Новости Hardware → нанотехнологии
Быстрый переход

Учёные выяснили, что кремний может сохранять проводимость при сверхнизких уровнях заряда

Казалось бы, если в электронике что-то изучено наиболее досконально, то это свойства кремния. Оказалось, что это не так. Исследователи из американского Национального института стандартов и технологий (NIST) придумали новый метод измерения мобильности заряжённых частиц в кремнии, который если не перевернул, то значительно расширил представление о процессах переноса заряда в полупроводниках.

Отчёт об исследовании опубликован в журнале Optics Express. Предложенный учёными метод позволил провести наиболее чувствительные измерения скорости движения электрического заряда в кремнии, а это показатель его эффективности в качестве полупроводника. Как следствие, новый метод позволит точнее оценить влияние на проводимость кремния тех или иных легирующих добавок и создаст основу для улучшения характеристик полупроводниковых приборов. Это шанс улучшить работу чипов практически даром только за счёт лучшего понимания процессов. Провести тюнинг, если так можно выразиться.

Традиционно подвижность электронов и дырок в кремнии измеряли методом Холла. Этот метод предполагает, что на образце кремния (полупроводника) распаиваются контакты для пропускания электрического тока. Недостатком этого способа является то, что в местах пайки образуются дефекты или появляются примеси, которые вносят искажения в результаты измерения.

Для чистоты эксперимента учёные из NIST воспользовались бесконтактным методом. На образец кремния сначала подавался свет слабой интенсивности в виде сверхкоротких импульсов видимого света, а затем образец облучался импульсами излучения в дальнем инфракрасном или микроволновом диапазоне. Слабый видимый свет производил на кремний эффект фотолегирования: в слое кремния возникали заряжённые частицы в виде электронов и дырок.

Видимый свет, по понятным причинам, в толщу кремния проникнуть не мог. Именно для этого фотолегированный образец облучался терагерцевым излучением (в дальнем инфракрасном диапазоне), для которого кремний прозрачен. И чем больше в образце заряжённых частиц, тем больше света проникает или поглощается образцом. При этом важно отметить, что для более точного измерения подвижности электронов в образце его толщина должна была быть довольно большой ― до 1 мм. Это исключало влияние на измерения дефектов на поверхности образца.

В то же время перед исследователями стояла другая проблема. Количество «внесённых» видимым светом электронов и дырок в образце должно было быть как можно меньше, чтобы понизить порог чувствительности при измерениях. Обычно для этого образец облучался одним фотоном, но в случае толстого образца один фотон выбивал в кремнии недостаточно заряжённых частиц. Выход был найден в облучении образца двумя фотонами видимого света. После этого терагерцевое излучение свободно проходило через образец при минимальном числе заряжённых частиц в объёме материала. По утверждению учёных, порог чувствительности удалось понизить в 10 раз со 100 трлн носителей заряда на см2 до 10 трлн.

Как только порог чувствительности был понижен, выяснилось удивительное. Подвижность электронов в кремнии оказалась способна расти даже до весьма разреженного состояния носителей в материале, о чём раньше никто не подозревал. Собственно, сама подвижность оказалась на 50 % выше, чем считалось ранее. Для контрольной проверки подобный эксперимент был проведён с арсенидом галлия (GaAs), тоже светочувствительным полупроводником. Обнаружилось, что подвижность носителей заряда в этом материале продолжает расти по мере снижения их плотности. Измеренный новым методом предел плотности носителей оказался примерно в 100 раз ниже, чем до этого считалось.

Что из всего этого следует? В далёком или не очень далёком будущем полупроводники смогут работать при очень низких уровнях заряда. По крайней мере, теоретический предел отодвинут достаточно далеко. Это и высокочувствительные солнечные панели, и однофотонные детекторы (привет квантовым компьютерам!), сверх энергоэффективная электроника и многое другое.

Источник:

Составлено руководство для оценки надёжности силовых GaN-транзисторов

Какими бы передовыми ни были полупроводниковые разработки, без утверждённых стандартов и руководств по тестированию продуктов далеко не уедешь. Чтобы гарантировать качество товара, проектировщикам необходимо точно знать характеристики продуктов и иметь возможность получить независимую экспертную оценку. Всё это в полной мере касается нового класса так называемых широкозонных полупроводников, стандарты которых разрабатывает комитет JEDEC.

Перспективные направления для силовых элементов на основе нитрида галлия

Перспективные направления для силовых элементов на основе нитрида галлия

Вчера рабочая группа комитета JEDEC по вопросам стандартизации широкозонных полупроводников сообщила о публикации руководства по процедурам оценки надёжности коммутации для устройств преобразования энергии на основе нитрида галлия (документ JEP180). Рекомендации созданы рабочей группой JEDEC JC-70, которая с октября 2017 года работает над стандартами для дискретных и интегрированных решений на основе нитрида галлия и карбида кремния (SiC).

В общем случае полупроводники с широкой запрещённой зоной (Wide Bandgap) характеризуются низким динамическим сопротивлением и низким пороговым напряжением переключения. Силовые транзисторы на основе GaN и SiC легко выдерживают высокие токи при очень компактных размерах. Кроме того, эти материалы показывают минимальные потери на переходных процессах, а это означает рост КПД блоков питания и инверторов. Электротранспорт, энергетика на возобновляемых ресурсах, микроэлектроника ― всё это и много другое выиграет от перевода подсистем питания на GaN- и SiC-элементную базу.

Для успешного применения силовых транзисторов GaN необходимо продемонстрировать как надёжную работу в приложениях преобразования питания, так и подтвердить длительную работу в режимах коммутации. Существующие тесты для кремниевых силовых транзисторов не могут в полной мере подходить для тестирования силовых транзисторов на основе нитрида галлия. Представленное рабочей группой комитета JEDEC руководство JEP180 впервые с момента распространения GaN-транзисторов позволит оценить надёжность приборов на технологическом уровне.

Основные производители полупрводников на базе нитрида галлия

Основные производители полупроводников на базе нитрида галлия

В документе, который разрабатывался свыше двух лет, содержатся рекомендации по тестам на переключение в ускоренных режимах для определения срока службы транзисторов, по тестированию в режимах повышенных рабочих температур, в режиме истощения и в других режимах, включая интегрированные. Особенно ценным представленное руководство окажется для автомобильного и промышленного рынков, где важность подтверждения заявленных характеристик крайне высока. И можно лишь удивляться, что данное руководство не появилось десять или около того лет назад, когда силовые транзисторы на основе нитрида галлия начали понемногу появляться на горизонте.

Источник:

GlobalFoundries готова выпускать чипы со встроенной 22-нм памятью eMRAM

Перспективная энергонезависимая магниторезистивная память eMRAM сделала ещё один шаг по направлению к массовому рынку. Главным недостатком eMRAM считается сравнительно низкая плотность записи. Компенсировать это можно с помощью более тонких технологических норм, тогда как все остальные достоинства eMRAM сохраняются ― это устойчивость к износу, скорость и надёжность. И за этот новый шаг нужно поблагодарить компанию GlobalFoundries.

Информация в ячейке MRAM хранится в виде намагниченности слоёв

Информация в ячейке MRAM хранится в виде намагниченности слоёв

В четверг GlobalFoundries заявила, что её платформа 22FDX для выпуска полупроводников готова к производству решений со встроенной памятью eMRAM. Техпроцесс 22FDX подразумевает технологические нормы 22 нм на пластинах с полностью обеднённым кремнием на изоляторе (FD-SOI). Транзисторы в логике 22FDX всё ещё планарные и не используют вертикальных рёбер, как в случае транзисторов FinFET. Однако за счёт снижения утечек на пластинах FD-SOI скоростные и энергоэффективные характеристики планарных 22-нм транзисторов оказываются не хуже чем у 14/16-нм FinFET транзисторов.

Производством чипов со встроенной памятью eMRAM с использованием техпроцесса 22FDX будет заниматься завод GlobalFoundries в Дрездене, который обрабатывает кремниевые пластины диаметром 300 мм. Цифровые проекты контроллеров и другой логики со встроенной памятью eMRAM с нормами 22FDX клиенты компании предоставят в течение нескольких следующих месяцев. Тем самым можно ожидать, что массовое производство контроллеров со встроенными 22-нм блоками eMRAM начнётся до конца 2020 года (хотя оно ожидалось на год раньше).

До этого момента для выпуска чипов со встроенной памятью eMRAM будет использоваться техпроцесс с нормами 28 нм на пластинах SOI (обычный кремний на изоляторе). Такие решения выпускали компании GlobalFoundries, Samsung и NXP. Выгода от использования памяти eMRAM вместо встраиваемой памяти NAND-флеш в том, что память eMRAM выдерживает до 100 тыс. циклов перезаписи, тогда как память NAND может выдержать не более 30 тыс. циклов перезаписи. Также память eMRAM быстрее, поскольку она не требует операции по стиранию перед операцией записи в ячейку. Такая память станет находкой для автомобильной электроники и для устройств Интернета вещей.

Источник:

IMEC прокладывает путь к производству 3-нм полупроводников

На повестке дня стоит начало массового производства 5-нм чипов. Следующий шаг ― освоить выпуск 3-нм решений. Несмотря на небольшое различие в технологических нормах, этот маленький шаг потребует значительных исследований. И на первую линию борьбы за 3-нм производство вышли исследователи из Бельгии и Нидерландов.

На этой неделе на годовом мероприятии SPIE Advanced Lithography Conference бельгийский исследовательский центр Imec сделал доклад о прорыве в деле литографического производства чипов с использованием EUV-проекции. С помощью серийного сканера NXE:3400B компании ASML, но с массой уникальных настроек, исследователи смогли за один проход сканера создать линейный рисунок с шагом 24 нм.

Это разрешение необходимо для выпуска полупроводников с нормами 3 нм. Оно критическое для изготовления металлических контактов в так называемом «нижнем» слое чипов или BEOL (back-end-of-line), где расположена многоуровневая система соединений кристалла с монтажной платой. Опыт произведён в новой «чистой комнате» Imec, где специалисты центра вместе с инженерами компании ASML разрабатывают новые материалы для производства чипов с нормами 3 нм и меньшими.

Предметом для пристального излучения остаётся фоторезист ― фоточувствительный материал, который даёт возможность перенести рисунок кристалла с фотошаблона на кремниевую пластину. Фоторезист для техпроцессов с нормами свыше 7 нм не годится для работы со сканерами EUV при проекции с нормами менее 5–3 нм. Он банально разрушается под воздействием высокоэнергетического пучка сверхжёсткого излучения.

В совместном исследовании специалисты Imec и ASML смогли таким образом настроить излучающую установку, чтобы снизить энергию пучка излучения до безопасного для фоторезиста уровня и добиться минимальных искажений при передаче рисунка с фотошаблона на слой фоторезиста на пластине.

Полученные в результате эксперимента данные помогут в дальнейшем при переходе на сканеры с ещё лучшим разрешением ― на установки EXE:5000. Ключевой особенностью сканеров ASML EXE:5000 станет новая оптическая система с увеличенной цифровой апертурой со значения 0,33 до 0,55. Эта установка за один проход обещает рисовать линии с шагом 8 нм, а появится она примерно через два года. К этому времени необходимо разработать фоторезист, который бы мог выдерживать высокую энергию пучка на меньшей площади.

Источник:

Печатная электроника добралась до органических фотодетекторов

Очевидно, печатать электронику на промышленных струйных принтерах дешевле и чище, чем многократно обрабатывать кремниевые пластины кислотами и газами. Сегодня струйные технологии зашли в производство OLED, а в будущем они обещают подтолкнуть в развитии печатную электронику. Например, немцы предлагают печатать фотодиоды для нужд связи и не только.

Команда исследователей из Технологического института Карлсруэ (KIT) разработала печатные органические фотодиоды, которые способны улавливать заданные длины волн светового излучения. В настоящее время фотодетекторы широко применяются в датчиках движения, камерах, световых барьерах и в массе других приложений. В будущем фотодиоды могут широко использоваться для передачи данных в видимом диапазоне. Это сравнительно новая тема беспроводной связи на базе систем освещения помещений.

По мнению отраслевых аналитиков, внутренняя сеть в зданиях на основе передачи данных в видимом диапазоне гораздо безопаснее (сильнее защищена от взлома), чем традиционные WLAN или Bluetooth. Печать фотодетекторов может ускорить и удешевить распространение сетей этого типа. Печатными датчиками можно будет вооружать носимую электронику на гибких подложках и устройства для Интернета вещей.

Учёные их Карлсруэ смогли разработать составы материалов на основе органических соединений, которые улавливают световое излучение строго заданной длины волны. Производство таких детекторов, как сказано выше, адаптировано для струйной печати.

Статья о результатах исследования опубликована в Advanced Materials (доступ к оригинальной статье свободно открыт). Изюминка открытия в том, что датчики работают без цветных фильтров. Это повышает чувствительность, ведь материал фотодетектора напрямую взаимодействует со светом, и токи в его структуре возникают лишь под воздействием заданных длин волн. Плюс ко всему этому удешевление производства. Кстати, по словам немецких учёных, представленная технология готова для массового производства.

GlobalFoundries рассчитывает на рост спроса на чипы на подложках SOI

Арабо-американская компания GlobalFoundries остановилась в развитии норм технологического процесса на этапе освоения 12 нм. Чтобы не потерять клиентов, она решила довести до идеала производство чипов с этими и более крупными нормами производства. Например, GlobalFoundries предлагает выпускать микросхемы на подложках SOI, что даёт экономию по деньгам без ухудшения характеристик чипов.

Накануне GlobalFoundries сообщила, что между ней и тайваньской компанией GlobalWafers подписан меморандум о взаимопонимании по увеличению емкости поставок 300-мм кремниевых пластин SOI (кремний на изоляторе). Тайваньская GWC является одним из ведущих мировых производителей 200-мм SOI-пластин, которые, в том числе, давно поставляет компании GlobalFoundries. Объёмы производства 300-мм подложек SOI у неё пока относительно скромные. Подписанный между GlobalFoundries и GlobalWafers договор о взаимопонимании по этому вопросу позволяет обеим компаниям рассчитывать в будущем организовать взаимное сотрудничество на ниве производства и закупок 300-мм подложек SOI.

В настоящий момент по закупкам подложек SOI (FD-SOI) GlobalFoundries находится в договорных отношениях с французской компанией Soitec. Контракт между ними был заключён в 2017 году сроком на пять лет. Через два года срок его действия истечёт. Сегодняшний договор между GlobalFoundries и, фактически, конкурентом Soitec, компанией GlobalWafers, позволит в будущем диверсифицировать поставки SOI-пластин и установить на эту продукцию более интересную для GlobalFoundries закупочную цену.

Иными словами, GlobalFoundries приходится как-то выкручиваться там, где Samsung или TSMC имеют безоговорочное лидирующее положение. Производство чипов на пластинах SOI (FD-SOI) позволяет получить полупроводники с такими же характеристиками, как решения с более мелкими нормами производства. Например, 22-нм планарные транзисторы на пластинах SOI будут похожи по производительности и потреблению на FinFET транзисторы, выпущенные с использованием 14-нм техпроцесса.

Компания GlobalFoundries на пластинах SOI приспособилась выпускать чипы с радиочастотными (RF) компонентами. Это могут быть решения для мобильных устройств и для устройств Интернета вещей. Обе этих сферы развиваются по экспоненте, что позволяет GlobalFoundries рассчитывать на многолетнюю успешную работу. Возможная потребность в большем количестве пластин SOI, которое компания собирается покрыть за счёт нового партнёра с Тайваня, прозрачно намекает на подобное развитие событий.

Источник:

Samsung начала массовый выпуск 16-Гбайт памяти LPDDR5 для смартфонов

Смартфоны уже не первый год опережают ноутбуки и настольные ПК по объёму оперативной памяти на борту. Компания Samsung решила ещё сильнее увеличить этот разрыв. Для будущих аппаратов премиального класса она начала масштабный выпуск 16-Гбайт чипов DRAM LPDDR5.

Новые микросхемы памяти Samsung рекордной ёмкости состоят из 12 сложенных в столбик кристаллов. Восемь из них имеют объём по 12 Гбит, а четыре ― по 8 Гбит. В сумме выходит одна микросхема памяти объёмом 16 Гбайт. Очевидно, что если бы все кристаллы в стеке были бы по 12 Гбит, то Samsung представила бы 18-Гбайт чип, что, вероятно, она сделает в обозримом будущем.

Микросхема Samsung ёмкостью 16 Гбайт выполнена в стандарте LPDDR5 с пропускной способностью 5500 Мбит/с по каждому контакту шины данных. Это примерно в 1,3 раза быстрее, чем в случае мобильной памяти LPDDR4X (4266 Мбит/с). Если сравнивать с 8-Гбайт чипом LPDDR4X (упаковкой), то новая 16-Гбайт микросхема LPDDR5 на фоне двукратного удвоения объёма и роста скорости обеспечивает 20-процентную экономию по потреблению.

Отметим, 16-Гбайт чип LPDDR5 собран из кристаллов памяти, выпущенных с использованием второго поколения техпроцесса класса 10 нм. Во второй половине этого года на предприятии в Южной Корее Samsung обещает приступить к массовому выпуску 16-Гбит кристаллов LPDDR5 с использованием третьего поколения техпроцесса класса 10 нм. Эти кристаллы будут не только самыми ёмкими, но также будут более быстрыми с пропускной способностью 6400 Мбит/с на контакт.

Современные премиальные смартфоны и смартфоны ближайшего будущего, уверены в Samsung, не смогут обойтись без внушительного объёма оперативной памяти. «Умная» фотография с расширением динамического диапазона и другими «фишками», мобильные игры с потрясающей графикой, виртуальная и дополненная реальности ― всё это с подкреплением сетями 5G с увеличенной пропускной способностью и, что более важно, с уменьшенными задержками потребует более быстрого роста памяти в смартфонах, а не в ПК.

Источник:

В 2020 году сканеры для полупроводниковой литографии получат новые лазеры

В основе сканеров для полупроводниковой литографии лежат мощные источники излучения на базе лазеров. От качества и мощности лазеров зависит производительность сканеров и масштаб технологических норм, которых можно достичь на данном этапе производства. Кое-что новое в этой области подготовила японская компания Gigaphoton.

Разнообразие лазерной продукции Gigaphoton

Разнообразие лазерной продукции Gigaphoton

В пятницу компания Gigaphoton сообщила о готовности поставлять клиентам две новые модели эксимерных лазеров ArF (193 нм) и KrF (248 нм). В первом случае речь идёт о модели GT66A для иммерсионной литографии (с погружением в жидкость), а во втором ― о модели G60K. Оба новых лазера обещают привнести новейшие технологии в литографическую печать полупроводников, что требуется для изготовления более быстрых и более плотных интегральных схем. В том числе для новейших направлений в виде искусственного интеллекта, Интернета вещей и сотовой связи 5-го поколения.

Новый иммерсионный лазер GT66A ArF оснащен новейшим оптическим модулем для уменьшения пространственной когерентности и улучшения однородности луча на поверхности для проекции. Лазер G60K KrF представляет собой ― впервые за последние 15 лет ― полностью изменённую модель. За счёт нового блока питания лазера его мощность повышена в 1,5 раза. Это означает, что скорость обработки кремниевых пластин сканерами с лазерами G60K можно будет ощутимо увеличить.

Одним из клиентов на лазеры ArF и KrF компании Gigaphoton является нидерландская компания ASML. Правда, для сканеров диапазона EUV компания ASML использует лазеры собственного производства. Для этого она в 2012 году купила американскую компанию Cymer. Тем самым источники EUV-излучения Gigaphoton так и не стали массовым продуктом для выпуска литографического оборудования для производства чипов. Компания ASML стала единственным поставщиком сканеров EUV, полностью вытолкнув из этой перегретой конкурентной ниши японские Nikon и Canon. Но это уже другая история.

Источник:

Команда учёных из России и Великобритании раскрыла загадку на пути к оптическим процессорам

Несмотря на широкое использование оптических линий связи с трансиверами и лазерами, полностью оптическая обработка данных остаётся тайной за семью печатями. Продвинуться на этом пути поможет новое исследование команды учёных из России и Великобритании, которая раскрыла одну из фундаментальных загадок сильного взаимодействия света и органических молекул.

Органика неспроста заинтересовала учёных. Эволюция земных организмов неразрывно связана с взаимодействием со светом. И связана очень сильно! Знание фундаментальных законов этих связей поможет далеко продвинуться в развитии электроники на базе органических материалов. Светодиоды, лазеры и ставшие популярным экраны OLED ― это лишь малая часть индустрии, которая может ускорить свой рост благодаря новым знаниям.

Прорыв в понимании явлений сильного взаимодействия света с органическими молекулами совершила команда учёных из Лаборатории гибридной фотоники Сколтеха и Университета Шеффилда (Великобритания). Принципы сильной связи открывают уникальные возможности для полностью оптической обработки информации без значительных потерь скорости и энергии сигналов при преобразовании в ток, что происходит сегодня. Данному исследованию посвящена статья в Nature Communications Physics (текст на английском языке свободно доступен по этой ссылке).

Как и в случае предыдущих исследований сильных взаимодействий света (фотонов) с веществами, учёные изучали «смешение» фотонов с электронным возбуждением молекул или экситонами. Взаимодействие фотонов с квазичастицами экситонами ведёт к появлению других квазичастиц ― поляритонов. Поляритоны сочетают в себе высокую скорость распространения света и электронные свойства вещества. Проще говоря, фотон как бы овеществляется и обретает свойства близкие к тому же электрону. С этим уже можно работать!

На базе поляритона можно создать работающий транзистор и, в перспективе, процессор. Для такого вычислителя будут не нужны излучающие и фотопреобразующие датчики, которые имеют низкий КПД и малую производительность, и точку в загадке поляритонных взаимодействий сегодня поставила команд из Сколтеха.

«Из экспериментов известно, что при конденсации поляритонов в органике происходит резкий сдвиг спектральных свойств, причём этот сдвиг всегда приводит к увеличению частоты поляритонов. Это является индикатором нелинейных процессов, протекающих в системе, так же, как, например, изменение цвета металла по мере его нагрева».

Лаборатория гибридной фотоники Сколтеха во главе с профессором Павлосом Лагудакисом

Лаборатория гибридной фотоники Сколтеха во главе с профессором Павлосом Лагудакисом (Фото: Т. Сабиров / Сколтех)

Группа проанализировала экспериментальные данные и установила ключевые зависимости сдвига частоты поляритонов от важнейших параметров взаимодействия света с органическими молекулами. Впервые обнаружено сильное влияние переноса энергии между соседними молекулами на нелинейные свойства поляритонов. Это выявило движущую силу поляритонов. Зная природу механизма, можно развить теорию и подтвердить её практическими экспериментами, например, связать несколько поляритонных конденсатов в единую цепь для построения поляритонных процессоров.

Источник:

Американские учёные научились добывать электричество из влаги в воздухе

Как говорил Артур Кларк, любая достаточно развитая технология неотличима от магии. Американские учёные наглядно доказали этот постулат. Довольно простая с виду установка смогла добыть электричество буквально из воздуха.

Художественное представление разработки (UMass Amherst)

Художественное представление разработки (UMass Amherst)

Группа исследователей из Массачусетского технологического университета в Амхерсте (не путать с MIT) опубликовала в журнале Nature статью, в которой сообщила об интересном изобретении. Созданное учёными небольшое устройство со сторонами 1×2 см смогло добывать электрический ток из окружающей влажности в воздухе. Устройство генерировало ток часами и восстанавливалось для дальнейшей работы после небольшого перерыва.

Генерирующий электричество элемент представляет собой тонкую плёнку толщиной 7 мкм. Но это необычная плёнка. Плёнка состоит из белковых нитей нанометровой толщины. Эти нити производятся в процессе жизнедеятельности бактерий Geobacter sulfurreducens. Это интересные бактерии. Они вырабатывают реагенты, которые позволяют восстанавливать металлы.

В 7-мкм плёнке довольно много слоёв белковых нитей. Естественно, вся толща плёнки пористая и способна абсорбировать влагу из окружающего воздуха. При этом нижний электрод занимает всю площадь под генерирующим элементом, в верхний закрывает только небольшой участок на поверхности плёнки.

Благодаря абсорбции влаги из воздуха в толще плёнки возникает перепад влажности ― создаётся градиент по направлению к нижнему электроду. Из-за молекул воды на поверхности белковых нитей начинают происходить процессы ионизации, что, в свою очередь, приводит к появлению в плёнке подвижных протонов ― носителей заряда. Поскольку влажность плёнки (её градиент) изменяется от одного электрода к другому, возникает также градиент носителей заряда (протонов) и, как следствие, при замыкании электродов или в случае подключения нагрузки в системе начинает течь электрический ток.

Иллюстрация из статьи в Nature

Иллюстрация из статьи в Nature

Эксперимент показал, что без нагрузки генератор выдаёт 0,5 В. Достигнутая плотность тока составила 17 мкА на см2. Соединив последовательно 17 таких генераторов и в качестве баланса подключив к нему конденсатор, учёные смогли запитать небольшой экран. В таком состоянии цепь вырабатывала электричество 20 часов, за которые напряжение упало на 30 %. После перерыва в 5 часов напряжение на контактах снова было на уровне первоначального значения.

Исследователи считают, что данное изобретение может привести к появлению источников питания для носимой электроники или нательных медицинских приборов. Влажный воздух есть везде, даже в пустыне Сахара. А ничего другого для работы предложенного генератора больше не нужно.

Источник:

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥