Сегодня 16 июля 2024
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

Samsung приступит к производству 300-слойных чипов флеш-памяти в следующем году

Издание DigiTimes со ссылкой на Seoul Economic Daily сообщает, что компания Samsung Electronics будет готова со следующего года начать массовое производство трёхмерной флеш-памяти 9-го поколения с архитектурой двойного стека. Для сравнения, в 321-слойных микросхемах 3D NAND компании SK hynix, старт массового производства которых запланирован на первую половину 2025 года, используется архитектура тройного стека.

 Источник изображения: Samsung

Источник изображения: Samsung

Чипы Samsung 3D V-NAND 9-го поколения с более чем 300 слоями будeт выпускаться с использованием метода двойного стекирования, который Samsung впервые применила в 2020 году при производстве 176-слойных микросхем 3D NAND 7-го поколения. Метод подразумевает создание одного стека 3D NAND на кремниевой пластине диаметром 300 мм, а затем последующее наслоение второго стека поверх первого. На основе чипов флеш-памяти высокой плотности с более чем 300-ми слоями производители смогут создавать недорогие твердотельные накопители или удешевлять SSD, уже представленные на рынке.

Что касается той же SK hynix, то компания ранее озвучила планы начать производство 321-слойной 3D NAND-памяти в 2025 году, используя архитектуру с тремя стеками. Производство этих микросхем отличается от метода Samsung и подразумевает соединение трёх отдельных наборов слоёв. С одной стороны, производство такой памяти будет требовать больше шагов и потребует больше материалов по сравнению с конкурентом, однако такой подход призван повысить уровень выхода годных чипов, поскольку производить стеки флеш-памяти с меньшим количеством слоёв проще.

Утечки дорожных карт Samsung предполагают, что компания после завершения цикла производства 3D NAND 9-го поколения может воспользоваться методом тройного стека для выпуска 430-слойных микросхем 3D NAND 10-го поколения. Некоторые эксперты в разговоре с изданием Seoul Economic Daily предположили, что производство чипов флеш-памяти 3D NAND с более чем 400 слоями потребует архитектуры тройного стека из-за возможных проблем с процентом выхода годных микросхем. Разумеется, это увеличит объёмы использующегося сырья и другие затраты в расчёте на одну пластину.

В 2022 году Samsung заявила, что рассчитывает выйти на производство 1000-слойных чипов флеш-памяти к 2030 году.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Вечерний 3DNews
Каждый будний вечер мы рассылаем сводку новостей без белиберды и рекламы. Две минуты на чтение — и вы в курсе главных событий.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Приложение Google Vids сможет быстро создавать видеопрезентации с помощью ИИ Gemini 52 мин.
Activision раскрыла, когда пройдёт «бета» Call of Duty: Black Ops 6 — впервые в истории серии сразу на всех платформах 6 ч.
Steam устроил раздачу боевика Intravenous в духе Splinter Cell и Hotline Miami — на подходе вторая часть 7 ч.
Google до пяти раз увеличила награды за обнаружение уязвимостей в её коде 7 ч.
Что, если: вместо Baldur's Gate 3 от Larian могла выйти крупнобюджетная Fallout 10 ч.
Fallout: London на запуске останется без поддержки Fallout 4 для Epic Games Store, зато к озвучке мода присоединился реальный британский политик 11 ч.
Календарь релизов — 15–21 июля: Norland, Dungeonborne и Nobody Wants to Die 12 ч.
Королевская почта Великобритании выпустит официальный набор марок в честь 50-летия Dungeons & Dragons 13 ч.
Microsoft «откупилась» от антимонопольного расследования Евросоюза, заключив сделку с CISPE в обход AWS и Google Cloud 15 ч.
ВТБ потратит на импортозамещение ПО 90 млрд рублей 15 ч.