Выпуск микросхем памяти не требует таких серьёзных ноу-хау, как разработка и производство логических микросхем, поэтому китайские производители в первом из сегментов рынка за последние годы неплохо продвинулись на мировой арене. Эксперты TrendForce подсчитали, что южнокорейским конкурентам в результате введения санкций США против Китая удастся отыграть утраченные позиции на рынке памяти.

Источник изображения: Bloomberg

На протяжении нескольких лет, как утверждается в публикации Bloomberg, доля корейских компаний на рынке микросхем оперативной памяти (DRAM) оставалась на одном уровне, поскольку прогрессу в этом смысле препятствовали китайские соперники, но по мере усиления санкций со стороны США у Южной Кореи появляется шанс в этом году увеличить свою долю рынка до 64 %. При этом доля китайских компаний, главной из которых остаётся CXMT, по итогам текущего года сократится до 14 % и продолжит падать как минимум до 2025 года включительно.

Конечно, определённые неудобства для корейских производителей американские санкции против Китая всё же несут. Та же SK hynix половину своих микросхем типа DRAM производит на собственных предприятиях в Китае. К 2030 году эта доля снизится до 40 %, как ожидают специалисты Bloomberg Intelligence. До сих пор корейским производителям удавалось получить отсрочку на реализацию санкций против Китая, но для этого пришлось вести переговоры с властями США на высшем уровне.

Со временем Южная Корея укрепит свои позиции и на рынке твердотельной памяти типа NAND, поскольку американские санкции будут угнетать бизнес ведущего китайского производителя YMTC. Доля китайских производителей на мировом рынке микросхем типа NAND по итогам текущего года достигнет пикового значения в 31 %, но потом будет падать. Южнокорейские же компании в лице Samsung и SK hynix в этом году займут 33 % мирового рынка, но к 2025 году увеличат свою долю до 43 %.

По прогнозам аналитиков Bloomberg Intelligence, китайским компаниям потребуется от пяти до десяти лет, чтобы наладить выпуск передовой памяти типа DRAM с использованием исключительно отечественного оборудования. Сейчас китайские компании в этой сфере зависят от импортируемого оборудования, и на него как раз и распространяются экспортные ограничения США, принятые в октябре прошлого года.

Компания SK hynix представила первые в индустрии стеки высокоскоростной памяти HBM3, состоящие из 12 микросхем. Они обладают объёмом 24 Гбайт. Производитель отмечает, что уже начал рассылать образцы новых стеков своим партнёрам для тестов.

Источник изображений: SK hynix

«Компания разработала новые 24-гигабайтные чипы памяти HBM3, ёмкость которых на 50 % больше, чем у предыдущего продукта, чьи массовые поставки начались в июне прошлого года. Мы сможем начать поставки новых чипов памяти во второй половине текущего года и будем готовы обеспечить спрос на высокоскоростную память на фоне роста популярности технологий специальных чат-ботов на базе ИИ», — говорится в пресс-релизе производителя.

Для производства 12-слойных стеков памяти HBM3 объёмом 24 Гбайт компания SK hynix применяет технологию Advanced Mass Reflow Molded Underfill, представляющую собой метод объединения нескольких чипов памяти на одной подложке посредством спайки, а также технологию сквозных соединений Through Silicon Via (TSV). Она позволяет сократить толщину одного стека памяти на 40 % и в итоге получить чип такой же высоты, как и у 16-гигабайтных стеков HBM3.

SK hynix представила первое поколение высокоскоростной памяти HBM в 2013 году. Эти микросхемы памяти чаще всего используются в системах для высокопроизводительных вычислений (HPC). Новейший стандарт памяти HBM3 считается наиболее оптимальным решением для быстрой обработки больших объёмов данных и поэтому пользуется высоким спросом со стороны ведущих технологических компаний.

Оценка производительности новых 12-слойных стеков высокоскоростной памяти HBM3 объёмом 24 Гбайт продолжается. В то же время компания отмечает, что заинтересованные в новом продукте клиенты уже получили его образцы.

Южнокорейский производитель полупроводников SK hynix привлёк средства в объёме $1,7 млрд в ходе первой продажи конвертируемых облигаций за текущее десятилетие — второй по величине производитель чипов памяти в мире готовится к росту квартальных потерь в связи с падением спроса на чипы в мире. Впрочем, компания вовсе не намерена сдаваться.

Источник изображения: SK hynix

Это первая сделка подобного рода для компании с тех пор как она была куплена SK Group в 2012 году. По данным производителя, средства будут потрачены на покупку материалов для производства чипов и прочие операции схожего характера. По мнению экспертов, поступление средств позволит развеять сомнения, связанные с краткосрочным кризисом ликвидности.

К привлечению средств пришлось прибегнуть после того, как SK hynix отчиталась о рекордных операционных убытках в размере $1,4 млрд в последнем квартале прошлого календарного года. По мнению экспертов, в первом квартале 2023 календарного года ожидаются новые потери и только во второй половине года индустрия чипов памяти начнёт постепенно восстанавливаться.

Единственным букраннером сделки стал Bank of America. Сделка стала крупнейшей за год продажей конвертируемых бондов в Азиатско-Тихоокеанском регионе (за исключением Японии). Известно, что изначально компания планировала привлечь $1,5 млрд, но позже увеличила предложение до $1,7 млрд из-за большой востребованности покупателями. По некоторым данным, спрос на бонды был четверо выше объёма продаж, причём аппетиты инвесторов не пострадали из-за недавней волатильности на мировом финансовом рынке.

По словам вице-председателя SK hynix Пака Чон Хо (Park Jung-ho), недавно выступившего в штаб-квартире компании, производитель не намерен дополнительно сокращать производство, поскольку во второй половине года ожидается улучшение рыночной ситуации. Кроме того, компания намерена построить завод по упаковке чипов в США, как уже сообщалось ранее.

В 2022 году в связи со снижением спроса SK hynix заявила, что снизит инвестиции в 2023 году на 50 % по сравнению с прошлым годом, а также сократит выпуск менее прибыльных продуктов. Тем не менее, на вопрос о возможных дополнительных сокращениях производства, Пак Чон Хо ответил буквально — «мы не будем». В ходе общения с акционерами он выразил надежду, что ситуация улучшится во второй половине 2023 года, чему будет способствовать развитие технологий вроде ChatGPT, требующих очень много памяти.

По информации Bloomberg, парламентарии Южной Кореи сегодня без лишних проволочек одобрили изменения в законодательные нормы, описывающие стимулирующие методы для развития на территории страны кластеров по выпуску полупроводниковой продукции. Налоговые льготы для участников подобной деятельности в новой редакции законов были увеличены.

Источник изображения: Samsung Electronics

Если власти США для развития отечественной полупроводниковой промышленности готовы предоставлять денежные субсидии, то власти Южной Кореи предпочитают стимулировать выделение капитала частными инвесторами за счёт предоставления налоговых вычетов. В частности, крупным производителям чипов, готовым расширять свои мощности на территории Южной Кореи, по новому закону предоставляется налоговый вычет в увеличенном с 8 до 15 % размере, а малые и средние компании могут рассчитывать на все 25 % вместо прежних 16 %.

За принятие новой редакции закона проголосовали 179 членов южнокорейского парламента, против были всего 13 человек. Почти сорок парламентариев воздержались от голосования, а 70 не смогли принять участие в голосовании. В итоге, поправки были приняты в первом чтении. Президент страны выразил свою готовность поддержать принятие этих изменений в законодательство. Напомним, что в середине марта власти Южной Кореи выступили с предложением выделить на развитие национальной полупроводниковой отрасли $422 млрд за ближайшие двадцать лет, причём основной объём инвестиций ожидается со стороны крупного бизнеса типа тех же Samsung Electronics и SK hynix. На долю первой выпадут $229 млрд из этой суммы, компания построит к 2042 году не менее пяти новых предприятий, включая мощности по контрактному изготовлению чипов для сторонних заказчиков.

Южнокорейская SK hynix попросит власти США ещё на год отложить введение ограничений в отношении полупроводникового производства компании, расположенного на территории Китая. Об этом сообщил глава компании Пак Чон Хо (Park Jung-ho).

Источник изображения: SK hynix

Осенью прошлого года США ввели новые санкции против технологического сектора Китая, и в частности усилили ограничения на поставки оборудования для выпуска чипов. Данные санкции касаются не только китайских компаний, но всех предприятий в Китае, в том числе принадлежащих иностранным компаниям. Производители памяти, Samsung и SK hynix, располагающие в Китае большими полупроводниковыми заводами, получили отсрочки сроком на год и пока что могут дальше ввозить оборудование в Китай и модернизировать свои производства, без получения специальных лицензий со стороны американских регуляторов.

По словам руководителя SK hynix, являющейся вторым по масштабам производителем чипов памяти в мире, после завершения разрешённого США «льготного» периода в октябре компания попросит отсрочку ещё на год. Об этом он заявил на собрании акционеров, проходившем в Южной Корее. По его словам, переговоры между властями США и Южной Кореи должны пройти успешно, а SK hynix необходимо выиграть время и оптимизировать систему управления. В итоге, после окончания периода, в котором для корейского производителя пока действуют санкционные послабления, будет подана новая заявка.

Ранее сообщалось, что США могут ограничить уровень, на который южнокорейские компании смогут расти в Китае. SK hynix претендует на значительные средства для развития бизнеса в США. В среду компания заявила, что намерена продолжить реализовать планы строительства новой передовой фабрики по упаковке чипов в Соединённых Штатах, после того как закончится процесс проверки местными регуляторами. Кроме того, компания рассматривает возможность подачи заявки о получении субсидий в рамках американского «Закона о чипах» (Chips Act).

Известно, что в прошлом месяце администрация президента США Джо Байдена (Joe Biden) завила, что потребует от компаний, которым будет выделено в совокупности $52,7 млрд в рамках этого закона, поделиться сверхприбылями и рассказать, как именно они намерены обеспечивать доступный уход за детьми для строителей и сотрудников. Предполагается, что такие меры поддержки привлекут в отрасль больше людей. «Закон о чипах» является краеугольным камнем стратегии США по востановлению полупроводниковой индустрии в стране — это жизненно необходимо США для того, чтобы сохранить лидерство на глобальных рынках.

На конференции ISSCC 2023 представители компании SK hynix выступили с докладом, в котором сообщили о разработке флеш-памяти 3D NAND с более чем 300 слоями. Документ готовили 35 инженеров компании, что лишний раз подчёркивает сложность совершенствования техпроцесса производства многослойной флеш-памяти. Примечательно, что разработчики намерены не только увеличить плотность записи, но и значительно поднять пропускную способность чипов: со 164 Мбайт/с до 194 Мбайт/с.

Предыдущий рекордсмен — 238-слойная 3D NAND SK hynix. Источник изображения: SK hynix

Нетрудно понять, что инженеры SK hynix работают по двум основным и важнейшим направлениям: они намерены повысить плотность записи (снизить стоимость хранения каждого бита данных) и повысить производительность. С появлением «многоэтажной» 3D NAND повышать плотности записи стало довольно просто в идее, но сложно в исполнении — это увеличение числа слоёв с одновременным сокращением шага между слоями. И то и другое ведёт к росту сопротивления линии wordline (WL), соединяющей ячейки в строке матрицы. Этот рост приходится тем или иным образом компенсировать, иначе пострадают быстродействие и энергоэффективность.

Сравнение 238- и 300-слойной 3D NAND

SK hynix рассказала о гипотетическом чипе памяти NAND с более чем 300 слоями, который состоит из трёхбитовых (TLC) ячеек и может похвастаться ёмкостью 1 Тбит. За счёт увеличения числа слоёв плотность размещения ячеек вырастет с 11,55 Гбит/мм² у актуальной 238-слойной памяти до более чем 20 Гбит/мм². Общую производительность памяти предложено поднимать пятью отдельными способами, в целом направленными на ускорение процессов записи, стирания и чтения. Для этого придётся внести изменения в последовательности и тайминги команд.

В частности, предложено реализовать метод тройной проверки программирования (TPGM) вместо ранее двойной проверки DPGM. В новой версии ячейки будут делиться на четыре группы, а не на три. Технология TPGM уменьшает параметр tPROG и это вместе с увеличенной разбивкой примерно на 10 % сократит время программирования ячеек.

Также параметр tPROG уменьшит новая технология адаптивного предварительного заряда невыбранной строки (AUSP). Это ускорит работу с ячейками ещё примерно на 2 %. Ещё немного ускорения получится за счёт снижения ёмкостной нагрузки на линию WL, что обеспечит метод программируемой фиктивной строки (PDS). Метод всепроходного нарастания (APR) даст уменьшение времени считывания (tR), что выразится в сокращении времени реакции линии WL на новый уровень напряжения и улучшит время чтения на 2 %. Наконец, для улучшения качества обслуживания во время стирания применят метод повторного чтения на уровне плоскости (PLRR).

Компиляция по данным о поколениях 3D NAND разных производителей. Источник изображения: blocksandfiles.com

Всё вместе, как сказано выше, позволит поднять скорость работы 1-Тбит 3D NAND TLC компании SK hynix за поколение с 164 Мбайт/с до 194 Мбайт/с с одновременным увеличением плотности записи. Уточним, представители компании не стали и вряд ли могли раскрыть производственный график по выпуску памяти NAND 300+. Можно ожидать, что первые прототипы начнут появляться к концу года или даже не раньше начала 2024 года. Пока же и в течение текущего года в производстве будет находиться память с 230+ слоями, выпуск которой в той или иной степени наладили все главные игроки рынка NAND-памяти.

Для Южной Кореи экспорт полупроводниковых компонентов является важным источником дохода, поэтому власти страны пытаются лавировать между не самой простой рыночной конъюнктурой и постоянно меняющимися требованиями со стороны США. Корейские компании, претендующие на получение субсидий в США на расширение своего бизнеса, рискуют столкнуться с серьёзной неопределённостью, как считают чиновники.

Источник изображения: Samsung Electronics

Своими соображениями на этот счёт, как сообщает Bloomberg, накануне поделился министр торговли, промышленности и энергетики Южной Кореи Ли Чанг Ян (Lee Chang-yang). Оценивая влияние принятого в США так называемого «Закона о чипах», который подразумевает выделение субсидий в размере $52 млрд на строительство предприятий по выпуску чипов на территории страны, южнокорейский чиновник выделил как минимум три причины для беспокойства корейских компаний, претендующих на получение этих субсидий.

Например, получатели субсидий лишаются права инвестировать в расширение своих производственных мощностей в недружественных к США странах, а Samsung и SK hynix располагают в Китае крупными производственными комплексами по выпуску микросхем памяти. И если деятельность SK hynix этими правилами ещё не особо ограничивается, то Samsung Electronics собирается построить в Техасе второе предприятие по контрактному производству чипов, и стоимость проекта в $17 млрд хотя бы частично должна перекрываться субсидиями со стороны властей США. Получатели государственной поддержки, помимо прочего, не смогут использовать бюджетные средства для выкупа собственных акций, они также будут обязаны организовать уход за детьми работников новых предприятий в дневное время, либо компенсировать профильные расходы за счёт работодателя.

Главным же препятствием для участия в программе субсидирования, по словам министра Ли, является неопределённость исхода соответствующих инициатив. Чтобы добиться соответствия своей деятельности выдвигаемым со стороны США требованиям, корейские компании должны будут потратить много времени и сил, и не факт, что эти расходы в итоге окупятся. Проблемой является и необходимость раскрытия дополнительной информации о деятельности руководства компаний, не говоря уже о сложности инвестирования в экономику США на фоне роста процентных ставок и инфляции.

Правительство Южной Кореи готово работать во взаимодействии с коллегами из США, чтобы устранить многие из этих неопределённостей, а также снять избыточную регуляторную нагрузку с корейских компаний, готовых развивать свой бизнес на территории США. В этом процессе целесообразно участие представителей самих компаний, как добавил корейский министр. Попутно власти страны будут развивать собственные программы поддержки национальной полупроводниковой отрасли.

Южнокорейские источники сообщают, что с начала года объём заказов на память HBM резко возрос как у SK hynix, так и у Samsung. Это взвинтило цены на чипы HBM — их закупочная стоимость сегодня в пять раз больше, чем самой передовой традиционной оперативной памяти. Рост спроса вызван взрывной популярностью чат-ботов с ИИ, которые как ничто другое требовательны к пропускной способности памяти. И это скоро изменит весь рынок компьютерной памяти, уверены эксперты.

Компоновка памяти HBM

Неназванный представитель отрасли заявил источнику, что разработка новых техпроцессов больше не в приоритете у производителей чипов памяти. Компании будут соревноваться в выпуске наиболее быстрых чипов памяти, включая решения с обработкой процессов непосредственно в памяти. К последним относится память HBM-PIM, представленная компанией Samsung в феврале 2021 года и компанией SK hynix в феврале 2022 года.

Разработка платформ искусственного интеллекта для многих компаний становится приоритетной, и модули памяти типа HBM и HBM-PIM получают колоссальный толчок, что действительно способно изменить правила игры на рынке памяти. Разработчиков платформ не останавливает то, что память HBM как минимум в три раза дороже обычной памяти. Рост спроса и явная неспособность удовлетворить его в полном объёме уже привели к росту цен на этот тип памяти, что не смягчает динамику, а только её подогревает. Искусственный интеллект и расширение связанных с ним услуг очевидным образом ломает ситуацию.

К компании SK hynix, как к лидирующему производителю чипов HBM3 в очередь выстроились NVIDIA, Intel и AMD. «Цена HBM3 выросла в пять раз по сравнению с самой высокопроизводительной DRAM», — поделился знаниями один из инсайдеров.

Компания SK hynix начала выпускать память типа HBM самой первой, представив её ещё в 2013 году, а дебютировала она в видеокартах AMD Radeon R9 Fury на GPU Fiji в 2015 году. С тех пор этот южнокорейский чипмейкер выпустил HBM второго поколения (HBM2), третьего (HBM2E) и четвёртого (HBM3), обеспечив себе от 60 % до 70 % этого рынка.

Высочайшую производительность памяти HBM обеспечивает стековая компоновка кристаллов, пронизанных сверху донизу сквозными контактами и фактически прямая связь с центральным или графическим процессором. Ни одна другая память не может работать с похожей пропускной способностью, а это самое узкое место в интенсивных вычислениях. Память HBM решает эту проблему намного лучше других типов памяти и это определило её будущее на ближайшие годы бурного развития ИИ.

Компания Meta✴, которая кроме прочего занимается разработкой и производством гарнитур виртуальной и смешанной реальности, намерена сотрудничать с южнокорейскими SK hynix и LG Display для создания Micro-OLED дисплеев, сообщает The Elec. Компания LG Display является ведущим мировым производителем OLED-панелей наряду с Samsung.

Источник изображения: SK hynix

Недавно LG Display заключила соглашение с производителем чипов памяти и других полупроводников SK hynix о совместной разработке и производстве дисплеев Micro-OLED на кремнии. Соглашение LG с Meta✴ подписано ещё раньше, а вскоре такое же соглашение с гигантом соцсетей подпишет и SK hynix. Новый альянс предусматривает разработку Meta✴ нового экрана на кремниевой подложке, SK hynix займётся непосредственно выпуском кремниевых пластин для него, а на LG Display лежит финальная работа — нанесение OLED-элементов на пластины и обрезка до необходимых размеров.

Micro-OLED представляют собой OLED-панели, использующие кремниевые пластины вместо стеклянных или пластиковых субстратов и обеспечивающие ультравысокое разрешение, благодаря чему они будут оптимально подходит для гарнитур смешанной реальности. Это позволяет делать более тонкие и компактные дисплеи, при этом обеспечивая чрезвычайно высокое разрешение — благодаря этому такие дисплеи оптимально подходят для гарнитур смешанной реальности, которые Meta✴ планирует выпускать и продавать всё активнее.

Тем не менее? IT-гигант не имеет собственных производственных мощностей, поэтому и нуждается в помощи южнокорейских партнёров. Известно, что LG Display имеет производственные мощности для выпуска традиционных панелей, но не выпускает кремниевых пластин, поэтому без SK hynix тоже не обойтись.

SK hynix планирует использовать для выпуска линию M10, расположенную в Южной Корее. Речь идёт о старейшей фабрике компании в Ичхоне — её главном производственном хабе в стране. Ранее на M10 выпускались только DRAM-модули, но сейчас выпускаются и CMOS-матрицы для камер. Также в городе имеются линии M14 и M16, тоже выпускающие DRAM. M10 может выпускать 100 тыс. 12-дюймовых пластин в месяц. По данным источников The Elec, в ближайшие годы компания планирует производить на данной линии по 30 тыс. пластин Micro-OLED с применением проверенных временем 28‒45-нм техпроцессов.

Вслед за Samsung Electronics квартальный отчёт опубликовал второй крупнейший южнокорейский производитель микросхем памяти — компания SK hynix. Операционные убытки компании достигли $1,4 млрд, обновив антирекорд за всё время существования данного юридического лица с 2012 года, а выручка упала на 38 %. Капитальные затраты компания собирается сократить вдвое и рассчитывает на восстановление рынка во втором полугодии.

Источник изображения: SK hynix

Финансовый директор SK hynix Ким У Хён (Kim Woohyun), как отмечает Reuters, сообщил о сильнейшем снижении цен на память с четвёртого квартала 2008 года, а накопленные участниками рынка складские запасы продукции наверняка достигли максимальных за всю историю величин, по его мнению. Пикового значения запасы достигнут в этом квартале, но по мере сокращения объёмов производства новой продукции они в дальнейшем начнут сокращаться. Во втором полугодии рынок памяти должен будет достичь более близкого к равновесию состояния.

Выручка компании в четвёртом квартале сократилась на 38 % до $6,3 млрд. Чистые убытки достигли $2,85 млрд. В целом за 2022 год операционная прибыль компании сократилась на 44 % до $5,7 млрд, но выручку удалось увеличить только на 4 % до $36,3 млрд. Впрочем, чистая прибыль по итогам года всё равно сократилась на 75 % до $1,95 млрд.

В текущем квартале SK hynix придётся снижать цены на свою продукцию. Компания является вторым по величине в мире производителем микросхем оперативной памяти. В прошлом квартале на реализацию свежей партии продукции компании требовалось 46,1 недели, в текущем квартале показатель может сократиться до 39,9 недели, как считают сторонние аналитики, но это всё равно слишком много. Год назад этот показатель измерялся 10 неделями, и производители будут вынуждены активно сокращать объёмы выпуска памяти.

Ещё в октябре SK hynix объявила о намерениях сократить капитальные затраты в 2023 году в два с лишним раза до $7,7 млрд. В ближайшей перспективе компания хотела бы сосредоточить свои ресурсы на более продвинутых чипах памяти, готовясь к оживлению рынка в 2024 году. Напомним, что конкурирующая более крупная Samsung Electronics свои капитальные затраты в текущем году снижать не собирается. Во втором полугодии росту спроса на память будут способствовать оживление китайской экономики и выход на рынок новых моделей мобильных устройств, как ожидает SK hynix. При этом такая динамика не позволит в целом по году продемонстрировать физическое увеличение объёмов производства как памяти типа NAND, так и памяти типа DRAM. В первом квартале объёмы выпуска оперативной памяти должны сократиться на двузначное количество процентов.

Глава департамента маркетинга оперативной памяти SK hynix Мён Су Пак (Myoungsoo Park) высказался по поводу состояния дел на рынке серверной памяти: «Наши клиенты говорят, что наблюдают предпосылки для формирования более высокого спроса по сравнению с прошлым годом. Это возможность, которую мы не можем упустить».

Прошло всего два месяца после анонса самой быстрой в мире памяти LPDDR5X для мобильных устройств, а компания SK hynix уже представляет более быструю память LPDDR5T. Данная память станет последним этапом в подготовке к переходу на чипы LPDDR6, а чтобы подчеркнуть исключительно высочайшие качества новинки новая модификация LPDDR5 получила приставку «T», что означает Turbo.

Источник изображений: SK hynix

LPDDR5T будет на 13 % быстрее памяти LPDDR5X, что потребуется новым мобильным устройствам от смартфонов до AR/VR-гарнитур и других устройств, а также для приложений искусственного интеллекта и, особенно, для периферийных ИИ-решений в виде роботов и других решений.

Как известно, скорость передачи представленных в октябре прошлого года чипов LPDDR5X достигает 8,5 Гбит/с на контакт. Скорость работы памяти LPDDR5T заявлена на уровне 9,6 Гбит/с на контакт. При этом потребление чипов выросло незначительно, что позволяет говорить о росте энергоэффективности.

Массовое производство микросхем LPDDR5T компания SK hynix намерена запустить во второй половине текущего года. Продукция сразу же будет пользоваться спросом, поскольку образцы микросхем уже отправлены для изучения многочисленным клиентам компании. Вероятно, в готовых продуктах память LPDDR5T дебютирует на CES 2024, а в широкой продаже появится зимой и весной следующего года.

Микросхемы LPDDR5T производятся с использованием четвёртого поколения техпроцесса класса 10 нм (в обозначении SK hynix — 1anm). Для изготовления ключевых транзисторов ячеек памяти задействован так называемый техпроцесс HKGM (High-K Metal Gate) хорошо известный нам по производству процессоров. Для изоляции металлических затворов транзисторов используется плёнка с высокой диэлектрической проницаемостью, которая снижает токи утечек, что повышает производительность транзисторов и снижает их потребление.

Питание чипов LPDDR5T лежит в сверхнизком диапазоне напряжений, установленном комитетом JEDEC для памяти LPDDR5: от 1,01 до 1,12 В. До появления памяти LPDDR6 более быстрого продукта поколения LPDDR5 может не появиться. Тем не менее, будет интересно узнать, чем компания Samsung ответит на самодеятельность SK hynix в виде маркировки «Турбо»?