|
Опрос
|
реклама
Быстрый переход
SK hynix и TSMC будут сотрудничать в рамках производства HBM4
19.04.2024 [08:25],
Алексей Разин
В конце этой рабочей недели южнокорейская компания SK hynix сообщила о подписании меморандума о взаимопонимании с тайваньской компанией TSMC в сфере сотрудничества в рамках производства памяти HBM следующего поколения, коей является HBM4. Корейская компания освоит её массовое производство в 2026 году, и это позволит ей сохранить лидерские позиции на этом рынке.
Источник изображения: SK hynix По данным TrendForce, в этом году SK hynix сможет сохранить за собой 52,5 % рынка микросхем типа HBM, ещё 42,4 % достанутся Samsung Electronics, а Micron Technology будет довольствоваться оставшимися 5,1 %. В настоящее время SK hynix является крупнейшим поставщиком микросхем HBM3 для нужд Nvidia и собирается в ближайшие месяцы начать поставки более совершенной памяти типа HBM3E. Следующим этапом станет выпуск HBM4, который начнётся ориентировочно в 2026 году, и сейчас SK hynix пытается заручиться поддержкой TSMC в этом вопросе. Дело в том, что TSMC остаётся единственной компанией, способной упаковывать память HBM и ускорители вычислений Nvidia по методу CoWoS, а потому SK hynix в эволюции своей памяти зависит от тайваньского партнёра. Из выделенных на текущий год капитальных затрат в диапазоне от $28 до $32 млрд компания TSMC намеревается до десяти процентов потратить на расширение мощностей по упаковке чипов и памяти. Именно их нехватка считается одной из причин дефицита ускорителей вычислений Nvidia для систем искусственного интеллекта. В прошлом году на долю HBM приходилось не более 8,4 % выручки в сегменте DRAM, но по итогам текущего эта доля вырастет до 20,1 %. TSMC и SK hynix объединились для совместного производства памяти HBM4
10.02.2024 [12:58],
Павел Котов
Стандарт HBM4, как ожидается, благодаря 2048-битному интерфейсу значительно увеличит пропускную способность памяти, что благотворно скажется на работе ИИ-ускорителей и компонентов высокопроизводительных вычислений (HPC). Но эта технология потребует многочисленных изменений в механизмах интеграции памяти, а значит, и более тесного сотрудничества между производителями памяти и производителями логики. Поэтому TSMC и SK hynix сформировали альянс для совместного производства HBM4.
Источник изображения: skhynix.com Новая организация получила название AI Semiconductor Alliance — инициатива поможет TSMC и SK hynix объединить свои сильные стороны и согласовать действия по принципу «стратегии единой команды», пишет Maeil Business News Korea. TSMC возьмёт на себя проработку «некоторых процессов HBM4» — вероятно, имеется в виду выпуск кристаллов с использованием одной из своих передовых технологий, которых нет в арсенале SK hynix. По неподтвержденной информации, речь идёт о нормах 12 нм; ранее также стало известно, что SK hynix и NVIDIA работают над технологией, которая позволит размещать память HBM прямо на графических процессорах без подложки. TSMC одновременно является членом сообщества 3DFabric Memory Alliance вместе со всеми тремя производителями HBM: Micron, Samsung и SK hynix. С последней тайваньский подрядчик также сотрудничает в области разработки упаковки CoWoS для HBM3 и HBM4, совместной оптимизации технологий проектирования (DTCO) HBM и даже чиплетного интерфейса UCIe для HBM. Тесное сотрудничество TSMC и SK hynix позволит гарантировать, что память HBM3E и HBM4 от SK hynix будет работать с чипами производства TSMC. Это важно, поскольку SK hynix лидирует на рынке HBM, а TSMC — крупнейший в мире полупроводниковый подрядчик. Корейское издание обмолвилось, что альянс также направлен на создание «единого фронта против Samsung Electronics» — это конкурент одновременно и для TSMC, и для SK hynix, но, возможно, не стоит излишне доверять таким заявлениям. И правда, трудно представить, чтобы TSMC намеренно ограничила совместимость своей упаковки только продукцией SK hynix — вероятно, в действительности тайваньский подрядчик будет просто плотнее сотрудничать с SK hynix, чем с Samsung. SK hynix запустит массовое производство памяти HBM4 в 2026 году
02.02.2024 [23:18],
Николай Хижняк
Южнокорейская компания SK hynix объявила, что приступит к массовому производству оперативной памяти с высокой пропускной способностью следующего поколения — HBM4 — к 2026 году. Ранее компания сообщила, что начнёт разработку HBM4 уже в этом году.
Источник изображения: Wccftech До этого момента о планах по разработке и внедрению памяти HBM4 высказывались только компании Micron и Samsung. Оба производителя планируют выпустить новое поколение памяти где-то в 2025–2026 годах. Теперь и SK hynix более точно определилась с планом по своему будущему продукту. Со стремительным развитием ИИ-технологий на рынке возрастает спрос на более высокопроизводительные решения, необходимые для решения этих задач. Память типа HBM сыграла значительную роль в развитии этой сферы и является важным компонентом в производстве передовых специализированных ускорителей ИИ-вычислений. И на данный момент SK hynix является главным поставщиком самой скоростной HBM — памяти HBM3E — для ИИ-ускорителей. На мероприятии SEMICON Korea 2024 вице-президент SK hynix Ким Чун Хван (Kim Chun-hwan) сообщил о намерении компании начать массовое производство памяти HBM4 к 2026 году. Он добавил, что новое поколение памяти будет способствовать стремительному росту рынка устройств для искусственного интеллекта. В то же время он отметил, что индустрия производства памяти HBM сталкивается с огромным спросом. Поэтому компании очень важно создать решения, которые позволили бы обеспечить бесперебойную поставку такого типа памяти. По мнению топ-менеджера SK hynix, к 2025 году рынок памяти HBM вырастет до 40 %, поэтому компании необходимо заранее подготовился к тому, чтобы извлечь из этого максимальную выгоду. Согласно недавно опубликованной аналитиками TrendForce сборной диаграммы с планами по выпуску продуктов различных производителей, организация JEDEC планирует принять окончательные характеристики памяти HBM4 во второй половине 2024 или начале 2025 года. Пока известно, что новая память будет выпускаться в стеках объёмом до 36 Гбайт, а первые образцы ожидаются в 2026 году. На данный момент неизвестно, какие именно ИИ-ускорители будут использовать новый тип памяти. Предполагается, что одними из первых таких продуктов могут стать решения NVIDIA, которые компания выпустит после специализированных ИИ-ускорителей Blackwell, поскольку последние будут использовать память HBM3E. |