Опрос
|
реклама
Быстрый переход
SK hynix оценила память HBM4 для Nvidia на 50 % дороже HBM3E, но это не точно
06.11.2025 [13:28],
Алексей Разин
Гонка за лидерство в сегменте HBM4 началась задолго до серийного выпуска соответствующих микросхем, и SK hynix не собирается сдавать позиции, занятые на этапе экспансии HBM3E. По слухам, этот производитель уже согласовал с Nvidia цены на свою память типа HBM4, которую начнёт поставлять для производства ускорителей Rubin во второй половине 2026 года. 
Источник изображения: SK hynix Как поясняет Business Korea со ссылкой на собственные осведомлённые источники, микросхемы HBM4 в исполнении SK hynix обойдутся Nvidia более чем на 50 % дороже HBM3E. Такая разница вполне ожидаема, и в целом на каждый ускоритель Nvidia должна будет тратить по $560 на закупку HBM4. Чисто формально, такой уровень цен будет считаться вполне конкурентоспособным, и позволит SK hynix сохранить лидирующее положение и после перехода на HBM4. Компания постаралась заявить о завершении разработки HBM4 быстрее конкурентов ещё в середине сентября, но Micron попыталась привлечь внимание к своей продукции заявлениями о её высоких скоростных характеристиках, а Samsung Electronics полна решимости быстро наверстать упущенное, если её память типа HBM4 устроит Nvidia на уровне технических требований. Сама SK hynix комментировать слухи отказалась, ограничившись заявлением о том, что цены и объёмы поставок продукции, соответствующей требованиям Nvidia, согласованы, а существующий уровень прибыльности будет сохранён и в будущем. Не секрет, что на фоне бума ИИ дорожает и обычная DRAM типов DDR4 и DDR5, но этим дело не ограничивается. Как поясняет Business Korea, цены на GDDR и LPDDR тоже идут вверх. С учётом этих тенденций и предполагаемых условий поставок HBM4 для нужд Nvidia, компания SK hynix может сохранить норму операционной прибыли в следующем году в сегменте DRAM в целом на уровне от 50 до 60 %, как резюмируют южнокорейские источники. Тем более, что в сегменте HBM она уже распродала всю производственную программу на следующий год. Samsung приступила к переговорам с Nvidia о поставках передовой памяти HBM4
31.10.2025 [12:33],
Алексей Разин
На недавней квартальной отчётной конференции Samsung Electronics скупо отметила, что поставляет микросхемы HBM3E всем заинтересованным клиентам, а образцы более продвинутой памяти HBM4 тоже поставляются. Руководители Samsung и Nvidia встретились на этой неделе, после чего появилась информация о проведении переговоров по поводу поставок HBM4 для нужд этого заказчика. 
Источник изображения: Samsung Electronics Как сообщает Reuters, сейчас Samsung Electronics «тесно обсуждает» с Nvidia возможность поставок своей памяти HBM4. На рынок такие микросхемы в исполнении Samsung выйдут в следующем году, с минимальным отставанием от конкурирующей SK hynix. Последняя готова приступить к поставкам HBM4 в четвёртом квартале текущего года и нарастить их уже в следующем году. Представители Nvidia ограничились заявлением о том, что плотно взаимодействуют с Samsung в сфере поставок HBM3E и HBM4. В пресс-релизе Samsung Electronics, посвящённому сделке с Nvidia по закупке 50 000 ускорителей вычислений для собственных нужд, упоминается о сотрудничестве компаний в сфере создания HBM4. Корейский поставщик поясняет, что готов использовать шестое поколение техпроцесса 10-нм класса при производстве кристаллов DRAM для HBM4, а базовый кристалл со встроенной логикой будет изготавливать по 4-нм технологии. Соответствующие чипы HBM4 смогут передавать информацию со скоростью 11 Гбит/с. По данным Reuters, председатель совета директоров Samsung Electronics Ли Чжэ Ён (Lee Jay-yong) и основатель Nvidia Дженсен Хуанг (Jensen Huang) встретились на этой неделе во время визита последнего на саммит APEC. По итогам этого визита стало известно, что в целом в Южную Корею будут направлены 260 000 ускорителей Nvidia поколения Blackwell, свою инфраструктуру ИИ с их помощью будут развивать Samsung, SK hynix и Hyundai Motor, а также облачный провайдер Naver Cloud и правительственные организации. Samsung оттолкнулась от дна: операционная прибыль выросла на 160 %, а продажи памяти обновили рекорд
30.10.2025 [06:14],
Алексей Разин
Компания Samsung Electronics долгие годы оставалась крупнейшим поставщиком памяти в мире, но на волне бума искусственного интеллекта её обошла SK hynix — сперва по прибыли, а потом и по величине профильной выручки. Тем не менее, наличие у Samsung прочих направлений бизнеса позволяет ей оставаться одним из крупнейших поставщиков чипов. Операционная прибыль компании в минувшем квартале взлетела на 160 % до $8,6 млрд. 
Источник изображения: Samsung Electronics Правда, следует понимать, что речь идёт о последовательном росте операционной прибыли по сравнению со вторым кварталом, который характеризовался просадкой по данному показателю. Если сравнивать операционную прибыль минувшего квартала с аналогичным периодом прошлого года, прирост ограничится 32,9 %, хотя и его сложно назвать скромным. Выручка Samsung по итогам прошлого квартала выросла на 8,85 % до $60,5 млрд в годовом сравнении, и на 15,5 % в последовательном. Рост операционной прибыли превысил как собственные прогнозы компании, так и ожидания аналитиков. Чистая прибыль компании в размере $8,45 млрд оказалась почти на треть выше ожиданий. Полупроводниковое направление бизнеса Samsung продемонстрировало рост выручки на 19 % до $23,3 млрд, благодаря рекордной выручке от реализации микросхем памяти. Последняя выросла на 19 % в годовом сравнении до $18,8 млрд. Операционная прибыль полупроводникового бизнеса Samsung выросла на 81 % до $4,9 млрд при заложенных в прогноз аналитиками $3,3 млрд. Это рекорд за последние три с лишним года. В следующем полугодии Samsung Electronics рассчитывает на сохранение высокого спроса на полупроводниковые компоненты, главным образом — за счёт инвестиций в развитие ИИ-инфраструктуры. По мнению аналитиков Counterpoint Research, в третьем квартале Samsung удалось вернуть себе статус крупнейшего поставщика микросхем памяти. Компания в следующем году собирается сосредоточиться на массовом производстве HBM4 — самого современного типа памяти для инфраструктуры искусственного интеллекта. Руководство компании призналось, что её микросхемы HBM3E сейчас поставляются «всем соответствующим клиентам», и в такой формулировке можно проследить тонкий намёк на Nvidia. К поставкам образцов HBM4 компания также уже приступила. Сегмент устройств в структуре бизнеса Samsung тоже продемонстрировал прирост как операционной прибыли (на 12 % до $2,5 млрд в годовом сравнении), так и выручки (на 8 % до $34 млрд). Положительная динамика в этой сфере была обусловлена хорошим спросом на флагманские модели смартфонов Samsung, включая недавно представленный складной Galaxy Z Fold 7. В текущем квартале направление устройств также должно почувствовать выгоду от распространения технологий систем искусственного интеллекта, как считают в Samsung. Об успехах контрактного направления Samsung в квартальной презентации рассказывает неохотно, упоминая о начале массового производства чипов по 2-нм технологии первого поколения, подразумевающей использование структуры транзисторов GAA, а также базовых кристаллов для HBM4 по 4-нм технологии. Компания готова ввести в строй новое предприятие в Техасе в оговорённые сроки, как отмечается в презентации. В следующем году Samsung надеется привлечь к своему 2-нм техпроцессу новых клиентов. В третьем квартале она получила рекордное количество заказов на выпуск чипов, главным образом, по передовым техпроцессам. SK hynix уже продала всю память, которую выпустит в 2026 году — квартал завершён с рекордными выручкой и прибылью
29.10.2025 [07:16],
Алексей Разин
Производители памяти в целом хорошо зарабатывают в условиях бума ИИ, а SK hynix ещё и остаётся главным поставщиком микросхем типа HBM, поэтому её квартальная отчётность способна порадовать инвесторов. Прошлый квартал характеризовался ростом выручки на 39 % до рекордных $17,13 млрд, операционная прибыль выросла на 62 % до $8 млрд, а ещё компания распродала всю производственную программу памяти на следующий год. 
Источник изображения: Nvidia По данным CNBC, инвесторы в среднем ожидали чуть лучших квартальных результатов, но и наблюдаемую динамику сложно назвать скудной. В любом случае, на утренних торгах в среду акции SK hynix выросли в цене на 5 %, а всего с начала года они подорожали на 210 %. В последовательном сравнении выручка SK hynix выросла на 10 %, а операционная прибыль увеличилась на 24 %. В национальной валюте операционная прибыль SK hynix в прошлом квартале впервые превысила рубеж в 10 трлн вон. Поскольку все квоты на производство памяти в следующем году распроданы уже сейчас, SK hynix займётся расширением производственных мощностей, хотя сумма капитальных затрат на 2026 год и не была названа. Даже в 2027 году при этом будет сохраняться дефицит HBM, по словам представителей компании. В текущем квартале SK hynix приступит к поставкам HBM4, которая считается шестым поколением памяти данного класса. Можно предположить, что такую память начнёт получать от SK hynix компания Nvidia, являющаяся крупнейшим клиентом корейского производителя, хотя напрямую это не указывается. По прогнозам аналитиков Counterpoint Research, к 2027 году ёмкость мирового рынка памяти типа HBM достигнет $43 млрд. Во втором квартале текущего года SK hynix занимала на рынке DRAM в целом 38 % в показателях выручки, обойдя прежнего долговременного лидера в лице Samsung Electronics в первом квартале этого года. Сегмент HBM во втором квартале вырос в денежном выражении на 178 %, компания SK hynix сохранила на нём лидирующие позиции в виде доли в 64 %. Представители Futurum Group считают, что по итогам следующего года SK hynix будет контролировать в сегменте HBM не менее 60 % мирового рынка. По мнению самой SK hynix, в ближайшие пять лет рынок HBM будет расти более чем на 30 % ежегодно. В сегменте DRAM в целом, который формально включает и HBM, спрос на память в следующем году в натуральном выражении увеличится более чем на 20 %, как считает руководство SK hynix. В сегменте NAND спрос вырастет менее чем на 20 %. По мнению аналитиков Bloomberg Intelligence, цены на память в следующем году продолжат расти, и это пойдёт на пользу SK hynix и Samsung Electronics. По данным корейских СМИ, обе компании уже подняли цены на традиционные типы памяти в четвёртом квартале на величину до 30 %. Конкурирующие Nanya Technology и Kioxia с начала года подняли цены на свою память более чем в два раза. Руководство SK hynix на квартальной конференции заявило, что мировой рынок памяти будет переживать продолжительный «суперцикл» роста, а объёмы её производства продолжат отставать от спроса. Samsung рассчитывает обеспечить скорость передачи информации с помощью HBM4E до 13 Гбит/с
19.10.2025 [07:19],
Алексей Разин
Память типа HBM4E считается седьмым поколением соответствующей технологии, подразумевающей формирование стека из нескольких ярусов DRAM. В 2027 году Samsung Electronics намеревается наладить массовое производство HBM4E, обеспечив с её помощью увеличение скорости передачи информации в два с половиной раза относительно нынешней HBM3E. 
Источник изображения: Samsung Electronics Как поясняет Business Korea со ссылкой на выступление представителей Samsung на OCP Global Summit 2025 в Калифорнии, компания рассчитывает поднять скорость передачи информации с помощью HBM4E до 13 Гбит/с на контакт. Если учесть, что HBM4E будет оснащаться 2048 контактами, результирующее быстродействие может достичь 3,25 Тбайт/с. При этом энергетическая эффективность HBM4E окажется в два с лишним раза выше, чем у HBM3E. В январе текущего года Samsung рассчитывала увеличить пропускную способность HBM4E до 10 Гбит/с на контакт, поэтому прирост до 13 Гбит/с можно считать довольно серьёзным. Во многом такое изменение было спровоцировано Nvidia, которая запросила у своих потенциальных поставщиков памяти для ускорителей семейства Rubin увеличить пропускную способность HBM4 с 8 до 10 Гбит/с. Samsung и SK hynix решили поднять планку до 11 Гбит/с, Micron была вынуждена поступить аналогичным образом. Соответственно, из-за такого роста пропускной способности HBM4 производителям придётся пересмотреть и характеристики потенциально более быстрой HBM4E, что Samsung формально и сделала. Важно, что результирующая пропускная способность такой памяти впервые в истории превысит 3 Тбайт/с. Попутно Samsung рассказала о характеристиках LPDDR6, которая была стандартизована JEDEC в июле текущего года. Компания планирует улучшить энергетическую эффективность на 20 % по сравнению с LPDDR5X, а пропускную способность поднять до 114,1 Гбайт/с. В сфере контрактного производства Samsung намеревается освоить массовый выпуск 2-нм продукции до конца этого года. Клиентом Samsung на этом направлении стал южнокорейский разработчик ускорителей ИИ — компания Rebellions. Соответствующие 2-нм процессоры смогут достигать частот от 3,5 до 4,0 ГГц. Это несколько выше, чем у выпускаемых TSMC по 4-нм технологии процессоров Nvidia Grace с архитектурой Arm, которые работают на частоте 3,44 ГГц. Память HBM4 окажется дороже, чем ожидалось, но производители не останутся внакладе
18.10.2025 [08:02],
Алексей Разин
Ведущие производители уже готовы начать массовые поставки микросхем типа HBM4, чтобы в следующем году их клиенты смогли наладить выпуск ускорителей вычислений, наделённых памятью нового поколения. При этом некоторые источники высказывают опасения, что HBM4 окажется дороже, чем ожидалось ранее. 
Источник изображения: SK hynix Как отмечает ComputerBase со ссылкой на южнокорейские СМИ, по сравнению с HBM3E память типа HBM4 может быть дороже на величину до 60 %. В этой ситуации важно учитывать, что сама по себе HBM3E с начала этого года тоже успела подорожать на 20 %. По некоторым прогнозам, за стек HBM4 объёмом 36 Гбайт поставщики будут просить до $600. В пользу дороговизны такой памяти играют сразу несколько факторов. Это и сложность производства базовых кристаллов, которые могут адаптироваться под нужды конкретных заказчиков, а также возросшие затраты на компоновку кристаллов памяти в стеке с вертикальными межсоединениями. Наконец, объёмы производства HBM4 на первых порах будут ограничены, что само по себе вызовет рост цен. В любом случае, производители памяти не останутся в проигрыше при выпуске HBM4 даже в таких условиях. Как поясняют представители Micron, при производстве HBM3E потребляется в три раза больше кремниевых кристаллов, чем при выпуске обычной DDR5. В случае с HBM4 эта пропорция увеличится ещё сильнее, а к моменту выхода HBM4E превысит «4:1». Это само по себе ограничит объёмы выпуска памяти, сделает её дороже, причём тенденция коснётся и прочих видов памяти, а не только HBM. Опять же, если потребности в кремнии превышают DDR5 в четыре раза, то цена HBM4 будет выше в восемь раз, и это должно с запасом покрывать все издержки производителей памяти. Первыми ускорителями вычислений, оснащаемыми памятью типа HBM4, во второй половине следующего года должны стать Nvidia Rubin и AMD Instinct MI400. Micron наладит выпуск кастомизируемой HBM4E в 2027 году при участии TSMC
26.09.2025 [07:50],
Алексей Разин
Американская компания Micron Technology старается не отставать от конкурентов в сфере освоения производства новых типов памяти, и ещё в конце прошлого года заявила, что будет сотрудничать с TSMC при производстве HBM4E, в основе которой будет лежать кастомизируемый кристалл. Недавно руководство Micron пояснило, что выпуск такой памяти будет налажен не ранее 2027 года. 
Источник изображения: Micron Technology Как можно судить по стенограмме выступления представителей Micron Technology на минувшей квартальной отчётной конференции, компания очень гордится тем, что в основе HBM4, которая будет выпускаться в 2026 году, будет лежать базовый кристалл собственного производства, изготавливаемый по технологии КМОП (CMOS). По мнению генерального директора Санджея Мехротры (Sanjay Mehrotra), такое сочетание обеспечит HBM4 производства Micron передовым быстродействием. «HBM4E в масштабах всей отрасли не является продуктом 2026 года, это будет продукт 2027 года, мы поделимся подробностями о нём позже, и у нас будет как стандартный вариант HBM4E, так и кастомизируемый», — пояснил глава Micron на этой неделе. Ранее он отметил, что при производстве базового кристалла для HBM4E компания будет полагаться на технологические возможности TSMC. Кроме того, появление HBM4E в ассортименте продукции Micron позволит компании поднять норму прибыли, особенно в случае кастомизированной версии. В ходе своего выступления на квартальной конференции глава Micron пояснил, что TSMC будет выпускать для компании базовые кристаллы не только стандартной, но и кастомизированной версии HBM4E. В последнем случае подразумевается, что функциональность базового кристалла будет определяться конкретным заказчиком, для которого потом Micron и TSMC будут сообща изготавливать HBM4E. Создавать конкурентоспособный продукт данного поколения Micron поможет не только участие TSMC, но и использование собственного техпроцесса класса 1β для выпуска кристаллов DRAM, а также усовершенствованные технологии упаковки памяти. Micron похвалилась, что её HBM4 — самая быстрая память на рынке
24.09.2025 [11:00],
Алексей Разин
Квартальная отчётная конференция Micron Technology оказалась богата на заявления представителей компании, которые позволяли оценить текущие тенденции в развитии сегмента искусственного интеллекта. Этот производитель, например, убеждён, что сможет предлагать самую быструю память типа HBM4 на рынке. 
Источник изображения: Micron Technology Сумит Садана (Sumit Sadana), исполнительный вице-президент и директор по развитию бизнеса Micron Technology, в ходе своего выступления отметил, что по занимаемой доле рынка в сегменте HBM компания по итогам третьего календарного квартала выйдет примерно на уровень своей доли на рынке DRAM в целом, а по итогам следующего календарного года увеличит свою долю в сегменте HBM по сравнению с текущим годом. Во многом такая уверенность, как он пояснил далее, основана на способности Micron Technology предложить клиентам самую быструю память типа HBM4 на рынке. Вот что заявил представитель компании: «Мы верим, что наша HBM4 обеспечивает самое высокое быстродействие на рынке по сравнению с любым из конкурирующих продуктов. Мы уверены, что сможем полностью распродать всю производственную программу на 2026 год». По данным компании, она снабжает своих клиентов образцами HBM4 со скоростью передачи информации 11 Гбит/с. Поскольку в последние месяцы много говорится о принятом крупными производителями DRAM свернуть производство микросхем DDR4, Сумиту Садане не удалось избежать обсуждения этой темы при общении с аналитиками. Он пояснил, что без учёта LPDDR4, сама по себе DDR4 отвечает лишь за несколько процентов всего бизнеса компании. По сути, это указывает на взятый Micron курс на поэтапное прекращение выпуска DDR4. Глава Micron Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra) пояснил, что HBM4 в исполнении этой компании будет оснащаться базовым кристаллом собственной разработки, она станет основным продуктом в этом сегменте рынка, производство которого будет наращиваться в 2026 году. Зато в 2027 году будет налажен выпуск HBM4E, которая будет предлагаться как в стандартизированной, так и в кастомизированной под запросы клиентов форме. В целом, Micron поставляет свою память HBM различных поколений шести крупным клиентам. Nvidia испугалась ускорителей AMD и просит поставщиков сделать для неё HBM4 побыстрее
18.09.2025 [14:58],
Алексей Разин
В следующем году Nvidia рассчитывает вывести на рынок ускорители вычислений семейства Rubin с поддержкой передовой памяти HBM4, но поскольку на горизонте замаячила конкурентная угроза в виде AMD Instinct MI450, она уже сейчас пытается обеспечить себе преимущество в быстродействии. Nvidia попросила поставщиков HBM4 подтянуть спецификации предназначающихся ей микросхем, увеличив скорость передачи информации до 10 Гбит/с. 
Источник изображения: SK hynix Как отмечает TrendForce, пока нет уверенности в том, что производители HBM4 смогут исполнить пожелания Nvidia, но SK hynix наверняка сохранит за собой статус крупнейшего поставщика памяти для ускорителей указанной американской марки в самом начале перехода на HBM4. Нюанс заключается в том, как поясняет источник, что Samsung Electronics изначально рассчитывала выпускать базовый кристалл HBM4 по 4-нм техпроцессу с использованием FinFET, а также предложить скорости передачи информации до 10 Гбит/с. Всё это позволит Samsung предпринять попытку выйти в лидеры по поставкам HBM4 для нужд Nvidia в среднесрочной перспективе. Скорость экспансии ускорителей Nvidia Rubin, по мнению TrendForce, будет зависеть от доступности памяти HBM4 с необходимыми характеристиками в достаточных количествах. Если чипов HBM4 со скоростью передачи информации 10 Гбит/с окажется мало, Nvidia либо откажется от идеи поднять характеристики памяти Rubin, либо будет более тонко сегментировать свою продукцию и в каждой нише сотрудничать с оптимальным поставщиком памяти. Кроме того, Nvidia может провести сертификацию HBM4 в два этапа, предоставив тем самым «отстающим» поставщикам больше времени на подготовку. В следующем году, как считают эксперты TrendForce, крупнейшим поставщиком HBM4 для Nvidia останется SK hynix, а вот успех Samsung и Micron в этой сфере будет во многом зависеть от скорости прохождения сертификации и улучшения характеристик продукции. SK hynix первой завершила разработку HBM4 и готова начинать её выпуск — Samsung и Micron снова отстали
12.09.2025 [17:10],
Павел Котов
Южнокорейский производитель компонентов памяти SK hynix объявил, что завершил разработку чипов стандарта HBM4 и подготовил их к запуску в массовое производство. Компания опередила конкурентов и обеспечила своим акциям резкий рост. 
Источник изображений: skhynix.com HBM (High Bandwidth Memory) — тип памяти, который используется в ускорителях искусственного интеллекта, в том числе в продукции Nvidia, лидера рынка. SK hynix раньше своих основных конкурентов в лице Samsung и Micron направила основным клиентам образцы чипов HBM нового поколения; теперь же она завершила их внутреннюю валидацию и процессы контроля качества, что означает готовность к серийному производству. Это достижение глава отдела разработки HBM в SK hynix Чжу Хан Чо (Joohwan Cho) назвал «новым этапом для отрасли». HBM4 представляет собой шестое поколение технологии HBM — разновидности динамической памяти с произвольным доступом (DRAM). По сравнению с памятью предыдущего поколения новая HBM4 предлагает удвоенную пропускную способность за счёт выросшего вдвое до 2048 количества терминалов ввода-вывода, а также рост энергоэффективности более чем на 40 %. Развёртывание оборудования на базе HBM4 позволит повысить производительность ускорителей искусственного интеллекта на величину до 69 %, подсчитали в SK hynix — память нового поколения устранит узкие места в области передачи информации и поможет значительно снизить затраты на электроэнергию для центров обработки данных. Утверждённый JEDEC3 стандарт предусматривает для HBM4 стандартную рабочую скорость 8 Гбит/с, но в реализации SK hynix этот показатель удалось увеличить до 10 Гбит/с. При производстве будут использоваться зарекомендовавший себя технологический процесс MR-MUF4, а также техпроцесс 1bnm — пятое поколение технологии 10 нм, чтобы свести к минимуму риски при массовом производстве.  Как ожидается, память HBM будет использоваться в ИИ-ускорителях нового поколения Nvidia Rubin, которые начнут работать в ЦОД почти по всему миру. Samsung и Micron становится всё труднее угнаться за SK hynix, которая является основным поставщиком для Nvidia и располагает ресурсами, чтобы укреплять своё лидерство в сегменте HBM. Micron, тем не менее, уже отправила свои чипы HBM4 на квалификацию Nvidia; Samsung пока продолжает разработку. После анонса акции SK hynix выросли на более чем 7 % и достигли максимальной цены с 2000 года; с начала текущего года они подорожали на 90 %. Акции Samsung и Micron с начала года демонстрируют рост более чем на 40 % и почти на 80 % соответственно. По итогам последнего квартала на сегменте HBM пришлись 77 % общей выручки SK hynix. С начала года рыночная капитализация корейского производителя увеличилась более чем на $80 млрд. По итогам 2025 года компания намеревается удвоить продажи в сравнении с 2024 годом; в 2026 году, по её прогнозам, спрос на продукцию для систем ИИ продолжит расти. Samsung расширяет производственные мощности в надежде на будущие заказы на HBM4
12.09.2025 [11:52],
Алексей Разин
Известно, что лидером рынка HBM остаётся формально более мелкая компания SK hynix, которая на этой неделе объявила о завершении разработки HBM4, но Samsung Electronics всё ещё тешит себя надеждами наверстать упущенное на этапе производства HBM4. Для этого она уже сейчас приступила к строительству нового предприятия в Южной Корее, которое в случае необходимости позволит ей быстро нарастить объёмы выпуска HBM4.  Как отмечает Business Korea, в конце прошлой недели на площадке P5 производственного кластера в Пхёнтхэке была замечена повышенная активность строительных рабочих. Они перемещали стальные конструкции и проходили инструктаж по промышленной безопасности, что может говорить о подготовке к началу полномасштабного строительства нового производственного корпуса. Изначально он должен был появиться здесь ещё в прошлом году, но Samsung притормозила строительство, сославшись на неблагоприятные условия на рынке полупроводниковой продукции. Ожидается, что фундамент корпуса P5 будет заложен в следующем месяце. Давно известно, что Samsung пытается пройти сертификацию Nvidia со своей HBM3E, но до сих пор смогла добиться только разрешения на поставки такой памяти для ускорителей ограниченного ассортимента, предназначающихся для китайского рынка. Новая попытка получить сертификат соответствия на HBM3E компания Samsung должна предпринять в этом месяце. Кроме того, пусть и с отставанием от SK hynix примерно на три месяца, Samsung надеется наладить поставки HBM4 для своих клиентов, среди которых жаждет увидеть Nvidia. Последняя намеревается завершить сертификационные тесты HBM4 к концу первого квартала следующего года, чтобы во второй половине того же года представить ускорители вычислений Rubin, использующие память данного типа. SK hynix наверняка окажется первым поставщиком HBM4 для нужд Nvidia, но Samsung надеется получить сертификат соответствия следующей и быстро наладить поставки HBM4 в требуемых количествах. Выпуск памяти нового поколения Samsung рассчитывает запустить до конца этого года. С этой точки зрения возведение нового предприятия в Южной Корее является манёвром на упреждение. Samsung рассчитывает, что сможет загрузить его мощности заказами на выпуск HBM4. Кроме того, одна из пустующих линий на соседнем P4 будет переоборудована под выпуск кристаллов DRAM для стеков HBM4 по передовому техпроцессу 10-нм класса. Скоро Samsung приступит к поставкам образцов HBM4 своим клиентам, чтобы те смогли оценить качество такой памяти. К первому кварталу следующего года расширение производственного кластера Samsung в Пхёнтхэке как раз должно завершиться. Заявление SK hynix о завершении разработки HBM4 вызвало рост курса акций компании до рекордных высот
12.09.2025 [06:03],
Алексей Разин
Южнокорейская SK hynix остаётся крупнейшим поставщиком чипов класса HBM для ускорителей вычислений Nvidia, а последняя контролирует значительную часть рынка компонентов для ИИ. По этой причине заявление SK hynix о завершении разработки HBM4 вызвало рост курса акций компании на 7,3 % до исторических максимумов. 
Источник изображения: SK hynix Теперь капитализация SK hynix достигает $170 млрд, как поясняет Bloomberg, на протяжении восьми предыдущих торговых сессий её акции продолжали рост. Рабочую неделю SK hynix подытожила заявлением о завершении разработки HBM4 и готовности к началу массового производства, сроки которого предпочла не уточнять. Поставки образцов 12-ярусных стеков HBM4 своим клиентам компания уже начала ранее, в марте пообещав наладить массовый выпуск данного типа памяти до конца текущего года. HBM4 может предложить интерфейс с удвоенной до 2048 бит шиной по сравнению с предшественницей, а также улучшенную на 40 % по сравнению с HBM3E энергетическую эффективность. Быстродействие подсистемы памяти в инфраструктуре ИИ после перехода на HBM4 компания надеется увеличить на 69 %. Спецификации JEDEC на уровне 8 Гбит/с память HBM4 производства SK hynix превзошла с запасом, достигнув показателя в 10 Гбит/с. При производстве HBM4 компания будет использовать технологию MR-MUF с заполнением пространства между кристаллами памяти в стеке жидким компаундом, которая обеспечивает более эффективный отвод тепла по сравнению с традиционными методами, подразумевающими использование плёночных материалов. Кроме того, при изготовлении кристаллов памяти SK hynix будет применять 10-нм технологию пятого поколения, именуемую «1β нм». Акции компании в прошлом году выросли в цене почти на 90 %, поскольку она неплохо зарабатывает на буме ИИ, поставляя свою память для ускорителей вычислений Nvidia, которые очень востребованы на рынке. Готовность к серийному выпуску HBM4 повышает доверие инвесторов к этому производителю памяти. Samsung готова сбить цены, чтобы перехватить у SK hynix заказы Nvidia на память HBM
21.08.2025 [12:41],
Алексей Разин
Проблемы Samsung с сертификацией своей памяти HBM3E под нужды Nvidia давно известны, но компания не оставляет попыток получить заказы этого клиента даже на фоне скорого начала выпуска HBM4. Предполагается, что Samsung попытается привлечь Nvidia за счёт скидок, достигающих 30 % по сравнению с предложениями SK hynix. 
Источник изображения: Samsung Electronics Во-первых, как отмечает Sedaily, ещё в прошлом месяце Samsung удалось пройти квалификационные тесты Nvidia для ранних прототипов памяти HBM4, и в конце текущего месяца начнётся выпуск их предсерийных версий. Если и они удовлетворят требованиям Nvidia, то к производству серийных чипов HBM4 компания Samsung рассчитывает приступить уже в ноябре, сократив своё технологическое отставание от SK hynix. Американская Micron ещё в июне сообщила о начале поставок образцов HBM4 своим клиентам. Во-вторых, к концу месяца Samsung может получить долгожданное одобрение на поставку HBM3E для нужд Nvidia, и это событие также способно повлиять на взаимоотношения заказчика с SK hynix. По крайней мере, свои чипы HBM3E компания Samsung готова предлагать по цене на 20–30 % ниже, чем у SK hynix. В этой ситуации Nvidia намерена дождаться результатов сертификационных испытаний микросхем HBM3E и HBM4 производства Samsung, прежде чем заключать контракт с SK hynix на определённых ценовых условиях. Аналитики TrendForce предполагают, что маркетинговая политика Samsung в этом смысле приведёт к снижению цен на память класса HBM в следующем году. Ходят слухи, что Nvidia участвует в разработке собственных базовых кристаллов для HBM4, которые будут адаптированы под нужды крупнейших покупателей ускорителей вычислений. Вероятно, образцы базовых кристаллов для Nvidia кто-то из её подрядчиков начнёт выпускать по 3-нм технологии во второй половине 2027 года. После успеха с Tesla компания Samsung намерена привлечь других крупных заказчиков
31.07.2025 [11:05],
Алексей Разин
Попытки Samsung Electronics сохранить в секрете имя крупного заказчика, сделка с которым позволит выручить $16,5 млрд, разбилась об импульсивность Илона Маска (Elon Musk), который заявил, что корейский подрядчик будет выпускать чипы AI6 для Tesla. Представители Samsung на этой неделе добавили, что надеются привлечь и других крупных клиентов к своему контрактному бизнесу по выпуску чипов. 
Источник изображения: Samsung Electronics Как отмечает Reuters, вице-президент Samsung Electronics Но Ми Чжун (Noh Mi-jung) после оглашения квартальной отчётности лишь отметила, что упоминаемая выше сделка с безымянным заказчиком должна позволить компании привлечь дополнительных клиентов. Она также добавила, что новое предприятие Samsung в Техасе начнёт выпускать продукцию в следующем году. Напомним, контракт с Tesla подразумевает поставки чипов AI6 с этого предприятия до 2033 года включительно. При производстве чипов AI6 будет использоваться 2-нм техпроцесс, однако нельзя однозначно утверждать, что именно этот вид продукции предприятие в Тейлоре начнёт выдавать уже в следующем году. Ситуация с поставками HBM3E для нужд Nvidia комментариев со стороны руководства Samsung после публикации квартальной отчётности не удостоилась, но вице-президент компании хотя бы отметила, что объёмы поставок HBM3E растут быстрее, чем спрос, а потому это формирует условия для предстоящего снижения цен. Samsung уже начала предоставлять своим клиентам образцы памяти HBM следующего поколения, в котором угадывается HBM4, но массовые поставки будут развёрнуты только в следующем году. Ситуация в полупроводниковой отрасли во втором полугодии в целом улучшится, как ожидает Samsung, хотя бы в силу достижения властями США и Южной Кореи о сохранении таможенных пошлин на уровне 15 % вместо обещанных ранее 25 %. При этом на рынке смартфонов будет наблюдаться некоторое охлаждение, поскольку многие покупатели просто спешили закупиться в первом полугодии до вступления в силу повышенных тарифов в США. На рынке телевизионной техники геополитические факторы также сулят снижение спроса во втором полугодии. HBM скоро утратит статус «золотой жилы»: передовой памяти спрогнозировали падение цен
18.07.2025 [11:21],
Алексей Разин
Первые попытки найти применение памяти HBM в сегменте игровых видеокарт быстро уступили активному её использованию в ускорителях вычислений, и на фоне бума искусственного интеллекта цены на эту память только росли. Теперь же аналитики Goldman Sachs высказывают опасение, что в следующем году цены на HBM снизятся более чем на 10 процентов. 
Источник изображения: SK hynix Именно в следующем году, по мнению аналитиков, предложение на рынке HBM в мировых масштабах наконец-то начнёт превышать спрос. Это будет способствовать тому, что средние цены реализации памяти данного семейства начнут снижаться. В ближайшее время рынок HBM снизит темпы роста с прежних 45 % в год до 25 %. В частности, по итогам текущего года его ёмкость ограничится $36 млрд, а в следующем вырастет только до $45 млрд вместо заложенных в прежний прогноз $51 млрд. По мнению аналитиков TrendForce, в следующем году средние цены реализации HBM всё же вырастут, поскольку на рынок выйдет более современная и дорогая HBM4. Снижение цен если и будет наблюдаться, то только в сегменте более дешёвых типов памяти. Специалисты Goldman Sachs добавляют, что два последовательных поколения ускорителей вычислений Nvidia будут использовать идентичный объём памяти, по 288 Гбайт HBM3E в случае с B300 и HBM4 в случае с Rubin соответственно. По этой причине общая потребность в микросхемах памяти подобного типа не будет заметно увеличиваться. Не исключено, что доля SK hynix на рынке HBM в следующем году начнёт сокращаться, поскольку по мере насыщения сегмента на него выйдут и конкурирующие компании, включая китайские. Последние уже к концу следующего года начнут выпускать HBM3. По крайней мере, позиции SK hynix на внутреннем рынке КНР из-за этого пошатнутся. Samsung со следующего года также сможет ежегодно увеличивать поставки HBM на 20 %. |
© 1997—2025 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
