Сегодня 01 сентября 2025
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

Samsung намерена выпустить память HBM4 в 2025 году

В 2016 году корейская компания Samsung Electronics первой в отрасли выпустила на рынок микросхемы памяти HBM первого поколения для применения в сегменте высокопроизводительных вычислений. Через год появилась 8-слойная память типа HBM2, позже вышли микросхемы HBM2E и HBM3, а память типа HBM4 компания рассчитывает представить в 2025 году.

 Источник изображения: Samsung Electronics

Источник изображения: Samsung Electronics

Как сообщается в корпоративном блоге компании, при выпуске микросхем типа HBM4 будут применяться инновации, направленные на улучшение термодинамических свойств этого вида продукции — проще говоря, будут применены решения для лучшего отвода тепла. При сборке стеков памяти будет применяться непроводящая полимерная плёнка, дополнительно механически защищающая монтируемые друг на друга чипы. Метод гибридного медного соединения будет сочетать медные проводники с плёночным оксидным изолятором вместо традиционного припоя.

Кроме того, как признаются представители Samsung Electronics, в начале 2023 года компания создала подразделение, курирующее передовые методы упаковки чипов. Своим клиентам южнокорейский гигант будет готов предложить услуги по тестированию и упаковке чипов с использованием методов 2.5D и 3D, которые могут быть востребованы разработчиками компонентов для высокопроизводительных вычислений и систем искусственного интеллекта.

К числу своих технологических достижений Samsung также относит выпуск микросхем оперативной памяти типа DDR5, позволяющих создавать модули памяти объёмом 128 Гбайт, а также освоение 12-нм техпроцесса в данной сфере. В дальнейшем компания рассчитывает использовать для выпуска микросхем памяти литографические нормы тоньше 10 нм.

В сфере высокопроизводительных вычислений может найти достойное применение и технология HBM-PIM, предусматривающая выполнение определённой части вычислений непосредственно силами самой микросхемы памяти. Быстродействие при этом удаётся повысить до 12 раз по сравнению с традиционной архитектурой микросхем памяти. Помимо HBM, такая архитектура будет внедряться и на микросхемах памяти, работающих с протоколом CXL.

Представленные недавно модули оперативной памяти LPCAMM, по словам представителей Samsung, можно будет применять не только в ноутбуках, но и в серверных системах, где их высокая плотность позволит увеличить объём используемой оперативной памяти без дополнительной потребности в занимаемых площадях. Такие модули памяти будет занимать на 60 % меньше места по сравнению с SO-DIMM, а производительность при этом вырастает на величину до 50 %. Энергетическая эффективность таких модулей памяти выше на 70 %.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
UGREEN выпустила в России аксессуары Nexode Retractable с выдвижными кабелями: мощная зарядка без лишних проводов 27 мин.
«ДолИИна» — проект 50-МВт ИИ ЦОД в Ленинградской области 42 мин.
Акции Samsung и SK hynix устремились вниз после обещанного усложнения поставок оборудования в Китай 2 ч.
Объёмы поставок электромобилей Xiaomi уже второй месяц подряд превышают 30 000 штук 3 ч.
Новая статья: Шестиядерники за 10 тысяч рублей — сравнение и тесты 9 ч.
Новая статья: Обзор робота-пылесоса ILIFE V2: фокус на сухой уборке 10 ч.
AntGamer при поддержке AMD работает над игровым монитором с частотой 1000 Гц — его выход запланирован на 2026 год 12 ч.
Alibaba разработала собственный ИИ-ускоритель для инференса 19 ч.
Очередная конференция Nvidia GTC пройдёт с 16 по 19 марта 2026 года 22 ч.
Samsung анонсировала 37-дюймовый монитор ViewFinity S8 с поддержкой 4K, USB Type-C на 90 Вт и встроенным KVM-переключателем 23 ч.