Новости Hardware → нанотехнологии
Главная новость

У Samsung каждый нанометр на счету: после 7 нм пойдут 6-, 5-, 4- и 3-нм техпроцессы

У Samsung каждый нанометр на счету: после 7 нм пойдут 6-, 5-, 4- и 3-нм техпроцессы

Сегодня компания Samsung Electronics сообщила о планах по развитию техпроцессов для выпуска полупроводников. Главным текущим достижением компания считает создание цифровых проектов опытных 3-нм чипов на основе патентованных транзисторов MBCFET. Это транзисторы с множеством горизонтальных наностраничных каналов в вертикальных FET-затворах (Multi-Bridge-Channel FET).

В составе альянса с IBM компания Samsung разрабатывала несколько иную технологию производства транзисторов с каналами полностью окружёнными затворами (GAA или Gate-All-Around). Каналы предполагалось делать тонкими в виде нанопроводов. Впоследствии Samsung отошла от этой схемы и запатентовала структуру транзисторов с каналами в виде наностраниц. Такая структура позволяет управлять характеристиками транзисторов за счёт манипуляции как числом страниц (каналов), так и регулируя ширину страниц. Для классической технологии FET подобный манёвр невозможен. Чтобы увеличить мощность FinFET-транзистора необходимо умножать число FET-рёбер на подложке, а это расход площади. Характеристики транзистора MBCFET можно менять в рамках одного физического затвора, для чего нужно задать ширину каналов и их количество.

Быстрый переход

DARPA финансирует шесть проектов по созданию интерфейса человек-компьютер

Управление перспективных исследовательских проектов Министерства обороны США (англ. Defense Advanced Research Projects Agency — DARPA) профинансирует шесть организаций в рамках программы Next-Generation Nonsurgical Neurotechnology (сокращённо «N3» и в переводе «Следующее поколение нехирургической нейротехнологии»), впервые объявленной в марте 2018 года. В программе будут участвовать Мемориальный институт Баттелла, Университет Карнеги — Меллона, Лаборатория прикладной физики Университета Джона Хопкинса, Исследовательский центр Пало-Альто (PARC), Университет Райса и компания Teledyne Scientific, которые имеют собственные команды учёных и исследователей в области разработки двунаправленных нейрокомпьютерных интерфейсов. DARPA рассчитывает, что эти технологии в будущем позволят квалифицированным военным напрямую управлять активными системами киберзащиты и роями беспилотных летательных аппаратов, а также использовать их для совместной работы с компьютерными системами при выполнении сложных многозадачных миссий.

В рамках одной программы DARPA профинснирует шесть независимых проектов по созданию нехиругических доступных интерфейсов для связи человеческого мозга и компьютера

В рамках единой программы DARPA профинансирует шесть независимых проектов по созданию доступных нехирургических интерфейсов для связи человеческого мозга и компьютера

«DARPA готовится к будущему, в котором сочетание беспилотных систем, искусственного интеллекта и киберопераций может приводить к ситуациям, требующим слишком быстрой скорости принятия решений, чтобы эффективно справляться с ними без помощи современных технологий» — сказал доктор Аль Эммонди (Dr. Al Emondi), менеджер программы N3. «Создав доступный интерфейс мозг-машина, который не потребует хирургического вмешательства, чтобы его использовать, DARPA сможет предоставить армии инструмент, позволяющий командирам миссий осмысленно участвовать в динамических операциях, которые проходят на сверхбыстрых скоростях».

За последние 18 лет DARPA регулярно демонстрировала всё более изощрённые нейротехнологии, которые при этом полагались на имплантированные хирургическим путём электроды для взаимодействия с центральной или периферической нервной системой. Например, Агентство продемонстрировало такие технологии, как мысленный контроль протезированных конечностей и восстановление чувства осязания для их пользователей, технологию для облегчения трудноизлечимых психоневрологических заболеваний, таких как депрессия, а также метод для улучшения и восстановления памяти. Из-за неотъемлемых рисков при хирургическом вмешательстве в головной мозг, эти технологии до сих пор использовались ограниченно для добровольцев с клинической потребностью в них.

DARPA уверена, что будущее практического применения нейроинтерфейсов зависит от разработки приборов, не требующих хирургического вмешательства

В DARPA уверены, что будущее практического применения нейроинтерфейсов зависит от разработки технологий, не требующих хирургического вмешательства для установки соединения между компьютером и мозгом человека

Для того чтобы армия могла извлечь выгоду из нейротехнологий, необходимы нехирургические варианты их применения, так как, очевидно, что на данный момент массовые хирургические вмешательства среди военного командования выглядят не очень хорошей идеей. Военные технологии также смогут принести большую пользу и простым людям. Устраняя необходимость в хирургической операции, проекты N3 расширяют круг потенциальных пациентов, которые могли бы получить доступ к таким методам лечения, как глубокая стимуляция мозга для лечения неврологических заболеваний.

Участники программы N3 используют различные подходы в своих исследованиях для получения информации из мозга и передачи её обратно. В некоторых проектах используются оптика, в других акустика и электромагнетизм. Часть команд разрабатывают полностью неинвазивные интерфейсы, которые находятся целиком вне тела человека, другие команды исследуют незначительно инвазивные технологии с применением нанотрансдукторов, которые могут временно не хирургическим путём доставлены в мозг для улучшения разрешения и точности сигнала.

  • Команда из института Баттелла под руководством доктора Гаурава Шармы (Dr. Gaurav Sharma) стремится разработать минимально инвазивную систему, которая включает в себя внешний приёмопередатчик и электромагнитные нанотрансдукторы, которые нехиругически доставляются к интересующим нейронам. Нанотрансдукторы будут преобразовывать электрические сигналы от нейронов в магнитные сигналы, которые могут быть записаны и обработаны внешним трансивером, и наоборот, чтобы обеспечить двунаправленную связь.
  • Исследователи из Университета Карнеги — Меллона, возглавляемые доктором Пулкитом Гровером (Dr. Pulkit Grover), стремятся разработать полностью неинвазивное устройство, которое использует акустооптический подход для получения сигналов из мозга и электрические поля для их отправки обратно в конкретные нейроны. Команда будет использовать ультразвуковые волны, чтобы направлять свет внутрь мозга для обнаружения нейронной активности. Для передачи информации в мозг учёные планируют использовать нелинейный ответ нейронов на электрические поля, чтобы обеспечить локальную стимуляцию целевых клеток.
  • Коллектив Лаборатории прикладной физики Университета Джона Хопкинса под руководством доктора Дэвида Блоджетта (Dr. David Blodgett) разрабатывает неинвазивную, когерентную оптическую систему для считывания информации из мозга. Система будет измерять изменения длины оптического сигнала в нервной ткани, которая прямо коррелируют с нейронной активностью.
  • Команда PARC, руководимая доктором Кришнаном Тьягараджаном (Dr. Krishnan Thyagarajan), стремится разработать неинвазивное акустико-магнитное устройство для передачи информации в мозг. Их подход объединяет ультразвуковые волны с магнитными полями, чтобы генерировать локализованные электрические токи для нейромодуляции. Гибридный подход даёт возможность для модуляции в более глубоких областях мозга.
  • Команда из Университета Райса под руководством доктора Джейкоба Робинсона (Dr. Jacob Robinson) стремится разработать минимально инвазивную двунаправленный нейроинтерфейс. Для получения информации из мозга будет использоваться диффузная оптическая томография для определения нейронной активности, путем измерения рассеивания света в нервной ткани, а для передачи сигналов в мозг команда планирует применять магнитно-генетический подход, чтобы сделать нейроны чувствительными к магнитным полям.
  • Команда Teledyne во главе с доктором Патриком Коннолли (Dr. Patrick Connolly) стремится разработать полностью неинвазивное интегрированное устройство, которое использует магнитометры с оптической накачкой, для обнаружения небольших локализованных магнитных полей, которые коррелируют с нейронной активностью, а для передачи информации будет использовать сфокусированный ультразвук.

На протяжении всей программы исследователи будут опираться на информацию, предоставленную независимыми экспертами по правовым и этическим вопросам, которые согласились поучаствовать в N3 и изучить потенциальные возможности для применения новых технологий военными и гражданским населением. Кроме того, федеральные регулирующие органы также сотрудничают с DARPA, чтобы помочь учёным лучше понять, когда и при каких условиях их приборы можно будет испытывать на людях.

«Если программа N3 будет успешной, мы получим носимые системы нейронных интерфейсов, которые смогут устанавливать соединение с мозгом с расстояния всего в несколько миллиметров, перенося нейротехнологии за пределы клиники и делая их доступнее для практического использование в целях национальной безопасности», — рассказывает Эмонди. «Подобно тому, как военнослужащие надевают защитное и тактическое снаряжение, в будущем они смогут надеть гарнитуру с нейронным интерфейсом и использовать технологию для необходимых им целей, а затем просто отложить прибор в сторону по завершении миссии».

Источник:

Бельгийский разработчик прокладывает путь к «однокристальным» блокам питания

Мы не раз отмечали, что блоки питания становятся «нашим всем». Мобильная электроника, электромобили, Интернет вещей, накопление электроэнергии и многое другое выводит процесс питания и преобразования напряжения на первые по значимости позиции в электронике. Значительно увеличить эффективность блоков питания и, в частности, инверторов обещают технологии производства чипов и дискретных элементов с использованием такого материала, как нитрид галлия (GaN). При этом никто не будет оспаривать тот факт, что интегрированные решения лучше дискретных как с точки зрения компактности решений, так и с позиции экономии средств на проектирование и производство. На днях на конференции PCIM 2019 исследователи из бельгийского центра Imec наглядно показали, что однокристальные блоки питания (инверторы) на GaN ― это совсем не фантастика, а дело ближайшего будущего.

Используя технологию нитрид галлия на кремнии на пластинах SOI (кремний на изоляторе) специалисты Imec создали однокристальный преобразователь по схеме полумост. Это один из трёх классических вариантов включения силовых ключей (транзисторов) для создания инверторов напряжения. Обычно для реализации схемы берётся набор из дискретных элементов. Набор элементов для достижения определённой компактности также помещают в одну общую упаковку, что не отменяет того факта, что схема собирается из отдельных комплектующих. Бельгийцы сумели воспроизвести почти все элементы полумоста на едином кристалле: транзисторы, конденсаторы и резисторы. Решение позволило увеличить эффективность преобразования напряжения за счёт снижения целого ряда паразитных явлений, которые обычно сопровождают схемы преобразования.

Интегрированный полумост с использованием нитрида галлия (Imec)

Интегрированный полумост с использованием нитрида галлия (Imec)

На показанном на конференции макете интегрированный чип GaN-IC преобразовывал входное напряжение 48 вольт в выходное значением 1 вольт с частотой ШИМ 1 МГц. Решение может показаться достаточно дорогим, особенно с учётом использования пластин SOI, но исследователи подчёркивают, что высокая степень интеграции с лихвой компенсирует затраты. Производство инверторов из дискретных компонентов будет дороже по определению.

Источник:

Учёные создали пиксель в миллион раз меньше, чем у экранов современных смартфонов

В пятницу группа британских учёных из Кембриджского университета опубликовала в журнале Science Advances статью с рассказом о разработке перспективной технологии для производства сравнительно недорогих экранов практически неограниченных размеров. Пусть вас не смущает упоминание пятницы и набившего оскомину словосочетания британские учёные. Всё по-честному и серьёзно. Исследование базируется на изучении и использовании давно известных квазичастиц плазмонов в рамках физических явлений плазмоники. Если вкратце, плазмоны представляют собой облако электронов на поверхности материала. Они обладают определёнными коллективными свойствами и в зависимости от ряда факторов могут излучать свет в видимом диапазоне с заданной длиной волны (цветом).

University of Cambridge

University of Cambridge

Учёные из Кембриджа разработали технологию массового производства экранов на основе плазмонов. Мельчайшие частицы золота покрывались токопроводящим пластиком полианилином и равномерно разбрызгивались по пластиковой поверхности с предварительно нанесённым на неё зеркальным покрытием. Каждая гранула золота на поверхности ― это основа для миниатюрного пикселя, размеры которого в миллион раз меньше, чем у экранов современных смартфонов. Технология очень проста для массового производства, на чём настаивают разработчики. Подобные экраны с миллиардами пикселей на каждый метр можно выпускать непрерывной лентой с высокой скоростью. Речь идёт о производстве гибких дисплеев буквально размерами со стену многоэтажного дома.

Падающий на такой экран свет попадает в ловушку между покрытыми пластиком наночастицами золота. Токопроводящий пластик покрытия под воздействием управляющего напряжения заданным образом меняет химические свойства и вызывает изменение длины волны отражённого света в широком спектре (длина волны может снижаться до 100 нм и меньше). Пиксель начинает светиться заданным цветом и, что важно, такое состояние бистабильное, что не требует питания для удержания выбранного цвета.

advances.sciencemag.org

advances.sciencemag.org

Перспективы у подобных экранов огромные ― от информационных до камуфлирующих. Высочайшее разрешение позволит скрыть бойца даже на открытой местности, а применение в архитектуре откроет путь к новым и необычным решениям. Дисплеи для электроники тоже получат толчок к развитию. Они будут хорошо читаться в ярком солнечном свете и перестанут быть самыми активными пожирателями заряда аккумуляторов. Но до этого ещё предстоит пройти большой путь, совершенствуя и развивая технологию. В частности, команда учёных начала работать над расширением цветового диапазона дисплеев на основе представленной технологии. Подробнее о разработке можно узнать в статье в Science Advances. Для её прочтения (на английском языке) регистрация не требуется.

Источник:

В 2021 году TSMC предложит улучшенный 5-нм техпроцесс

По мнению руководства компании Intel, когда через два года дебютируют первые 7-нм продукты микропроцессорного гиганта, они будут конкурировать с 5-нм продукцией тайваньской TSMC. Так, да не так. Тайваньские источники со ссылкой на анонимных представителей островной индустрии спешат уточнить, что в 2021 году Intel придётся столкнуться с улучшенным 5-нм техпроцессом TSMC. Это будет техпроцесс N5+ или 5 nm Plus ― второе поколение 5-нм техпроцесса крупнейшего в мире контрактного производителя чипов.

Как известно, о чём регулярно напоминает руководство TSMC, рисковое производство с нормами 5 нм компания запустила в первом квартале текущего года. Массовое производство с нормами 5 нм (5N) стартует в первом или во втором квартале 2020 года. В точных сроках запуска массового производства с нормами 5 нм компанией TSMC есть один нюанс. Для работы с данными технологическими нормами компания строит новый завод ― предприятие Fab 18. Как только Fab 18 будет введена в строй, можно будет говорить о начале производства с нормами 5 нм. Этот процесс может растянуться с конца 2019 года до второго квартала 2020 года включительно. Но даже если брать крайние сроки, коммерческое производство с нормами 5 нм TSMC запустит не позднее апреля-июня 2020 года.

Из вышесказанного следует, что рисковое производство с нормами N5+ или по улучшенному 5-нм техпроцессу компания начнёт в первом квартале 2020 года. Источник прямо об этом говорит. Ещё спустя год компания будет готова начать массовый выпуск чипов с использованием техпроцесса N5+. Именно с этим техпроцессом придётся сравнивать свои производственные достижения компании Intel, когда она в 2021 году представит свои первые 7-нм дискретные графические процессоры. Компании AMD и NVIDIA, как давние клиенты TSMC, к этому времени имеют все шансы выпустить как 5-нм GPU, так и вынашивать планы запуска в производство графических решений на улучшенном 5-нм техпроцессе.

На сегодняшний день о техпроцессе TSMC N5+ сказать нечего, кроме одного. Этот техпроцесс частично будет использовать сканеры диапазона EUV. Глубина использования сканеров с длиной волны 13,5 нм будет определять, насколько техпроцесс N5+ окажется лучше техпроцесса N5.

Источник:

Скирмионы могут обеспечить многоуровневую магнитную запись

Мельчайшие магнитные вихревые структуры скирмионы (названы так в честь британского физика-теоретика Тони Скирми (Tony Skyrme), предсказавшего эту структуру в 60-х годах прошлого века) обещают стать основой магнитной памяти будущего. Это топологически устойчивые магнитные образования, которые можно возбуждать в магнитных плёнках, а затем считывать их состояние. При этом запись и чтение происходят с использованием спиновых токов ― с помощью переноса момента вращения спина электронов. Это означает, что запись и чтение могут осуществляться предельно малыми токами. Также на поддержку магнитного вихря не требуется постоянного подвода питания, что ведёт к экономичной энергонезависимой памяти.

Условное изображение магнитного вихря, известного как скирмион (Nanoscale / Royal Society of Chemistry)

Условное изображение магнитного вихря, известного как скирмион (Nanoscale / Royal Society of Chemistry)

За последние несколько лет учёные в России и за рубежом пристально изучают поведение скирмионов и небезосновательно полагают, что эти структуры помогут значительно увеличить плотность магнитной записи. Более того, недавно британские и американские учёные нашли способ, каким образом можно в разы увеличить плотность записи с использованием скирмионов без особенных сложностей в виде уменьшения диаметра вихревых структур, что может привести к скорейшему воплощению научной мысли в коммерческий продукт.

Компьютерная модель «мешка скирмионов» (Бирмингемский университет)

Компьютерная модель «мешка скирмионов» (Бирмингемский университет)

Вместо традиционной двоичной записи, где 1 и 0 будет скирмион или его отсутствие, учёные из Бирмингемского университета, Бристоля и Колорадского университета в Боулдере представили комбинированную вихревую структуру, которую они назвали «мешком скирмионов» (skyrmion bag). Несомненно, «мешок» со скирмионами лучше, чем одиночный скирмион. Число скирмионов в мешке может быть любым, что позволит присвоить ему больше значений, чем 0 или 1. Это прямой путь к увеличению плотности записи. В определённой степени это сравнимо с многоуровневой записью в ячейку NAND-флеш. Нет нужды лишний раз напоминать, насколько быстро стал расширяться рынок флеш-накопителей после начала массового производства памяти NAND TLC с записью трёх бит в каждую ячейку.

Этапы воссоздания «мешка скирмионов» (Nature Physics)

Этапы воссоздания «мешка скирмионов» (Nature Physics)

Создание структуры «мешка скирмионов» учёные из Англии представили в виде абстрактной модели и воспроизвели явление в программе-симуляторе. Их американские коллеги воспроизвели явление на практике, хотя для запуска вихревых структур использовали жидкие кристаллы, а не магнитные структуры. Жидкие кристаллы, как известно, управляются магнитным полем, что позволяет использовать их для постановочных экспериментов для визуализации магнитных явлений. Ждём переноса экспериментов на магнитные плёнки.

Источник:

Samsung может начать производство GPU для дискретных видеокарт Intel

На этой неделе Раджа Кодури (Raja Koduri), курирующий производство GPU в Intel, побывал на заводе Samsung в Южной Корее. Учитывая недавнее объявление Samsung о начале производства 5-нм чипов с использованием EUV, некоторые аналитики посчитали, что этот визит может быть неслучайным. Специалисты предполагают, что компании могут заключить контракт, в рамках которого Samsung будет производить GPU для будущих дискретных видеокарт Xe.

Если учесть тот факт, что Intel продолжительное время испытывает трудности, связанные с нехваткой чипов, появление таких слухов вполне ожидаемо. Не исключено, что Intel планирует обеспечить дополнительные производственные мощности, задействовав фабрики Samsung. Скорый запуск продаж дискретных видеокарт Intel может быть осложнён дефицитом чипов уже на старте. Избежать этого удастся, нарастив собственное производство или начав взаимодействовать с контрактным поставщиком GPU, способным предоставить достаточное количество комплектующих.

Специалисты считают, что графические процессоры для будущих дискретных видеокарт Intel должны производиться по 10-нанометровому или 7-нанометровому техпроцессу. За счёт этого продукция компании сможет конкурировать с AMD, которая в этом году планирует начать производство видеокарт с 7-нм GPU. Скорее всего, следующее поколение видеокарт NVIDIA также будет основано на графических процессорах, выполненных в соответствии 7-нм техпроцессом.

На данный момент возможное сотрудничество Intel и Samsung остаётся слухами, которые могут быть подтверждены или опровергнуты в будущем.

Источник:

Работающий на снегу наногенератор — полезное дополнение к солнечным батареям

Снежные регионы планеты мало подходят для использования солнечных батарей. Панелям затруднительно производить какую-либо энергию, если они погребены под снежным покровом. Поэтому команда из Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе (UCLA) разработала новое устройство, которое может производить электричество из самого снега.

Новый наногенератор может собирать энергию непосредственно со снега, помогая солнечным батареям справляться с зимними условиями (Фото: karin59 / Depositphotos)

Новый наногенератор может собирать энергию непосредственно из снега, помогая солнечным батареям справляться с зимними условиями (Фото: karin59 / Depositphotos)

Команда называет новое устройство снежно-трибоэлектрическим наногенератором или Snow TENG (snow-based triboelectric nanogenerator). Как следует из названия, оно работает за счёт трибоэлектрического эффекта, то есть использует статическое электричество для генерации заряда посредством обмена электронами между положительно и отрицательно заряженными материалами. Устройства такого типа используются для создания маломощных генераторов, которые получают энергию от движений тела, прикосновений к сенсорному экрану и даже шагов человека по полу.

Снег положительно заряжен, поэтому при его трении о материал с противоположным зарядом из него можно извлечь энергию. После серии экспериментов команда исследователей выяснила, что силикон является лучшим материалом для трибоэлектрического эффекта при взаимодействии со снегом.

Snow TENG можно напечатать при помощи 3D-принтера, устройство сделано из слоя силикона, прикреплённого к электроду. Разработчики заявляют, что его можно интегрировать в солнечные панели, чтобы они могли продолжать вырабатывать электроэнергию даже при покрытии снегом, что делает его похожим на представленный в марте прошлого года китайскими учёными гибридный солнечный элемент, который также при помощи трибоэлектрического эффекта генерирует энергию от столкновения капель дождя с поверхностью солнечных панелей.

В марте прошлого года группа учёных из Китая представили схожее устройство, использующее для генерации энергии на солнечных панелях капли дождя

В марте прошлого года группа учёных из Китая представила схожее устройство, использующее для генерации энергии на солнечных панелях капли дождя (evetodew/Depositphotos)

Проблема в том, что Snow TENG вырабатывает довольно небольшое количество электроэнергии в своём текущем виде — его удельная мощность составляет 0,2 мВт на квадратный метр. Это означает, что вы вряд ли станете подключать его напрямую к домовой электросети, как саму солнечную панель, но тем не менее его можно использовать, например, для маленьких и автономных погодных датчиков.

«Погодный датчик на базе Snow TENG может работать в отдалённых районах, так как он самостоятельно обеспечивает своё питание и не требует других источников», — говорит Ричард Канер, старший автор исследования. «Это очень умное устройство — метеостанция, которая может сказать вам: сколько снега падает в данный момент, направление падения снега, а также направление и скорость ветра.»

Исследователи приводят и другой пример использования Snow TENG, например, датчик, который можно прикрепить к нижней части ботинок или лыж и использовать для сбора данных для зимних видов спорта.

Исследование было опубликовано в журнале Nano Energy.

Источник:

Шпионы в ASML работали в интересах компании Samsung

Неожиданно. В интервью нидерландскому телевизионному каналу генеральный директор ASML Питер Веннинк (Peter Wennink) сообщил, что за актом промышленного шпионажа в компании стояла компания Samsung. Точнее, глава производителя литографического оборудования для выпуска чипов сформулировал происшедшее иначе. Он сказал, что в краже замешан «крупнейший южнокорейский клиент» ASML. На просьбу журналиста подтвердить, что это была компания Samsung, Веннинк снова повторил, что это был крупнейший клиент из Кореи.

Сканер ASML NXE:3300B для EUV-литографии

Сканер ASML NXE:3300B для EUV-литографии

Поскольку у ASML не так много «крупнейших» клиентов в Южной Корее, почти с полной уверенностью можно утверждать, что украсть технологические секреты у компании пытались в интересах Samsung. Напомним, на прошлой неделе нидерландское издание Het Financieele Dagblad сообщило, что у компании были похищены технологические секреты и переданы властям Китая. Позже ASML опровергла информацию о действиях злоумышленников в пользу правительства Китая. По словам компании, это был обычный промышленный шпионаж, совершенный интернациональной преступной группой.

После проведённого самой компанией расследования выяснилось, что группа сотрудников ASML в США зарегистрировала компанию XTAL и собиралась продавать украденное через её представительства. Преступники похитили программное обеспечение для работы с фотомасками. По данным источника, в этом программном обеспечении была заинтересована компания Samsung. Более того, компания Samsung, как утверждается, владела 30 % акций компании XTAL. Опять всё ведёт к Samsung, но это не означает, что южнокорейский гигант мог знать о преступном происхождении программного обеспечения XTAL. Догадываться могли, но это не означает знать наверняка.

Все обвиняемые в краже американские сотрудники ASML родились в Китае, хотя часть из них имели американское гражданство, что дало повод журналистам без раздумий обвинить в причастности к шпионажу власти Китая. По факту выяснилось другое, но осадочек, как говорится, остался.

Источник:

Samsung начала принимать заказы на изготовление 5-нм чипов

Компания Samsung вовсю использует преимущество первопроходца полупроводниковой литографии с применением сканеров диапазона EUV. Пока TSMC готовится начать использовать сканеры с длиной волны 13,5 нм в июне, адаптировав их для выпуска чипов в рамках второго поколения техпроцесса с нормами 7 нм, Samsung погружается глубже и заявляет о завершении разработки техпроцесса с проектными нормами 5 нм. Более того, южнокорейский гигант объявил о начале приёма заказов на выпуск 5-нм решений для производства на мультипроектных пластинах. Это означает, что Samsung готова принимать цифровые проекты чипов с нормами 5 нм и выпускать опытные партии рабочего 5-нм кремния.

Достижения Samsung Foundry в области EUV

Достижения Samsung Foundry в области EUV

Быстро перейти от предложения 7-нм техпроцесса с EUV на производство 5-нм решений также с EUV компании помогло то обстоятельство, что Samsung сохранила совместимость проектных элементов (IP), инструментов проектирования и контроля. Кроме прочего это означает, что клиенты компании сэкономят средства на приобретение средств проектирования, тестирования и готовых IP-блоков. Наборы PDK для проектирования, методология (DM, design methodologies) и платформы автоматического проектирования EDA стали доступны ещё в рамках разработки чипов для 7-нм норм Samsung с EUV в четвёртом квартале прошлого года. Все эти инструменты обеспечат разработку цифровых проектов также для техпроцесса 5 нм с транзисторами FinFET.

Вехи развития литографического оборудования

Вехи развития литографического оборудования

По сравнению с 7-нм техпроцессом с использованием сканеров EUV, который компания запустила в октябре прошлого года, техпроцесс с нормами 5 нм обеспечит увеличение эффективности использования площади кристалла на 25 % (Samsung избегает прямых заявлений о снижении размеров площади кристалл на 25 %, что оставляет ей пространство для манёвра цифрами). Также переход на 5-нм техпроцесс позволит либо снизить на 20 % потребление чипов, либо повысить на 10 % производительность решений. Ещё одним бонусом станет сокращение числа фотомасок, которые необходимы для производства полупроводников.

Строительство новой фабрики Samsung Foundry в Хвасоне

Строительство новой фабрики Samsung Foundry в Хвасоне

Выпуском продукции с использованием сканеров EUV компания Samsung занимается на заводе S3 в городе Хвасон. Во второй половине текущего года компания завершит строительство нового производства рядом с Fab S3, которое будет готово выпускать чипы с использованием EUV-техпроцессов в следующем году.

Источник:

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥