Американские юристы сразятся с властями Великобритании за права китайцев на полупроводниковый завод Newport Wafer Fab

Нидерландская компания Nexperia с определённой долей китайского капитала привлекла американскую юридическую компанию Akin Gump для борьбы с решением правительства Великобритании заблокировать покупку полупроводникового завода Newport Wafer Fab. Британские власти окончательно заблокировали сделку в ноябре этого года, мотивируя решение защитой национальной безопасности. Теперь американским юристам доверено оспорить это решение.

Полупроводниковый завод Newport Wafer Fab. Источник изображения: Nexperia

Компания Akin Gump будет выступать от имени Nexperia в заявлении компании о судебном пересмотре решения правительства Великобритании о блокировании сделки. Поскольку судебная система Великобритании крайне сложная, то без местных юридических представителей дело не пойдёт. Поэтому Nexperia наняла также британского барристера Лорда Панника KC (Pannick KC), который будет помогать рассматривать заявление с просьбой об отмене решения по блокировке сделки.

В компании Nexperia не теряют надежды, что решение властей Великобритании может быть признано незаконным и завод вернут инвесторам.

Интересно, что примерно через год после завершения сделки о продаже Newport Wafer Fab компании Nexperia ряд американских конгрессменов направили президенту Байдену письмо с просьбой заблокировать её, после чего власти Великобритании начали новое расследование, что привело к приостановке сделки. Окончательное решение последовало в ноябре и было непреклонным: от Nexperia потребовали продать контрольный пакет акций, возможно даже бывшим владельцам.

Действия властей Великобритании, предупреждают в Nexperia, ставят под угрозу производство и судьбы 600 работников предприятия, расположенного в Уэльсе. Но британцы опасаются, что за спиной Nexperia стоит и руководит ею китайская компания Wingtech Technology, которая благодаря заводу Newport Wafer Fab получила, в том числе, доступ к производству широкозонных полупроводников на основе нитрида галлия (GaN) и карбида кремния (SiC). Это производство передовых силовых элементов и элементов для высокочастотного радиодиапазона — это сейчас то, что нужно всем.