Принято считать, что для производства микросхем памяти в целом используются менее дорогостоящие литографические технологии, но современная память становится более сложной по своей компоновке, а потому при её выпуске востребована продвинутая литография. SK hynix намерена привлечь TSMC к производству стеков HBM4 с использованием 3-нм техпроцесса со второй половины 2025 года.

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Топ-10 смартфонов до 10 тысяч рублей (2026 год)

Компьютер месяца, спецвыпуск: во что дефицит чипов памяти превратил бюджетные игровые ПК и при чем здесь Steam Machine

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Источник изображения: SK hynix

Об этом сообщает издание The Korea Economic Daily со ссылкой на осведомлённые источники. Передовой техпроцесс потребуется для производства базового кристалла для кастомных HBM4, которые будут выпускаться специально для Nvidia. В базовом кристалле располагается логика и на его основе формируется вертикальный стек. Первоначально SK hynix рассчитывала выпускать этот кристалл по 5-нм технологии, но в ходе переговоров с TSMC и крупными клиентами обеих компаний было принято решение об использовании более продвинутого 3-нм техпроцесса для этих целей. Память типа HBM4 корейский поставщик надеется начать отгружать для нужд Nvidia во второй половине 2025 года.

Как ожидается, прототип микросхемы HBM4 на базе 3-нм основания будет продемонстрирован SK hynix в марте следующего года. Получаемые сейчас Nvidia от TSMC графические процессоры выпускаются по 4-нм технологии. По некоторым оценкам, перевод базового чипа HBM4 на 3-нм технологию производства позволит поднять быстродействие памяти на 20–30 % относительно 5-нм варианта. SK hynix контролирует примерно половину мирового рынка HBM, основную часть своей продукции данного типа она поставляет для нужд Nvidia. Конкурирующая Samsung не может сертифицировать свою HBM3E для использования в продукции Nvidia, а ещё она собирается использовать при производстве HBM4 лишь 4-нм базовые кристаллы. Память типа HBM4 уже относится к шестому поколению данных микросхем.

В свою очередь, базовые кристаллы для стандартных стеков HBM4 и HBM4E, которые будут получать все прочие клиенты SK hynix кроме Nvidia, будут выпускаться по 12-нм техпроцессу, также силами TSMC. Базовые кристаллы для HBM3E корейская компания выпускает самостоятельно, но в свете перехода к HBM4 решила углубить сотрудничество с TSMC в данной сфере. Утверждается, что по просьбе Nvidia компания SK hynix ускорила разработку и процесс подготовки к массовому производству микросхем HBM4. Ранее она собиралась наладить выпуск HBM4 в начале 2026 года, а теперь готова сделать это примерно на полгода раньше. Тем временем, памятью типа HBM4 интересуется и компания Tesla, она пока выбирает между продукцией SK hynix и Samsung Electronics.

Попытки Samsung Electronics отвоевать у SK hynix приличную часть рынка микросхем памяти типа HBM пока не увенчались успехом, но первая из компаний делает ставку на адаптацию микросхем HBM4 под нужды конкретных заказчиков, которую начнёт осуществлять со следующего года, если верить южнокорейским СМИ.

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Топ-10 смартфонов до 10 тысяч рублей (2026 год)

Компьютер месяца, спецвыпуск: во что дефицит чипов памяти превратил бюджетные игровые ПК и при чем здесь Steam Machine

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Источник изображения: Samsung Members

Источники сообщают, что разработка полузаказных вариантов HBM4 для крупных клиентов Samsung уже началась, а к их массовому производству компания приступит до конца 2025 года. Первыми клиентами Samsung на данном направлении могут стать Microsoft и Meta✴✴ Platforms, которые занимаются разработкой собственных ускорителей вычислений, а потому нуждаются в более эффективной памяти. Базовая HBM4, как ожидается, увеличит скорость передачи информации относительно HBM3E на 66 % до 2 Тбайт/с, а предельная ёмкость увеличится на треть до 48 Гбайт на стек.

Samsung может оснастить свои микросхемы HBM4 не только собственными нейронными сопроцессорами для ускорения операций, связанных с работой систем искусственного интеллекта, но и дополнительными вычислительными блоками, адаптированными под потребность конкретных заказчиков. Данная особенность памяти поколения HBM4 и станет главным полем сражения конкурирующих производителей. Обычную HBM4 универсального типа Samsung тоже надеется начать выпускать до конца следующего года. Партнёром компании в этой сфере довольно неожиданно станет один из конкурентов — тайваньская TSMC, которая оказывает услуги по упаковке чипов с передовыми вариантами компоновки.

SK hynix ускорит выпуск нового поколения чипов памяти HBM для задач, связанных с работой ИИ, после того, как глава компании Nvidia Дженсен Хуанг (Jensen Huang) спросил южнокорейского поставщика микросхем о возможности начать поставки образцов новой памяти на шесть месяцев раньше изначально запланированного срока. Решение свидетельствует о сохраняющемся мировом спросе на передовые полупроводники, пишет Bloomberg.

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Топ-10 смартфонов до 10 тысяч рублей (2026 год)

Компьютер месяца, спецвыпуск: во что дефицит чипов памяти превратил бюджетные игровые ПК и при чем здесь Steam Machine

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Источник изображения: TechPowerUp

Хуанг поднял вопрос о будущей высокопроизводительной памяти HBM4 в ходе встречи с председателем SK Group Чеем Тэ Воном (Chey Tae-won), о чём сам южнокорейский бизнесмен сообщил в кулуарах саммита SK AI по вопросам технологий ИИ в понедельник, пишет издание. Чей считает, что Хуанг преуспел в качестве лидера отчасти благодаря своему акценту на скорости внедрения новых решений на рынок.

Ранее SK hynix сообщила, что придерживается графика и планирует начать поставки памяти HBM4 своим клиентам во второй половине 2025 года. Эти планы она в очередной раз подтвердила в рамках финансового отчёта в октябре. Южнокорейская компания является ключевым поставщиком микросхем памяти HBM, которые используются в составе специальных ИИ-ускорителей Nvidia.

Как пишет Bloomberg, судьба поставок памяти HBM4 в 2025 году зависит от того, сможет ли южнокорейский производитель чипов вовремя завершить сложный процесс квалификации микросхем со стороны Nvidia. Однако по словам топ-менеджера SK Group, «обе стороны находятся на одной волне» по вопросу графика выпуска HBM4. Как сообщается, в то же время сама Nvidia пока не может удовлетворить спрос на достаточное количество ИИ-чипов. По словам Чея, обе компании работают над тем, чтобы решить проблему сохраняющегося дефицита поставок.

SK hynix в понедельник также раскрыла некоторые дополнительные подробности о дорожной карте своих будущих продуктов. Производитель микросхем планирует выпустить 16-слойные чипы памяти HBM3E в начале 2025 года, а также выпустить микросхемы HBM5 и HBM5E в 2028–2030 годах. В прошлом месяце компания отчиталась о рекордном квартальной выручке и сообщила о планах начать поставки своих самых передовых на данный момент 12-слойных чипов памяти HBM3E в четвёртом квартале этого года.

Компания Samsung Electronics, которая изо всех сил пытается догнать SK hynix в сегменте производства ИИ-чипов, заявила, что планирует массовое производство микросхем памяти HBM4 во второй половине следующего года. Samsung рассчитывает, что её продукты HBM4 помогут конкурировать с SK hynix в поставках для Nvidia.

Samsung Electronics располагает собственными мощностями по выпуску логических элементов памяти HBM, но в рамках производства HBM4 она решила объединить усилия с TSMC, являющейся крупнейшим контрактным производителем полупроводниковых компонентов. Так Samsung рассчитывает увеличить охват рынка при реализации HBM4.

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Компьютер месяца, спецвыпуск: во что дефицит чипов памяти превратил бюджетные игровые ПК и при чем здесь Steam Machine

Топ-10 смартфонов до 10 тысяч рублей (2026 год)

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Источник изображения: Samsung Electronics

Многие игроки отрасли настаивают, что на рынке HBM в дальнейшем усилится тенденция к адаптации микросхем памяти данного типа к потребностям конкретных клиентов. Осознавая это, Samsung собирается скооперироваться с TSMC в части выпуска логических компонентов для микросхем HBM4, а также расширения возможностей по интеграции памяти с компонентами сторонних заказчиков, которые пользуются услугами TSMC. В контрактном сегменте TSMC и Samsung являются прямыми конкурентами, но это не помешало южнокорейскому гиганту согласиться на сотрудничество.

В начале месяца, как отмечает Business Korea, представители Samsung объявили о подготовке более 20 микросхем HBM, адаптированных к потребностям конкретных заказчиков. А вчера представители TSMC на отраслевой конференции на Тайване признались, что компания ведёт разработку безбуферной памяти HBM4 в сотрудничестве с Samsung. Буфер у микросхем HBM традиционно отвечает за более стабильное электропитание, но отказ от него позволяет улучшить энергетическую эффективность на 40 % и снизить задержки при передаче информации на 10 %. Samsung намеревается перейти на безбуферную компоновку при выпуске HBM4 с конца 2025 года. При этом компания будет часть микросхем HBM4 производить самостоятельно, но одновременно сотрудничать в данной сфере с TSMC.