Эксперимент с модернизированной микроволновкой помог приблизить TSMC к освоению 2-нм производства чипов

Исследователи из Корнеллского инженерного колледжа смогли на основе обычной, слегка модернизированной микроволновой печи показать возможность создания полупроводниковых материалов для выпуска нового поколения чипов. Эксперимент проводился на обычной бытовой микроволновке по заказу компании TSMC. В дальнейшем этот тайваньский чипмейкер может внедрить предложенный техпроцесс при производстве 2-нм чипов.

Источник изображения: Ryan Young/Cornell University

Для подготовки полупроводниковых материалов к производству по мере снижения масштаба технологических норм необходимо всё более сильное легирование кристаллического кремния. Но кремний не резиновый, и по мере насыщения сторонними добавками кристаллическая структура искажается до риска разрушения. При этом процесс легирования сопровождается отжигом — нагревом смесей до очень высоких температур, чтобы добавленное вещество, в частности фосфор, равномерно распределилось по кремнию.

С определённого момента в кремний нельзя привычным образом вместить ещё больше фосфора, что требуется для повышения электронной проводимости для более мелких масштабов. Обычное нагревание не позволяет создавать однородные смеси и говорить о стабильности таких полупроводников нельзя.

«Нам нужны концентрации фосфора, превышающие его равновесную растворимость в кремнии. Это противоречит природе, — сказал один из авторов исследования. — Кристалл кремния расширяется, вызывая огромную деформацию и делая его потенциально бесполезным для электроники».

В своё время специалисты TSMC предположили, что для активации избыточных легирующих элементов можно использовать микроволны, но, как и в бытовых микроволновых печах, которые иногда неравномерно нагревают пищу, предыдущие микроволновые печи для отжига создавали «стоячие волны», что мешало последовательной активации легирующих элементов. Поэтому TSMC в сотрудничестве с учёными Корнеллского инженерного колледжа модифицировали микроволновую печь, чтобы выборочно контролировать место возникновения стоячих волн. Такая точность позволяет правильно активировать легирующие элементы без чрезмерного нагрева или повреждения кремниевого кристалла.

Сделанное открытие может быть использовано для производства полупроводниковых материалов и электроники примерно к 2025 году, утверждают разработчики, которые также оформили два патента на изобретение.

«В настоящее время несколько производителей выпускают полупроводниковые материалы размером 3 нанометра, — заявляют авторы. — Этот новый микроволновый подход потенциально может позволить ведущим производителям, таким как TSMC и Samsung, снизить масштаб производства до 2 нанометров».