся лидером среди китайских производителей DRAM компания CXMT, как сообщает Reuters со ссылкой на осведомлённые источники, уже создала первые образцы памяти типа HBM в сотрудничестве с Tongfu Microelectronics, которая обеспечила партнёра технологиями по их упаковке в стек. Образцы этой памяти китайского производства уже демонстрируются неким потенциальным клиентам. В документах, которые стали доступны Reuters, также упоминаются намерения компании Xinxin приступить к строительству в Ухане предприятия по выпуску HBM, которое смогло бы ежемесячно обрабатывать по 3000 кремниевых пластин типоразмера 300 мм. Материнской структурой этой компании является YMTC — крупнейший в Китае производитель памяти типа 3D NAND, который уже находится под санкциями США.

По информации источника, CXMT и другие компании также проводят регулярные переговоры с южнокорейскими и японскими поставщиками оборудования для оснащения своих будущих предприятий, на которых может быть налажен выпуск HBM. Агентству Reuters также удалось выяснить, что планы по организации выпуска HBM2 в сотрудничестве с китайскими партнёрами к 2026 году вынашивает Huawei Technologies. В качестве одного из партнёров должна выступить Fujian Jinhua Integrated Circuit, тоже находящаяся под санкциями США.

Лидерами в производстве HBM остаются южнокорейские SK hynix и Samsung Electronics, но в технологическом плане от них почти не отстаёт и американская Micron Technology, готовая начать поставки HBM3E. Китайские компании пока рассчитывают наладить выпуск только HBM2, но и это для них будет серьёзным технологическим прорывом. Отставание китайских разработчиков памяти от мировых лидеров в этой сфере может измеряться десятью годами, по мнению отраслевых экспертов.

CXMT располагает около 130 патентными заявками, связанными с технологией производства HBM, причём некоторые из них теоретически позволяют выпускать HBM3. Компания также закупила необходимое для выпуска такой памяти оборудование впрок, опасаясь скорого введения санкций США. При производстве таких микросхем используются технологии американского происхождения, поэтому национальное законодательство даёт властям страны право ограничивать экспорт не только готовой продукции такого типа в недружественные государства, но и необходимого для выпуска HBM оборудования.

Выступая на конференции Nvidia GTC 2024 в марте, гендиректор компании Дженсен Хуанг (Jensen Huang) не скрывал своего энтузиазма в отношении чипов памяти HBM — он называл их «технологическим чудом» и неотъемлемой частью революции искусственного интеллекта. Эти чипы Nvidia закупает у корейской SK hynix, но поскольку спрос на ИИ-ускорители продолжает расти, расширяется и список поставщиков. Это вызывает ожесточённую конкуренцию среди производителей чипов памяти за перспективный источник дохода, пишет Nikkei.

Источник изображения: skhynix.com

Явным лидером сегмента HBM является SK hynix, удерживающая более половины мирового рынка, но её стремятся догнать Samsung и Micron, соревнуясь с лидером в технологиях, по цене и другим критериям. Если упростить, HBM — это несколько чипов DRAM (Direct Random-Access Memory), объединённых с помощью технологии 3D-монтажа для увеличения производительности и эффективности. Конкурентоспособность производителей такой памяти определяется не только качеством чипов DRAM, но и передовыми методами их объединения, а это непростая задача, ведь если хотя бы на одном из уровней возникает проблема, в негодность приходит весь продукт. Важнейшей характеристикой при выпуске HBM становится показатель выхода годной продукции.

Три крупнейших игрока рынка памяти делают ставку на HBM, поскольку здесь достигается значительная ценовая надбавка: эта память стоит примерно впятеро дороже DDR5 — самого продвинутого типа DRAM в ПК. По итогам текущего года, считают аналитики, доля HBM на рынке DRAM составит уже 20 % в денежном выражении, а в 2025 году вырастет до 30 %. SK hynix уверена, что сможет сохранить лидерство за счёт своей технологии объединения чипов памяти MR-MUF (Advanced Mass Reflow Molded Underfill). Первый в мире компонент HBM компания разработала ещё десять лет назад для использования в видеоиграх, но востребованным этот тип памяти стал лишь с появлением генеративного ИИ. Последняя версия в этом сегменте — HBM3e, которую Nvidia намеревается внедрить в этом году.

Источник изображения: samsung.com

Доля SK hynix на мировом рынке HBM по итогам 2024 года составит 52 %, считают аналитики Trendforce. Samsung станет второй с показателем 42,4 %, а Micron достанутся лишь 5 % рынка. Для Samsung, привыкшей идти впереди своего меньшего соотечественника, это некоторый повод для беспокойства — сейчас она активно старается наверстать упущенное и намеревается начать поставки чипов HBM3e во II квартале. Это даст ей шанс опередить SK hynix, которая собирается наладить поставки этих чипов Nvidia только в III квартале. В руководстве Samsung сообщили, что вывод HBM3e на рынок идёт без сбоев и в соответствии с графиком клиента. Имя клиента корейский производитель не назвал, но в марте Nvidia сама подтвердила, что тестирует образцы HBM от Samsung.

Но технологическая разница между чипами памяти SK hynix и Samsung всё же существует и сохранится ещё какое-то время. Есть ещё один претендент, на которого стоит обратить внимание. В феврале американская Micron запустила массовое производство чипов HBM3e — они потребляют значительно меньше, чем продукция конкурентов, и также будут использоваться в ускорителях Nvidia H200. Бум ИИ пошёл на пользу Micron, которая вернулась к прибыльности на квартал раньше запланированного срока из-за роста спроса на ИИ-серверы. Недавно компания похвасталась, что уже распродала всю память HBM3e, которую выпустит в 2024 году и распределила значительную часть заказов на 2025 год.

К сегменту HBM присматриваются и другие участники рынка. Powertech, крупнейший в мире поставщик услуг по упаковке и тестированию чипов памяти, считает, что в перспективе HBM будет использоваться даже в ПК и бытовой электронике. В компании Globalwafers, третьем по величине производителе кремниевых пластин в мире, считают, что во второй половине текущего года HBM станет одним из ключевых направлений роста, а в перспективе она вообще изменит отрасль памяти. Но есть и другое мнение: приход Samsung на рынок HBM3e может уже в 2025 году спровоцировать кризис перепроизводства, считает аналитик Kiwoom Securities Пак Ю Ак (Pak Yu-ak).

Эксперты TrendForce до апрельского землетрясения на Тайване ожидали, что по итогам второго квартала контрактные цены на DRAM вырастут на 3–8 %, а флеш-память подорожает на 13–18 %, но актуальная обстановка позволяет им рассчитывать на более заметный рост цен на DRAM и NAND в силу целого ряда факторов.

Источник изображения: SK hynix

В частности, контрактные цены на DRAM по итогам второго квартала теперь могут вырасти на 13–18 %, а в сегменте NAND — на 15–20 %. Если само по себе землетрясение на Тайване способно повлиять на рынок памяти лишь в узких его сегментах, то высокий спрос на HBM и экспансия выпуска микросхем HBM3E влияют на него гораздо сильнее.

По словам специалистов TrendForce, до апрельского землетрясения цены на память DRAM и NAND для смартфонов и ПК росли на протяжении двух или трёх кварталов подряд, и покупатели не были готовы спокойно воспринимать дальнейшее повышение цен, но после землетрясения некоторые производители компьютеров начали перестраховываться и закупать память по существенно возросшим ценам, хотя и не в массовом порядке. К концу апреля контрактные цены на память из-за этого успели вырасти сильнее, чем ожидалось в начале квартала.

Во-вторых, производители памяти стали более агрессивно смещать приоритеты в сторону выпуска HBM, из-за этого мощности под выпуск DRAM других типов и NAND могли сокращаться. Компания Samsung Electronics, например, к концу текущего года рассчитывает задействовать под выпуск стеков HBM3E до 60 % всех мощностей, пригодных для выпуска памяти по техпроцессу «альфа» 10-нм класса. Естественно, возможности по выпуску памяти других типов с использованием этой технологии в результате сократятся — может быть ограничено производство DDR5, например. Покупатели даже начали запасаться памятью заранее, опасаясь предстоящего дефицита в третьем квартале. Представители TrendForce в своих прогнозах исходят из предположения, что во втором квартале память типа HBM займёт не более 4 % структуры поставок производителей.

В сегменте серверных твердотельных накопителей стремление провайдеров облачных услуг добиться более высокой энергетической эффективности в сегменте систем искусственного интеллекта толкает их более активно закупать накопители на основе памяти типа QLC. Поставщики последней в ответ на резкий рост спроса искусственно сдерживают темпы отгрузок, поскольку пока не понимают, как будет складываться конъюнктура рынка дальше, и не желают остаться без адекватных запасов продукции. Сейчас память типа NAND в основном реализуется по цене, обеспечивающей окупаемость производства, но компании не торопятся вкладывать средства в увеличение объёмов выпуска флеш-памяти.

В стороне от этих тенденций, как поясняют представители TrendForce, останется память типа eMMC и UFS, поскольку она ограничится минимальным ростом контрактных цен во втором квартале на 10 %.

По данным TrendForce, уже сейчас покупатели HBM ведут с поставщиками переговоры о ценах и объёмах поставок памяти данного типа на 2025 год, и в это легко поверить, оглядываясь на заявление SK hynix о распределении основной части производственных квот на следующий год. По прогнозам аналитиков, в этом году спрос на HBM вырастет на 200 %, а в следующем удвоится от этого уровня.

Источник изображения: SK hynix

В прошлом году на долю HBM приходилось 2 % мирового объёма производства DRAM в натуральном выражении, а в стоимостном доля достигала 8 %, поскольку одна микросхема HBM в среднем в пять раз дороже DDR5. В текущем году в программе выпуска DRAM память типа HBM может занять 5 % в натуральном измерении, а в стоимостном её доля может перевалить за 20 %, как считают эксперты TrendForce. Наконец, в следующем году HBM будет формировать более 10 % объёмов производства DRAM в натуральном измерении, а в стоимостном выражении её доля превысит 30 %.

В этом квартале, как сообщает источник, поставщики предварительно увеличили стоимость микросхем памяти HBM2E, HBM3 и HBM3E на 5–10 % для контрактов со сроком поставки в 2025 году. Как уже отмечали недавно SK hynix, Samsung Electronics и Micron Technology, все три компании готовы начать поставки микросхем HBM3E в текущем полугодии, просто в случае с Micron это будут только восьмиярусные стеки, а два других производителя готовы предложить 12-ярусные. Пока уровень выхода годной продукции при выпуске микросхем HBM3E не превышает 40–60 %, но с течением времени увеличатся объёмы производства, вырастет качество, а цены снизятся. Пока память типа HBM3E используется преимущественно в ускорителях вычислений Nvidia, но с четвёртого квартала этого года к ним присоединятся и ускорители AMD, причём сразу потребляя 12-ярусные стеки.

В конце февраля южнокорейская компания SK hynix уже заявляла, что фактически обеспечена заказами на выпуск памяти типа HBM до конца текущего года. Сезон квартальных отчётов заставил компанию поднять ставки, заявив о наличии заказов вплоть до конца 2025 года, попутно пообещав начать поставки новейшей HBM3E в третьем квартале текущего года.

Источник изображения: SK hynix

К массовому производству микросхем HBM3E компания приступит в следующем квартале, как отмечается в свежем заявлении SK hynix. Производитель по-прежнему считает, что объёмы выпуска HBM будут увеличиваться в среднем на 60 % в ближайшие годы. По традиции, собственные инвестиции SK hynix в расширение производства памяти распланированы вплоть до 2046 года, и к этому сроку компания собирается вложить $91 млрд в развитие крупнейшего комплекса по производству памяти в Йонъине. На первом этапе на строительство нового предприятия, которое войдёт в состав нового комплекса, планируется потратить около $14,5 млрд. Ещё $3,87 млрд будет вложено в строительство предприятия по тестированию и упаковке памяти в штате Индиана. Как пояснили на этой неделе представители SK hynix, финансировать эти проекты компания рассчитывает преимущественно за счёт собственных средств, поскольку рассчитывает на пропорциональный рост прибыли.

Ситуация с расширением производства HBM руководству SK hynix нравится тем, что заказы клиентов растут предсказуемо, и это позволяет более чётко планировать строительство новых предприятий. По крайней мере, у компании появляется больше уверенности, что новые линии по выпуску HBM окажутся загружены работой, тогда как традиционный рынок DRAM в целом более непредсказуем с точки зрения колебания спроса и предложения.

Поставки образцов новейшей 12-ярусной памяти типа HBM3E своим клиентам, главным из которых остаётся Nvidia, компания SK hynix начнёт в мае текущего года, а в третьем квартале приступит к её массовому производству. К 2028 году, как считают в SK hynix, доля микросхем памяти для систем искусственного интеллекта, включая HBM и DDR, в стоимостном выражении достигнет 61 % всех поставок продукции этой марки. В прошлом году этот показатель не превышал 5 %, так что нет ничего удивительного в том, что заказами на поставку HBM компания теперь обеспечена вплоть до конца следующего года.

Группа китайских производителей чипов во главе с Huawei Technologies при поддержке правительства Китая планирует к 2026 году начать производство микросхем памяти HBM (High Bandwidth Memory), которые являются одним из ключевых компонентов ускорителей искусственного интеллекта. Этот проект является частью усилий Китая по созданию отечественных альтернатив чипам искусственного интеллекта Nvidia.

В последние годы Китай инвестировал огромные средства в развитие отечественной полупроводниковой промышленности с целью уменьшить свою зависимость от иностранных технологий и преодолеть экспортные ограничения США. Хотя чипы HBM непосредственно не подпадают под эти ограничения, они производятся с использованием технологии, доступ к которой Huawei закрыт из-за американских санкций.

Основными участниками проекта, стартовавшего в прошлом году, стали производитель микросхем памяти Fujian Jinhua Integrated Circuit и Huawei. Обе компании находятся под санкциями США. К проекту также привлечены другие китайские производители чипов и разработчики технологий их упаковки. Они будут работать над адаптацией своих чипов памяти для процессоров искусственного интеллекта, разработанных Huawei, и предоставят вспомогательные компоненты для печатных плат.

По сообщениям осведомлённых источников, консорциум под руководством Huawei уже создал как минимум две производственные линии для изготовления памяти HBM, используя компоненты разных поставщиков и провоцируя внутреннюю конкуренцию. Сама Huawei, вероятно, станет крупнейшим покупателем HBM.

Один из крупнейших в мире производителей чипов памяти, южнокорейская компания SK Hynix объявила в среду о планах инвестировать 5,3 трлн вон (около $3,86 млрд) в строительство завода по производству памяти DRAM в Южной Корее, пишет агентство Reuters. Компания отметила, что новый производственный объект будет в основном сосредоточен на выпуске микросхем памяти класса HBM.

Источник изображения: SK Hynix

Являющаяся одним из основных партнёров Nvidia, SK Hynix планируют начать строительство завода под названием M15X в конце апреля с тем, чтобы начать массовое производство чипов памяти в ноябре 2025 года.

Согласно прогнозу SK Hynix, рынок HBM будет расти более чем на 60 % в год, при этом спрос на DRAM общего назначения будет постоянно увеличиваться, особенно на чипы большой ёмкости для серверов.

SK Hynix указала в заявлении, что с учётом запланированного постепенного увеличения инвестиций в оборудование общий объём вложений в новый завод в Южной Корее в долгосрочной перспективе составит более 20 трлн вон (около $14,6 млрд).

Напомним, что в прошлом году из-за спада на рынке микросхем SK Hynix сократила годовые инвестиции на 50 % и сообщила в октябре, что их рост в 2024 году будет минимальным. Несмотря на эту позицию, спрос на её чипы памяти HBM, используемые в ИИ-ускорителях, настолько высок, что существующие мощности компании полностью зарезервированы на этот год, и на большую часть следующего года, отмечено в сообщении SK Hynix.

Компания Samsung объявила, что изготовила образец 16-слойного стека памяти HBM — такие будут применяться с переходом на память HBM4. Предсерийные образцы этих стеков появятся в 2025 году, а массовое производство стартует в 2026 году.

Источник изображения: samsung.com

О создании стека HBM из 16 кристаллов с гибридным соединением сообщил вице-президент Samsung Ким Дэ У (Kim Dae-woo), передаёт TheElec. Этот чип был изготовлен в соответствии со стандартом HBM3, но аналогичное решение будет использоваться и в более производительной продукции HBM4. Ожидалось, что Samsung использует гибридное соединение лишь для одного или двух кристаллов, но в итоге компания применила этот метод ко всем шестнадцати.

Образец 16-слойного стека был изготовлен на оборудовании Semes — дочерней компании Samsung. В Samsung рассматривали возможность использовать гибридное соединение или термокомпрессионную непроводящую плёнку (TC-NCF) для памяти HBM4, тестирование которой начнётся в 2025 году, а массовое производство стартует в 2026 году, пояснил господин Ким.

В чипах HBM3E компания Samsung применяет технологию TC-NCF, а гибридное соединение обещает быть более эффективным, поскольку позволяет компактно добавлять больше слоёв без сквозных соединений TSV (Through Silicon Via).

Ещё в начале февраля появились слухи о готовности южнокорейской компании SK hynix построить в штате Индиана предприятие по выпуску микросхем памяти класса HBM. На этой неделе данные намерения были подтверждены официально: на строительство предприятия SK hynix потратит $3,87 млрд, а работу оно начнёт во второй половине 2028 года.

Источник изображения: SK hynix

Помимо линии по тестированию и упаковке памяти типа HBM адекватного тому времени поколения, американское предприятие SK hynix разместит и профильный исследовательский центр, который сосредоточится на разработке прогрессивных методов упаковки чипов. Представители SK hynix отдельно подчеркнули, что новое предприятие позволит укрепить цепочки поставок, направленные на снабжение рынка США передовыми чипами для ускорения систем искусственного интеллекта.

Теоретически, если к тому времени в Аризоне начнёт функционировать второе предприятие TSMC, которое сможет выпускать 3-нм чипы, то Nvidia сможет получать на территории США как ускорители вычислений собственной разработки, так и память для них, хотя сейчас она в этом отношении сильно зависит от Тайваня и Южной Кореи соответственно, причём конечный этап сборки и тестирования чипов всё равно проходит на Тайване, где компания TSMC располагает линиями по упаковке компонентов с использованием технологии CoWoS.

Расположенный в Индиане Университет Пердью окажется в одном с будущим предприятием SK hynix городе Уэст-Лафейетт, что позволит этому учебному заведению готовить кадры для предприятия южнокорейской компании. Соответствующие договорённости уже достигнуты, а ещё местные власти готовы способствовать развитию необходимой транспортной и инженерной инфраструктуры. Сможет ли SK hynix претендовать на федеральные субсидии по «Закону о чипах» США, пока сказать сложно, ибо выделение средств идёт очень медленно, и ближе к началу очереди уже стоят более крупные проекты других компаний. Предприятие SK hynix в Индиане должно обеспечить работой более тысячи местных жителей.

Ещё в 2022 году южнокорейская компания SK hynix выразила намерения вложить в локализацию производства памяти в США около $15 млрд. Ппрошедший 2023 год подчеркнул важность доступа крупных клиентов компании к передовой памяти HBM, а потому источники The Wall Street Journal сообщили, что SK hynix собирается потратить $4 млрд на строительство предприятия в штате Индиана.

Источник изображения: SK hynix

Как сообщается, на строительство этой площадки по тестированию и упаковке памяти с использованием передовых технологий планируется направить субсидии, предоставляемые не только федеральными властями США, но и властями штата Индиана. Предприятие должно быть введено в строй с 2028 года, оно обеспечит работой от 800 до 1000 человек. Близость Университета Пердью, который расположен в городе Уэст-Лафейетт, поможет обеспечить предприятие квалифицированными сотрудниками, как считают источники.

Напомним, что SK hynix сейчас является крупнейшим поставщиком памяти класса HBM для нужд компании Nvidia, которая использует её в своих ускорителях для систем искусственного интеллекта, поэтому появление локального предприятия по тестированию и упаковки памяти семейства HBM на территории США в какой-то степени позволит снизить зависимость национальной вычислительной инфраструктуры от азиатских производственных площадок. Проблемой остаётся только необходимость упаковывать и тестировать готовые чипы Nvidia на предприятиях TSMC на Тайване, хотя у этого подрядчика к 2028 году тоже появится пара предприятий в США. Кроме того, подобные услуги развивает и корпорация Intel, но метод упаковки чипов CoWoS остаётся уникальным предложением TSMC, и в этом смысле Nvidia продолжает зависеть от своего тайваньского партнёра.

В конкурентной гонке, которую подстегнул интерес к использующим память класса HBM ускорителям вычислений, южнокорейские производители не боятся заглядывать в весьма отдалённое будущее и делать долгосрочные инвестиции. SK hynix собирается до 2046 года потратить почти $91 млрд на развитие крупнейшего в мире комплекса по производству памяти, и первое из четырёх предприятий начнёт строить уже в марте следующего года.

Источник изображения: SK hynix

В качестве крупнейшей в мире площадки по выпуску микросхем памяти SK hynix выбрала южнокорейский Йонъин, причём ещё в 2019 году, но дальнейшей реализации планов тогда помешала пандемия, и к обсуждению проекта удалось вернуться только в 2022 году, получив одобрение как на уровне центрального правительства Южной Кореи, так и на уровне муниципалитетов, а также партнёров и поставщиков SK hynix. В прошлом месяце власти распорядились обеспечить строительную площадку необходимыми энергетическими ресурсами.

Первое предприятие, которое в готовом виде будет занимать три этажа, SK hynix начнёт строить в Йонъине в марте следующего года, сейчас площадка готова к строительным работам примерно на 35 %. Данный завод сам по себе станет крупнейшим в мире, а всего в этом районе SK hynix собирается к 2046 году построить ещё три подобных предприятия. В текущем месяце власти Южной Кореи должны представить комплексный план поддержки перспективных отраслей национальной экономики, охватывающий и полупроводниковую промышленность. Уже в этом году, как рассчитывают корейские чиновники, страна сможет экспортировать памяти типа HBM на общую сумму более $120 млрд.

Американская компания Micron Technology воодушевила инвесторов не только с точки зрения динамики выручки и прибыли в прошлом квартале, но и с точки зрения прогноза на ближайшие кварталы. Кроме того, результаты квартала превзошли ожидания рынка. В результате курс акций компании после закрытия основной сессии вырос почти на 20 %.

Источник изображения: Micron Technology

За прошлый квартал Micron Technology смогла увеличить выручку на 58 % в годовом сравнении до $5,8 млрд, последовательно выручка выросла на 23 %. Сегмент DRAM формировал 71 % выручки компании в минувшем квартале, на этом направлении выручка последовательно выросла на 21 % до $4,2 млрд, хотя в ёмкостном выражении объёмы поставок увеличились всего на несколько процентов. Зато средняя цена реализации поднялась на 18–19 %, преимущественно за счёт высокого спроса на память HBM и DDR5 в серверном сегменте. Кстати, год назад реализация DRAM приносила Micron 74 % всей выручки, поэтому нельзя утверждать, что данный вид деятельности стал сильнее доминировать в структуре выручки. Многое в этом смысле зависит от уровня цен.

Направление NAND последовательно увеличило профильную выручку Micron на 27 % до $1,6 млрд, те же 27 % оно формировало в совокупной выручке компании. При этом фактические объёмы поставок флеш-памяти Micron сократила на несколько процентов, но средняя цена реализации выросла последовательно более чем на 30 %. В целом, как оценивает ситуацию руководство Micron, именно усилия производителей по сокращению объёмов выпуска продукции способствовали росту цен на твердотельную память.

Структурно поставки микросхем памяти Micron делит между четырьмя подразделениями: сетевые и вычислительные решения в годовом сравнении увеличили выручку на 59 % до $2,2 млрд, мобильный сегмент вырос на 69 % до $1,6 млрд, встраиваемые решения прибавили 28 % до $1,11 млрд, а системы хранения при скромном абсолютном значении $905 млн добились впечатляющего роста выручки на 79 % по сравнению с аналогичным периодом предыдущего года.

Примечательно, что по итогам прошлого квартала Micron удалось получить чистую прибыль в размере $476 млн, тогда как год назад компания столкнулась с убытками на сумму $2,08 млрд. Фактически, текущему кварталу предшествовали подряд пять убыточных. Руководство Micron Technology выразило надежду, что цены будут расти на протяжении всего 2024 года, а фискальный 2025 год, который завершится в августе 2025 года принесёт ей рекордную выручку и значительно улучшенные показатели прибыльности.

В серверном сегменте спрос на HBM и DDR5 вызывает дефицит производственных мощностей, поскольку та же HBM3E при своём производстве требует в три раза большее количество кремниевых пластин по сравнению с DDR5. Если добавить сюда и трудности с наращиванием мощностей по упаковке памяти класса HBM, то после перехода к выпуску HBM4 ситуация должна только усугубиться. Уже в следующем году объёмы производства HBM поравняются с объёмами выпуска DRAM в целом.

В прошлом фискальном квартале Micron уже начала поставлять в коммерческих масштабах микросхемы памяти типа HBM3E. Она обеспечивает снижение энергопотребления на 30 % по сравнению с конкурирующими решениями этого поколения, микросхемы этого типа производства Micron будут использоваться компанией Nvidia для оснащения своих ускорителей вычислений H200, хотя данная продукция Micron сейчас проходит сертификацию и на соответствие требованиям других производителей процессоров. В этом году Micron рассчитывает выручить несколько миллионов долларов США от реализации HBM, все квоты на её выпуск в текущем календарном году уже раскуплены, и большинство квот на следующий год тоже распределено между клиентами. В 2025 году Micron начнёт серийный выпуск 12-ярусных стеков памяти типа HBM3E. На серверном рынке по итогам текущего года объёмы поставок серверных систем вырастут на 5–9 %, как прогнозирует руководство компании.

В сегменте ПК объёмы продаж при этом вырастут на скромные 2–3 %, так называемые AI PC начнут составлять заметную часть продаж только в следующем году. В среднесрочной перспективе спрос на DRAM будет расти на 14–16 %, в сегменте NAND рост незначительно превысит 20 %. Планы в отношении капитальных затрат до сентября текущего года не поменялись, Micron рассчитывает в текущем фискальном году потратить от $7,5 до $8,0 млрд. Компания ожидает решения властей США по выделению ей субсидий по «Закону о чипах», рассчитывая направить полученные средства на развитие производственных комплексов в Айдахо и штате Нью-Йорк. В текущем квартале Micron рассчитывает выручить $6,6 млрд, что тоже выше ожиданий аналитиков. Норму прибыли по итогам текущего квартала удастся поднять с 20 до 26,5 %, как считают в компании.

Спрос на услуги по компоновке чипов из нескольких разнородных кристаллов подталкивает контрактных производителей развивать соответствующий бизнес, и южнокорейская Samsung Electronics по итогам текущего года рассчитывает заработать более $100 млн на подобных услугах.

Источник изображения: Samsung Electronics

Об этом на ежегодном собрании акционеров, по данным Reuters, сообщил генеральный директор Samsung Electronics Кёнг Ке-хён (Kyung Kye Hyun). Контрактные услуги в этой сфере компания начала оказывать ещё в прошлом году, и во второй половине текущего компания рассчитывает получать от профильных инвестиций адекватную отдачу. По итогам текущего года выручка Samsung на этом направлении может превысить $100 млн. Это не так много на фоне более чем $13 млрд, которые Samsung принёс контрактный бизнес в целом по итогам прошлого года, но компания собирается усилить интеграцию подразделений, занимающихся разработкой, производством и упаковкой чипов.

Кроме того, на собрании акционеров руководство Samsung Electronics заявило, что компания собирается в текущем году увеличить свою долю на рынке памяти типа DRAM. В прошлом квартале данный показатель достигал 45,5 %, если опираться на данные TrendForce. Основной упор будет делаться на продвижение востребованной в сегменте искусственного интеллекта памяти типа HBM3E. В прошлом месяце Samsung сообщила о готовности начать выпуск 12-ярусных стеков HBM3E, а на этой неделе интерес к продукции компании открыто проявил генеральный директор Nvidia Дженсен Хуанг (Jensen Huang).

HBM4 компания предложит уже в следующем году, причём клиенты получат возможность адаптировать такую память к своим нуждам, поскольку разработчики будут более активно взаимодействовать со специалистами Samsung, отвечающими за бизнес по упаковке чипов. Не списывает компания со счетов и другие виды памяти, востребованные в серверном сегменте, имея в виду поддерживающие CXL и PIM продукты.

Желая сохранить лидирующие позиции на рынке памяти типа HBM, которая стала крайне востребована на волне ИИ-бума, южнокорейская компания SK hynix в этом году вложит в расширение мощностей по её тестированию и упаковке в родной стране более $1 млрд. По оценкам сторонних экспертов, общая величина капитальных затрат SK hynix в этом году достигнет $10,5 млрд.

Источник изображения: SK hynix

Поскольку на упаковку памяти будет направлена одна десятая часть этого бюджета, то данное направление деятельности можно признать приоритетным, как поясняет Bloomberg. Руководит данным бизнесом Ли Кан-ук (Lee Kang-Wook), который ранее занимался подобной работой в Samsung Electronics. Комбинация различных полупроводниковых материалов и разработка новых методов соединений являются сферами специализации этого бывшего инженера Samsung. По его мнению, первые 50 лет развития полупроводниковой отрасли были посвящены начальным этапам создания компонентов, связанных с обработкой кремния, а последующие 50 лет будут посвящены технологиям упаковки чипов.

Непосредственно Ли Кан-ук принимал участие в разработки методов упаковки чипов памяти типа HBM2E, именно эти ноу-хау позволили SK hynix стать главным поставщиком подобной памяти для нужд NVIDIA с конца 2019 года. Будучи инженером Samsung, он с 2002 года руководил разработкой межслойных соединений в многоярусных полупроводниковых компонентах. Эта технология в дальнейшем легла в основу создания микросхем памяти HBM, которые в последнем поколении насчитывают по 12 ярусов, соединяемых между собой вертикально. Когда в 2013 году SK hynix и AMD первыми начали применять HBM в серийных продуктах, никто из конкурентов не мог последовать их примеру на протяжении двух лет, пока к концу 2015 года Samsung не представила HBM2. Ли Кан-ук перешёл на работу в SK hynix тремя годами позднее.

Сейчас SK hynix сотрудничает с японскими компаниями в разработке более совершенной технологии формирования вертикальных межсоединений в микросхемах памяти HBM. В конце февраля Samsung объявила о завершении разработки микросхем HBM3E с 12 слоями, которые могут обеспечить объём памяти до 36 Гбайт в одном стеке. Micron Technology в то же время объявила о начале выпуска 8-слойной памяти HBM3E, которая может предложить объём до 24 Гбайт в одном стеке. Считается, что NVIDIA будет получать такие микросхемы от обоих конкурентов SK hynix. Помимо развития предприятий по упаковке HBM на территории Южной Кореи, SK hynix готовится вложить несколько миллиардов долларов в реализации профильного проекта на территории США.