Новости Hardware → нанотехнологии
Главная новость

Intel подаёт надежду на появление кремниевых спиново-кубитных процессоров

Intel подаёт надежду на появление кремниевых спиново-кубитных процессоров

Ещё в 2015 году компания Intel выделила на исследования в области разработки квантовых вычислителей $50 млн. К настоящему времени эти и другие инвестиции привели к созданию интересных, хотя и опытных продуктов. Как признались в Intel, компания движется в двух направлениях. Одно из них — это классические суперпроводимые квантовые вычислители, а второе — спиновые кубиты на кремниевой основе.

Ранее в прошлом году и на январской выставке CES 2018 компания рассказывала о начале опытных поставок семейства суперпроводимых чипов Tangle Lake для сверхпроводящих квантовых систем. Это большие по объёму занимаемого пространства системы с охлаждением до 20 мК. Своему партнёру по разработкам нидерландскому институту QuTech компания поставляет 17-кубитные и 49-кубитные процессоры. Тогда же в январе Intel намекнула на разработку квантовых процессоров на спиновых кубитах, хотя формальный анонс квантовых процессоров на спиновых кубитах состоялся только на днях.

Быстрый переход

GlobalFoundries и Toppan Photomasks расширяют деятельность в Германии

Компания GlobalFoundries сообщила, что она вместе со своим партнёром Toppan Photomasks по совместному предприятию Advanced Mask Technology Center (AMTC) в Дрездене договорилась о расширении деятельности в течение нескольких следующих лет. Предприятие AMTC было организовано в 2002 году как СП между компаниями AMD, Infineon и DuPont Photomasks. И одна, и другая, и третья компания тем или иным способом лишились участия в AMTC. Нынешними владельцами AMTC являются арабо-американская компания GlobalFoundries и японская Toppan Photomasks. Смена владельцев не изменила вид деятельности AMTC — центр на базе собственного производства в Дрездене выпускает фотомаски (фотошаблоны) для производства полупроводников.

http://igi.com

http://igi.com

Деятельность AMTC не утратила актуальности. Предприятие стартовало с выпуска фотомасок для 90-нм и 65-нм техпроцессов и сегодня выпускает фотомаски для производства 14-нм чипов с использованием FinFET-структур и маски для производства чипов на пластинах FD-SOI. В 2017 году на модернизацию и расширение производства было выделено 100 млн евро ($124 млн). С 2002 года в предприятие AMTC в Дрездене вложено порядка $600 млн. В последние годы объёмы выпуска фотомасок росли свыше 10 % в год. В 2003 году на заводе работало 170 инженеров. Сегодня их число выросло до 250 человек.

Для компании GlobalFoundries работа предприятия важна не только как источник дополнительного дохода, а центр выпускает фотомаски для предприятий во всём мире, это также основа производства самой компании и источник успеха компании AMD. От качества и своевременности изготовления фотошаблонов зависит выпуск процессоров AMD Ryzen, графических процессоров Radeon и многого другого. На новом этапе сотрудничества GlobalFoundries и Toppan углубятся в производство фотомасок для техпроцессов с нормами менее 14 нм, включая фотошаблоны для работы с проекцией в сверхжёстком ультрафиолетовом диапазоне (EUV).

Источник:

Samsung предложит клиентам производство целого спектра решений на 200-мм пластинах

В мае прошлого года компания Samsung формально выделила контрактное производство чипов в дочернюю компанию Samsung Foundry. Тем самым производитель электроники сделал попытку устранить конфликт интересов или опасность оного между своими заказами и заказами сторонних компаний. Параллельно Samsung стремится диверсифицировать контрактное производство, чтобы удовлетворить как можно больше заказчиков, и надеется привлечь к сотрудничеству множество мелких фирм, для чего берётся изготавливать многопроектные пластины, которые объединяют заказы нескольких компаний.

Завод Line-6 компании Samsung под Сеулом

Завод Line 6 компании Samsung под Сеулом

На днях Samsung сообщила о расширении спектра продукции, которую она будет выпускать по контрактам на заводе Line 6 в Кихыне (пригород Сеула). Линии предприятия Line 6 обрабатывают 200-мм полупроводниковые подложки, каждая из которых может нести сотни и тысячи дискретных элементов. Обычно простая логика и дискретные элементы изготавливаются на пластинах меньшего диаметра, тогда как 200-мм и 300-мм кремниевые подложки производители задействуют для выпуска микроконтроллеров, заказных БИС и разного рода процессоров.

Пример 200-мм пластины с чипами (www.lesechos.fr)

Пример 200-мм пластины с чипами (www.lesechos.fr)

Итак, контрактным клиентам Samsung на заводе Line 6 будут доступны для заказа решения со встроенной флеш-памятью (eFlash), силовые элементы (Power), драйверы дисплеев (DDI, display driver IC), CMOS датчики изображения (CIS), радиочастотные компоненты (RF), решения для вещей с подключением к Интернету (IoT) и сканеры отпечатков пальцев. Доступный для выпуска всего этого разнообразия техпроцесс будет колебаться от 180 нм до 65 нм.

Встроенную флеш-память компания будет выпускать либо с нормами 130 нм, либо с нормами 65 нм. Силовые чипы будут выпускаться как 130-нм, так и 90-нм. Для выпуска драйверов дисплеев может быть использован 180-нм, 130-нм, 90-нм и 70-нм техпроцессы. Датчики изображений будут только 90-нм. Радио и IoT примерят на себя 90-нм техпроцесс и, возможно, это будет особенный техпроцесс для выпуска малопотребляющих решений. Сканеры отпечатков пальцев будут 180-нм. Желающие могут начинать записываться в очередь.

Источник:

Cadence и Imec создают проект 3-нм 64-битного процессора

Компания Cadence и бельгийский институт Imec опубликовали пресс-релиз, в котором раскрыли планы по разработке 64-битного процессора для опытного выпуска с использованием 3-нм техпроцесса. Доработанные особым образом библиотеки и инструменты Cadence по проектированию чипов, а также опыт и знания специалистов Imec в области полупроводниковой литографии открывают возможность раннего воплощения в кремнии 3-нм процессора. В опытное производство цифровой проект будет направлен позднее в текущем году с целью выпустить рабочий чип до окончания года.

Базовая конструкция сканера диапазона EUV

Базовая конструкция сканера диапазона EUV

Опытное производство и фотошаблоны для выпуска 3-нм чипа готовит институт Imec. В производстве решения будут задействованы как 193-нм сканеры и иммерсионная литография (с погружением в жидкость), так и сканер диапазона EUV. Ранее Cadence и Imec уже работали вместе над проектом по выпуску опытного 5-нм решения и намерены перенести опыт сотрудничества на выпуск опытного 3-нм процессора. Ранний доступ к опытному производству поможет обнаружить слабые места в техпроцессе задолго до его внедрения в массовое производство. Например, таким образом было обнаружено случайное появление дефектов в рамках опытного выпуска 5-нм решений.

Предполагается, что опытный 3-нм процессор будет производиться с двойной проекцией в случае использования EUV-сканеров (по два фотошаблона на рабочий слой и, соответственно, по два прохода сканером) и с четырьмя фотошаблонами на слой для остальных рабочих слоёв микросхемы с использованием 193-нм сканера (self-aligned quadruple patterning, SAQP). Со временем, когда ASML выпустит EUV-сканеры с улучшенной оптической системой (с цифровой апертурой 0,5 или выше), для обработки каждого слоя с помощью EUV-сканеров будет достаточно одного прохода сканером и одного фотошаблона. Но это произойдёт после 2022 года.

Перспективы освоения новых технологических норм с помощью сканеров ASML (ASML)

Перспективы освоения новых технологических норм с помощью сканеров ASML (ASML)

Кроме собственно уменьшения масштаба технологических норм 3-нм полупроводники потребуют других новшеств. В частности, два первых металлических слоя должны быть выполнены из кобальта. Это снизит эффект электромиграции и уменьшит сопротивление проводников. Также потребуется изменить структуру транзисторов. Транзисторы с высокими монолитными затворами-рёбрами FinFET уйдут в прошлое, а вместо них появятся составные затворы из нанопроводников или наностраниц.

Источник:

Производство с нормами 5 нм и сканерами EUV может быть отложено

В принципе, началу производства 7-нм чипов с использованием полупроводниковой литографии в крайнем ультрафиолетовом диапазоне уже ничего не мешает. Как уже не раз сообщалось, компания Samsung приступит к выпуску 7-нм продукции во второй половине текущего года. Она первой начнёт использовать сканеры диапазона EUV с длиной волны 13,5 нм. Компании GlobalFoundries и TSMC присоединятся к ней в этом начинании в 2019 году. В этот период сканеры EUV компании ASML будут вооружаться источниками излучения мощностью 250 Вт. Под эту мощность для 7-нм производства уже разработан и опробован фоторезист (материал, с помощью которого переносится рисунок схемы на кремниевую пластину) и созданы устойчивые для жёсткого излучения бланки для изготовления фотошаблонов.

Первый коммерческий сканер ASML для EUV-литографии (NXE:3300B)

Первый коммерческий сканер ASML для EUV-литографии (NXE:3300B)

Следующим на очереди должен оказаться 5-нм техпроцесс. До запланированного начала выпуска 5-нм решений остаётся примерно два года. Компания TSMC в январе начала строить завод для размещения производственного оборудования под эти нормы производства. Но проблема в том, что до сих пор опытный выпуск 5-нм решений демонстрирует запредельный уровень появления дефектов. Специалисты не раз на это указывали. И одна из главнейших проблем — это отсутствие фоторезиста, способного без искажений перенести на пластину элементы изображения кристалла. Причём дефекты в данном случае образуются случайным образом, и обнаружить их — это вторая большая и, фактически, насущная проблема. На решение этих проблем отводится не больше полутора лет.

Исследования Imec показывают, что производство с нормами 5 нм сопровождается многочисленными дефектами

Исследования Imec показывают, что производство с нормами 5 нм сопровождается многочисленными дефектами

На конференции SPIE Advanced Lithography 2018, которая прошла с 25 февраля по 1 марта, специалист Imec Грег Макинтайр (Greg McIntyre) сообщил, что новейшие EUV-сканеры доказали способность «печатать» элементы с размерами 20 нм и крупнее, которые предусмотрены в рамках 7-нм производства, но дальнейшее уменьшение геометрических размеров элементов под вопросом. Сам Макинтайр верит, что решения для устранения так называемого стохастического (вероятностного) эффекта будут вскоре найдены, но это лишний раз убедило скептиков, что будущее массовой EUV-литографии всё ещё не определено. Всё может быстро закончится, так и не начавшись. Особенно с учётом того, что EUV — это крайне дорогое удовольствие, которое не позволяет рассчитывать на краткосрочный эффект от вложений.

Сводная таблица с размерами элементов в основных «слоях» современных процессоров для 7-нм, 10-нм и 5-нм техпроцессов

Сводная таблица с размерами элементов в основных «слоях» современных процессоров для 7-нм, 10-нм и 5-нм техпроцессов

В процессе поиска «бездефектного» фоторезиста в институте Imec испытали около 350 комбинаций материалов и процессов. Все они показали случайное возникновение дефектов при выполнении элементов с размерами около 15 нм, которые необходимо изготавливать в рамках 5-нм техпроцесса. По мнению ветерана компании Intel Яна Бородовски (Yan Borodovsky), спасти ситуацию может отказоустойчивая архитектура процессоров, которая будет маскировать дефекты в силу особенностей проектирования решений. На такое, например, способны нейронные сети.

Впрочем, маловероятно, что Intel или AMD смогут внести настолько серьёзные изменения в архитектуру процессоров, чтобы воспользоваться преимуществами EUV-литографии. Скорее всего, они дождутся выхода новых EVU-сканеров ASML с улучшенными оптическими характеристиками, что произойдёт с период с 2020 по 2024 годы, или учёные создадут устойчивый к жёсткому излучению фоторезист с необходимыми свойствами.

Источник:

Samsung приступает к строительству завода для выпуска 7-нм чипов

В нынешнюю пятницу, как сообщают южнокорейские источники со ссылкой на официальных представителей Samsung Electronics, компания торжественно откроет строительство нового полупроводникового завода. Цеха новой фабрики будут возведены рядом с действующим предприятием Line 17 вблизи города Хвасон (Hwasung). Первой и основной продукцией нового завода станут 7-нм чипы, что произойдёт ближе к концу 2019 года. Похоже, Samsung перенимает манеру у компании TSMC, которая взяла моду строить новый завод для каждого нового техпроцесса.

Мощности нового предприятия отдадут для нужд контрактного производства Samsung Foundry. Ожидается, что на предприятии будут размещены до 10 EUV-сканеров компании ASML, стоимость каждого из которых превышает $100 млн. Сейчас для нужд Samsung Foundry на заводе Line 17 работает одна EUV-установка. С вводом в строй новых линий в 2019 году использование EUV-проекции примет совсем другой размах.

Вкратце напомним, Samsung намерена первой начать частичное использование сканеров EUV для выпуска массовых чипов. Это произойдёт применительно к первому поколению 7-нм техпроцесса компании уже во второй половине текущего года. В 2019 году компания начнёт выпускать чипы с использованием второго поколения 7-нм техпроцесса с более глубокой интеграцией сканеров EUV в производство. Компания TSMC, например, начнёт использовать EUV проекцию только применительно ко второму поколению фирменного 7-нм техпроцесса, и это будет лишь в следующем году.

Первый коммерческий сканер ASML для EUV-литографии (NXE:3300B)

Первый коммерческий сканер ASML для EUV-литографии (NXE:3300B)

На рынке контрактного производства чипов Samsung отстаёт от TSMC, GlobalFoundries и UMC, занимая четвёртое место, за которое соперничает с китайской компанией SMIC. Раннее внедрение проекции с длиной волны 13,5 нм даёт компании шанс пройти по ухабам новых технологий и раньше других научиться выпускать полупроводники с лучшей рентабельностью и с лучшими характеристиками. Нечто подобное в новейшей истории компании произошло, когда они на полтора года раньше других приступили к выпуску памяти 3D NAND. Около полутора лет Samsung выпускала 3D NAND себе в убыток, зато потом её прибыль на этом поприще взлетела ракетой.

Завод 17 Line Samsung (http://english.etnews.com)

Завод 17 Line Samsung (http://english.etnews.com)

Увы, в контрактном производстве Samsung не так проворна. Тайваньская TSMC 26 января приступила к строительству 300-мм завода Fab 18 в южном научном парке Тайваня (Southern Taiwan Science Park, STSP). Это предприятие начнёт выпускать 5-нм полупроводники примерно в одно время с запуском 7-нм линий Samsung, первый камень в фундамент которых заложен в эту пятницу. Впрочем, это бег на длинную дистанцию. Победит не первый, а добежавший.

Источник:

Samsung обошла Intel по технологичности производства массивов SRAM

На конференции Solid-State Circuits Conference 2018 (ISSCC) представители компании Intel подтвердили продолжение действия закона Мура, показав рост плотности транзисторов по мере снижения масштаба техпроцесса. При переходе с 14-нм техпроцесса на 10-нм размеры ячейки памяти SRAM уменьшились: до 0,0312 мкм2 для высокоплотной версии техпроцесс и 0,0367 мкм2 для низковольтной версии (подробнее см. в сводной таблице ниже).

Для производства 10-нм решений компания Intel использует иммерсионную литографию и 193-нм сканеры. Компания Samsung, как уже известно, первой начнёт коммерческую эксплуатацию EUV-сканеров с длиной волны 13,5 нм, что произойдёт во второй половине текущего года. После доклада Intel на ISSCC 2018 представитель Samsung рассказал об опытном производстве полностью рабочих 7-нм 256-Мбит  массивов SRAM с использованием EUV-сканеров. Размеры 6-транзисторрной ячейки SRAM в версии Samsung оказались равны 0,026 мкм2.

EUV-сканер компании ASML

EUV-сканер компании ASML

По словам представителя Intel, компания Samsung по технологичности производства полупроводников опередила её «в пределах каких-то 15 %». Однако аналитики заметили, что Intel впервые публично призналась в том, что по совершенству производства она идёт за кем-то следом. Это сам по себе знаковый факт.

Также в Samsung сообщили, что смогли на 75 % снизить сопротивление разрядной шины, что обычно является вызовом для проектировщиков. Ещё одним положительным моментом стало снижение на 20 % нестабильности при установке минимальных рабочих напряжений. Наконец, использование EUV-проекции дало больше простора проектировщикам для маневрирования количеством сквозных металлизированных соединений (скорее всего, речь об увеличении числа сквозных соединений, что упрощает горизонтальную разводку). Всего для производства 256-Мбит массива SRAM компания использовала EUV-проекцию для 3–4 рабочих слоёв.

Опытный массив SRAM Samsung ёмкостью 256 Мбит, техпроцесс 7 нмс использованием EUV-литографии

Опытный массив SRAM Samsung ёмкостью 256 Мбит, техпроцесс 7 нм с использованием EUV-литографии

В связи с успехами Samsung по внедрению EUV-литографии нелишне вспомнить о компании TSMC. Тайваньский контрактник на конференции рассказал о 7-нм трансляторе для кеш-памяти L1, рабочая частота которого составляла 4,4 ГГц. Для сравнения, частоты трансляторов кеш-памяти L1, выполненные с использованием 16-нм техпроцесса, доходят до 3 ГГц. Подобный рост производительности при переходе на 7-нм техпроцесс несомненно понравится как разработчикам SoC для смартфонов, так и проектировщикам CPU и ускорителей вычислений.

Источник:

В 2019 году появятся смартфоны со сверхпрочным алмазным покрытием экрана

От падения смартфона никто не застрахован. И если он упадёт экраном вниз, то, скорее всего, это закончится трещиной в дисплее, ремонт которого обойдётся владельцу устройства в немалую сумму.

Производители используют для защиты экранов мобильных устройств от повреждений при ударах и падениях химически усиленное стекло Gorilla Glass, небьющиеся покрытия, а иногда и сапфировое стекло.

Ресурс Cnet сообщил о разработке компанией Akhan Semiconductor нового вида сверхпрочного покрытия — «алмазного стекла», которое можно применять для защиты экрана в сочетании с другими видами покрытия, как, например, Gorilla Glass, в качестве верхнего слоя.

В «алмазном стекле» Mirage Diamond Glas используется нанокристаллическая структура с кристаллами, распределёнными случайным образом, а не выстроенными вдоль кристаллографических плоскостей, что препятствует появлению в нём глубоких трещин и повреждению находящегося под ним материала.

Изготовленное из алмазов, выращенных в лаборатории, стекло Miraj Diamond Glass обещает быть гораздо более прочным, чем другие материалы, используемые для покрытия хрупкого электронного дисплея телефона. Первые сообщения об «алмазном стекле» Mirage Diamond Glass появились в феврале прошлого года. Тогда генеральный директор Akhan Semiconductor Адам Хан (Adam Khan) пообещал, что устройства с алмазным покрытием экрана появятся на рынке к концу 2017 года, однако этого не произошло.

Теперь Адам Хан говорит, что многообещающая новая технология была проверена с партнёрами, раскрыть которых компания пока не готова. Партнёры Akhan Semiconductor провели стресс-тестирование «алмазного стекла» на прочность, а также убедились, что алмазное покрытие передаёт электрические сигналы и не создаёт помех для управления телефоном с помощью касаний сенсорного экрана.

По словам Хана, сейчас ведётся работа над минимизацией отражательной способности «алмазного стекла». На экране с более высоким коэффициентом отражения труднее читать текст из-за возникновения бликов. Для устранения бликов приходится увеличивать яркость, из-за чего быстрее разряжается аккумулятор телефона.

Хан заявил, что первые гаджеты с покрытием Mirage Diamond Glass появятся в 2019 году. Скорее всего, это будет флагманское устройство, так как процесс изготовления и нанесения на дисплей «алмазного стекла» стоит недёшево.

Адам Хан также сообщил, что его компания сотрудничает только с одним вендором в каждой категории устройств. В случае успеха сотрудничества с производителем смартфонов, «алмазное стекло» может появиться в фитнес-трекерах и других устройствах.

Источник:

Японцы показали возможность цифровой модуляции единичными электронами

Японский национальный институт AIST (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology) совместно с рядом ведущих учебных и исследовательских подразделений, включая небезызвестную компанию Nippon Telegraph and Telephone Corporation, разработал первую в мире технологию и схемотехнику для управления цифровой модуляцией с помощью манипуляции единичными электронами. Это открывает путь к электронике с предельно малыми токами, которые только возможны, ведь ток — это поток электронов и что может быть меньше, чем перенос заряда единичным электроном?

Электронная полупроводниковая схема для манипуляцией одним электроном и принцип использования цифрового сигнала для дальнейшей модуляции (AIST)

Электронная полупроводниковая схема для оперирования одним электроном и принцип использования цифрового сигнала для дальнейшей модуляции (AIST)

Разработки одноэлектронных приборов (транзисторов) ведутся достаточно давно и не только японцами. Например, десять лет назад наш сайт рассказывал об одноэлектронных транзисторах из графена. Как и другие разработчики, специалисты института AIST использовали принцип кулоновской блокады, когда в одном ограниченном пространстве не может находиться больше допустимого числа электронов — сила отталкивания не даёт им приблизиться ближе допустимого. Созданы прототипы электронных приборов с дозированным испусканием электронов в одном направлении — это источники постоянного тока. Учёные AIST преуспели в том, что первыми сумели создать одноэлектронные приборы для генерации переменного тока в достаточно широком частотном диапазоне: от нуля герц до мегагерц. И это, подчеркнём, предельно малые из возможных токов на уровне нескольких фемтоампер (10−15 А).

Два вида модуляции, воспроизведённые с помощью одноэлектронного сигнала (AIST)

Два вида модуляции, воспроизведённые с помощью одноэлектронного сигнала (AIST)

Для создания переменного тока минимального уровня была создана электронная схема, управляющая единичным электроном как для создания постоянного тока, только в схему были добавлены приборы для управления периодом испускания электронов. По сути, единичные электроны использовались для цифровой модуляции волны заданной формы. Регулируя интервалы времени между испусканием электронов с помощью обычного цифрового сигнала, который подавался на контакты одноэлектронной «пушки», исследователи смогли сформировать на выходе как синусоиду, так и прямоугольную волну. Это обычная цифровая модуляция, только амплитуда волны измерялась значениями токов на уровне энергетических состояний одного электрона.

Полученная на практике синусоида и прямоугодьная волна частотой 80 кГц с амплитудой 5 пикоампер (AIST)

Полученная на практике синусоида и прямоугольная волна частотой 80 кГц с амплитудой 5 пикоампер (AIST)

Разработанная в институте AIST технология жизненно необходима для дальнейшего развития электроники. Это ключ к пониманию процессов в цепях наноуровня, ведь с такими инструментами можно с высочайшей точностью измерить токи и напряжения, а также на практике изучить физику процессов, проходящих где-то там внизу, где полно места, как говорил великий физик Ричард Фейнман.

Источник:

Литиево-ионные аккумуляторы из вторсырья окажутся не хуже новых

По сравнению с другими источниками автономного питания литиево-ионные аккумуляторы выпускаются в относительно небольших объёмах, но рост парка электромобилей качнёт ситуацию в другую сторону. Пройдёт пять или десять лет и объём отработанных литиево-ионных аккумуляторов превысит несколько миллионов тонн в год. Это не только рост потребления редких ресурсов в виде лития, кобальта и других материалов, которые не бесконечны, это также загрязнение земли и вод от отработанных батарей. Не пора ли об этом подумать?

Восстановленный материал для катода литиево-ионного аккумулятора (University of California San Diego)

Восстановленный материал для катода литиево-ионного аккумулятора (University of California San Diego)

Сегодня утилизируется примерно 5 % отработавших свой ресурс литиево-ионных аккумуляторов. Это очень маленькая цифра на фоне ожидаемого спроса на данный вид батарей. Перед учёными стоит задача создать техпроцесс по доступной утилизации аккумуляторов или, в идеальном случае, по повторному использованию материалов в новой продукции. Такой техпроцесс разработан в лаборатории Калифорнийского университета в Сан-Диего (University of California San Diego).

Профессор Женг Чен (Zheng Chen) разработал технологию восстановления материала катода отработанной литиево-ионной батареи. Техпроцесс с небольшими изменениями одинаково подходит для восстановления литиево-кобальтового оксида и соединения NMC (никеля, марганца и кобальта). В первом случае речь идёт о катодах из аккумуляторов для электроники, а во втором — о катодах из аккумуляторов для электромобилей (преимущественно).

Лабораторные опыты подтвердили полное восстанлвление катода (University of California San Diego)

Лабораторные опыты подтвердили полное восстановление катода (University of California San Diego)

Отработанный катод, лишившийся большей части ионов лития и с нарушенной кристаллической решёткой соединения, помещается в щелочной раствор с солями лития. Затем происходит быстрый и кратковременный нагрев смеси до 800 градусов по Цельсию, после чего раствор медленно остывает. Если из прошедшего такую обработку материала снова создать катод для литиево-ионного аккумулятора, то батарея будет вести себя как будто она сделана из совершенно новых и только что добытых материалов. Тесты в лаборатории показали, что аккумулятор с катодом из восстановленного материала ни в чём не уступает аккумулятору с катодом, изготовленным из свежего сырья.

Новейшие автомобильные литиево-ионные аккумуляторы Samsung

Новейшие автомобильные литиево-ионные аккумуляторы Samsung

Разработка учёных убивает нескольких зайцев. Экономятся земные ресурсы, отходы не будут засорять окружающую среду, а аккумуляторы из «вторсырья» могут стать дешевле. Предложенный профессором Женг Ченом техпроцесс вдвое экономичнее задействованных сегодня при переработке катодов. Так, на восстановление первичных свойств материала уходит 5,9 мегаджоулей, что эквивалентно трём четвёртым бокала бензина. Для внедрения техпроцесса на производство необходимо создать автоматизированную систему извлечения катодов из аккумуляторов вне зависимости от формфактора батарей и адаптировать лабораторные операции до промышленного уровня. Планируется, что переработкой будут заниматься предприятия, расположенные в Азии.

Soft
Hard
Тренды 🔥