Сегодня 21 апреля 2025
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

Один из первых 3-нм чипов производства Samsung обнаружился в ASIC-майнере

Хотя Samsung начала массовое производство чипов на базе техпроцесса SF3E (3 нм, транзисторы GAA) примерно год назад, к настоящему моменту мало кто из производителей электроники подтвердил его использование в своих продуктах. Недавно аналитики TechInsights выяснили, что одним из первых заказчиков 3-нм чипов у Samsung стала компания MicroBT, выпускающая ASIC-майнеры. Выполненный по технологии SF3E чип применяется в её криптомайнере Whatsminer M56S++.

 Источник изображения: Arm

Источник изображения: Arm

Специализированные интегральные схемы ASIC для добычи криптовалюты представляют собой небольшие чипы с относительно малым количеством входящих в их состав транзисторов и повторяющимися логическими структурами, похожими на простые битовые ячейки памяти SRAM. В целом за счёт простоты производства таких чипов это делает их весьма подходящей платформой для тестирования передовых технологически процессов. Поэтому совсем неудивительно, что техпроцесс SF3E нашёл своё первое практическое применение именно в среде криптомайнинга.

К сожалению, в открытом доступе о ASIC-майнере Whatsminer M56S++ не так много информации. Известно лишь, что система компании MictoBT на основе этого чипа обеспечивает хешрейт на уровне 240–256 Тхеш/с и обладает энергоэффективностью 22 джоуля на терахэш.

 Источник изображения: Samsung

Источник изображения: Samsung

На данный момент неизвестно, используется ли 3-нм технология SF3E компании Samsung в каких-либо других коммерческих решениях помимо оборудования для майнига. Однако сама Samsung заявляет, что «использует этот техпроцесс в своих продуктах».

«Мы массово производим чипы на основе первого поколения 3-нм техпроцесса со стабильным уровнем выхода годных микросхем. С учётом этого опыта мы уже ведём разработку второго поколения техпроцесса, который обеспечит ещё более высокий выход годных чипов», — цитирует портал Tom’s Hardware одно из недавних заявлений компании.

По сравнению с техпроцессами 5-нм класса Samsung второго поколения (SF5, 5LPP), SF3E обещает снижение энергопотребления микросхем до 45 % при сохранении той же частоты работы, либо повышение производительности до 23 % при сохранении количества транзисторов и мощности. Кроме того, чипы с использованием SF3E занимают на 16 % меньшую площадь.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Китайские IT-гиганты помогут местным производителям развернуться на внутреннем рынке после повышения пошлин в США 25 мин.
Doogee покажет на московской выставке «Связь-2025» новые смартфоны, планшеты и смарт-часы с поддержкой ИИ 49 мин.
Oukitel покажет на выставке «Связь-2025» защищённые смартфоны WP200 Pro, WP100 Titan и другие новинки 53 мин.
Fujitsu, Supermicro и Nidec сообща повысят энергоэффективность ИИ ЦОД 2 ч.
Atto представила сетевые адаптеры Celerity FC-644E с четырьмя портами FC64G и FastFrame N424 с четырьмя портами 25GbE 3 ч.
CoolIT представила 2-МВт блок распределения охлаждающей жидкости CHx2000 для ИИ и HPC ЦОД 3 ч.
Представлен модуль Banana Pi BPI-CM6 — аналог Raspberry Pi CM4 на базе RISC-V 6 ч.
Представлен LG Smart Monitor Swing — смарт-монитор на колёсиках и webOS 6 ч.
Американское предприятие TSMC принесло компании в прошлом году $440 млн убытков 6 ч.
ASML продала часть земли в корейском Хвасоне, где собиралась построить совместный с Samsung исследовательский центр 6 ч.