Компания SK hynix, как владелец бывшего подразделения Intel по производству флеш-памяти 3D NAND, представила интересную новинку — твердотельный накопитель Solidigm D7-P5810 на памяти SLC для интенсивных нагрузок записью. Нюанс в том, что память SLC не производится около пяти лет и компании пришлось пойти на хитрость, чтобы выпустить SSD с характеристиками, свойственными SSD на флеш-памяти с одноуровневой записью.

Источник изображений: Solidigm

Флеш-память с одноуровневой записью позволяла рекордного много перезаписывать каждую ячейку памяти и давала делать это максимально быстро, поскольку контроллер не был обременён расчётами, связанными с оценкой нескольких уровней заряда в ячейке, как это происходит в случае TLC- или QLC-памяти с тремя и четырьмя уровнями напряжения (заряда). После отказа от выпуска SLC-памяти, которая по цене и плотности записи не могла конкурировать с памятью TLC и QLC, компания Intel попыталась заменить память SLC решениями в виде буферов на памяти 3D XPoint (продукция Optane). Но Optane умер, а определённая потребность в быстрой флеш-памяти никуда не делась.

Для решения вопроса повышения скорости записи и для увеличения ресурса по количеству циклов перезаписи производитель «оптимизировал» выпускаемую ранее 144-слойную память QLC и превратил её в память SLC, что технологически сделать несложно. Ресурс памяти и накопителя автоматически повысился, а работа контроллера и всех операций ускорилась. На такой памяти накопитель SSD D7-P5810 способен вести журналы и поддерживать критически важные для скорости выполнения операции, в частности, связанные с записью данных на флеш-носители.

В своём стремлении представить скоростной накопитель на псевдо памяти SLC, способный заменить накопители Optane, Solidigm не одинока. Ранее такую же «оптимизацию» со 176-слойной памятью 3D NAND проделала компания Micron, начав поставки SLC-накопителя XTR NVMe (конкурент A в таблице со сравнительными характеристиками) и компания Kioxia (конкурент B в таблице со сравнительными характеристиками), выпустившая SLC-накопитель FL6. Та или иная оптимизация микрокода прошивки обеспечивает накопителям набор необходимых характеристик. Например, SSD XTR NVMe Micron нацелен на работу с обработкой тяжёлых данных, а SSD D7-P5810 Solidigm решает задачи кеширования и аналогичные, когда операции записи становятся наиболее критичными.

Solidigm D7-P5810 представлен 800-Гбайт накопителем в форм-факторе U.2 с интерфейсом NVMe (PCI Express 4.0 x4). Модель ёмкостью 1,6 Тбайт выйдет в первой половине 2024 года. Заявленные линейные скорости чтения и записи соответственно достигают 6400 и 4000 Мбайт/с. На случайных операциях при максимальной глубине запроса производительность при чтении достигает 865 тысяч IOPS, а при записи — 495 тысяч. В последнем случае задержки лежат пределах 10–15 мкс, а при случайном чтении они не выше 53 мкс.

Накопитель D7-P5810 Solidigm допускает 50 полных перезаписей ёмкости в сутки. По подсчётам производителя, это оптимальное предложение, способное быть альтернативой продукции Optane, ресурсы которой обычно были не востребованы в полном объёме. Это же касается заявленной производительности D7-P5810 Solidigm. Иными словами, новый накопитель для кеширования, ведения логов и других буферных задач не предложит ничего лишнего при сбалансированных характеристиках и относительно небольшой стоимости.

Как сообщают в НИТУ «МИСИС», в мире пока не существует коммерчески доступных биопринтеров для печати мягких тканей непосредственно на ранах пациентов. Разработчики университета восполнили этот пробел, который поможет лечить обширные повреждения тканей без дорогостоящего оборудования. Технология проверена на животных и доказала свою эффективность.

Источник изображений: НИТУ «МИСИС»

Традиционно ткани для пересадки на обширные повреждённые участки кожи выращиваются «в пробирке» — на чашках Петри с последующей адаптацией, что требует громоздкого и дорогостоящего оборудования. В мире пока нет коммерческих биопринтеров, которые могли бы наносить тканевый материал прямо на раны, что значительно ускорило бы восстановление пациентов с попутным снижением затрат на подготовку к лечению и само лечение. Учёные университета решили этот вопрос оригинальным образом — они приспособили для этого рядовой роботизированный манипулятор, вооружив его системой подачи тканевых «чернил» и датчиками навигации.

Программно-аппаратный комплекс биопринтера сканирует дефект, создает его трёхмерную модель, а затем заполняет участок гидрогелевой композицией с живыми клетками. Датчики на основе лазеров учитывают не только рельеф раны, но также движение тела пациента, например, в процессе дыхания, подстраивая необходимым образом печатающую головку. Специальное программное обеспечение, синхронизирующее движения роборуки и подачу материала, создал инженер НОЦ Биомедицинской инженерии НИТУ МИСИС Александр Левин. Пользовательский интерфейс с возможностью 3D-отображения траекторий написан на языке Python с использованием открытых библиотек Pyqt5 и OpenGL и открыт для всех желающих, кто готов совершенствовать проект.

Судя по фотографиям, за основу биопринтера был взят один из манипуляторов белорусской компании Rozum Robotics. Биочернила на основе коллагенового гидрогеля были поставлены биотехнологической фирмой «ИМТЕК». Программно-аппаратный комплекс платформы учёным помогали разрабатывать специалисты компании 3D Bioprinting solutions. Принтер успешно прошёл испытания в операционной на животных в лаборатории доклинических исследований МНИОИ имени П.А. Герцена и готов к дальнейшим этапам исследований. Проведённый через некоторое время анализ ран показал, что процесс заживления прошёл со значительным ускорением.

По мнению специалистов, данная технология биопечати in situ, т.е. непосредственно в дефект, в будущем может стать прогрессивным терапевтическим методом лечения ожогов, язв и обширных повреждений мягких тканей.

В октябре прошлого года санкции США ограничили поставки в КНР оборудования, позволяющего выпускать твердотельную память с количеством слоёв более 128 штук, а представившая за два месяца до этого свои 232-слойные чипы 3D NAND китайская компания YMTC для поддержания производственной деятельности теперь вынуждена искать замену американскому оборудованию и специалистам, которые его обслуживают.

Источник изображения: Handout

Об этом со ссылкой на собственные источники рассказывает ресурс South China Morning Post, напоминая, что в декабре прошлого года торговые санкции США распространились адресно на саму компанию YMTC. В совокупности с октябрьскими санкциями, введёнными ранее, это привело к тому, что китайский производитель памяти начал терять доступ к оборудованию американской марки Lam Research, а также специалистам с американским гражданством, которые это оборудование на предприятиях YMTC ранее могли обслуживать. Компании пришлось сократить объёмы поставок продукции и задержать введение в строй второго предприятия по обработке кремниевых пластин в Ухане.

В марте текущего года YMTC получила от государственного фонда КНР около $7 млрд капитала, которые смогла направить на снижение степени зависимости от американского оборудования и специалистов. Сейчас компания активно ищет китайских поставщиков оборудования, которое смогло бы компенсировать американские санкции, а также пытается наладить схему привлечения специалистов необходимой квалификации к обслуживанию уже имеющегося оборудования. Помимо прочего, YMTC ищет поставщиков электростатических захватов, которые используются для переноса кремниевых пластин в процессе их обработки. Одна из пекинских компаний, имя которой не раскрывается, станет партнёром YMTC по разработке «импортозамещаемого» оборудования для производства флеш-памяти. К обслуживанию эксплуатируемого оборудования YMTC пытается привлечь компании из-за пределов США.

Глава компании Intel Пэт Гелсингер (Pat Gelsinger) в ходе общения с прессой после своего выступления на конференции Innovation 2023 сообщил, что она также планирует использовать в своих процессорах дополнительную кеш-память, как в чипах AMD с кеш-памятью 3D V-Cache. Однако в целом подходы обеих компаний в вопросе реализации этой технологии будут различаться.

Источник изображения: Tom's Hardware

Технология дополнительной кеш-памяти не появится в анонсированных в первый день конференции Innovation 2023 процессорах Meteor Lake, однако она находится в разработке и в перспективе будет использоваться в процессорах Intel для разных сегментов рынка.

«Если вы говорите о [кеш-памяти AMD 3D] V-Cache, то речь идёт об очень специфичной технологии, которую TSMC реализует в чипах для некоторых из её клиентов. Очевидно, что у нас в этом вопросе несколько иной подход. Эта технология не станет частью процессоров Meteor Lake, но в нашей дорожной карте продуктов вы можете видеть идею 3D-упаковки, в которой будет использоваться кеш-память на одном кристалле и вычислительный кристалл, установленный поверх это кристалла кеш-памяти. И очевидно, что для этого потребуется интерконнект EMIB, являющийся частью упаковки Foveros», — ответил Гелсингер на вопрос одного из журналистов о возможности использования дополнительной кеш-памяти, аналогичной 3D V-Cache, в составе процессоров Intel.

Он добавил, что компания ведёт разработки новых технологий архитектур памяти, а также новых технологий трёхмерной компоновки как для маленьких кристаллов, так и для очень больших процессоров для ИИ и высокопроизводительных серверных систем. Иными словами, у неё в запасе будут необходимые технологии для реализации этой идеи.

«Мы будем использовать все эти технологии в наших продуктах и предоставим к ним доступ нашим клиентам по [контрактному производству чипов] IFS», — заключил Гелсингер.

Использование технологии дополнительной кеш-памяти создало для той же AMD стратегическое преимущество в различных сегментах процессоров. Она применяется не только в её серверных чипах EPYC Genoa-X, но также в игровых моделях Ryzen X3D, которые, согласно многим обзорам, являются в настоящий момент самыми быстрыми игровыми процессорами в мире.

На проходящей в эти дни в Берлине выставке IFA 2023 китайская компания Lenovo представила широкой публики несколько любопытных новинок, таких как мощный игровой ноутбук Legion 9i с системой жидкостного охлаждения и ценой от $4400. В число новинок также вошёл монитор ThinkVision 27 3D, который позволяет видеть трёхмерное изображение без необходимости использования специальных очков.

Источник изображения: Mark Hachman / IDG

Формирование 3D-изображения достигается за счёт использования двояковыпуклых линз и технологии отслеживания взгляда. За счёт объединения технологий монитор способен отображать два разных изображения, по одному для каждого глаза пользователя. На этих изображениях одни и те же объекты демонстрируется с отличающейся друг от друга перспективой, благодаря чему достигается эффект глубины изображения. Новинка действительно демонстрирует 3D-изображение, но этот эффект во многом зависит от положения головы пользователя. В случае ThinkVision 27 3D поле, в котором можно наблюдать 3D-изображение, простирается примерно на 40 см из стороны в сторону, а расстояние просмотра от монитора составляет от 60 см до 1 м.

Концепция линзового дисплея не является чем-то новым, поскольку ранее подобные решении показывали Acer и Asus. Что касается монитора ThinkVision 27 3D, то он отслеживает положение глаз пользователя и проецирует в каждый глаз разную картинку. При отключённом 3D-эффекте выводится обычное 4K-изображение с разрешением 3840 × 2160 пикселей, а при включённом 3D-эффекте каждый глаз видит изображение с разрешением 1920 × 2160 пикселей. Частота обновления экрана составляет 60 Гц, при включении 3D-эффекта частота составляет 30 Гц на каждый глаз, а максимальная яркость 310 кд/м².

Для обеспечения поддержки 3D-приложений на ThinkVision 27 3D производитель выпустил надстройку 3D Explorer. Для разработки совместимых продуктов также предусмотрен специальный SDK. 3D-монитор Lenovo появится в розничной продаже в январе следующего года и будет стоить $2999.

Современные системы трёхмерной печати способны работать и с металлами, поэтому компания Apple, по информации Bloomberg, экспериментирует с ними в сфере создания корпусных деталей для некоторых из своих будущих моделей умных часов. В отличие от варианта с обработкой метала резанием, такой подход позволяет сократить время на изготовление детали и уменьшить расход материала.

Источник изображения: Apple

Как поясняет знакомый с планами Apple источник, если подход с изготовлением корпусов для умных часов при помощи трёхмерных принтеров себя оправдает, со временем компания расширит применение таких методов производства на другие категории продуктов. Сейчас около 10 % выпускаемых подрядчиками Apple часов оснащаются корпусами из нержавеющей стали. Первоначальную заготовку получают методом ковки, а потом из приближённого по размерам к готовому корпусу куска металла станок с числовым программным управлением вырезает изделие необходимой конфигурации.

Альтернативная технология позволяет создавать более близкую по форме и размерам к конечным очертаниям корпуса металлическую заготовку из порошкового сырья, которая затем подвергается спеканию при высоких температуре и давлении для достижения необходимых прочностных характеристик. Обработка заготовки резанием предусмотрена на конечном этапе, но в отличие от традиционного техпроцесса, она занимает меньше времени и оставляет меньше отходов.

Как отмечается, Apple и её партнёры работают над этой технологией производства на протяжении примерно трёх лет. В качестве эксперимента на протяжении последних нескольких месяцев они пробовали изготовить с помощью новой технологии стальные корпуса часов семейства Watch Series 9, которые должны дебютировать в середине сентября. Пока нет уверенности в том, что товарные экземпляры этих часов будут снабжаться корпусами, изготовленными новым методом. К 2024 году Apple рассчитывает применить новый метод производства с использованием титана для часов серии Ultra.

Первоначальные затраты на перевооружение производства под новую технологию будут высокими, но со временем они позволят добиться экономии сырья. Сейчас себестоимость изготовления корпусов по обеим технологиям сопоставима. Основная часть выпускаемых компанией часов оснащается алюминиевыми корпусами, для их производства использовать трёхмерные принтеры пока не планируется. Отладив новый метод на мелкосерийных изделиях, Apple сможет масштабировать его на более массовые в производстве продукты, включая и смартфоны.

Компания AMD в рамках своего мероприятия Gaming Festival 2023 на выставке Gamescom сообщила, что поддержку технологии масштабирования изображения FidelityFX Super Resolution (FSR) версии 3 первыми получат две игры — Forspoken и Immortals of Aveum. В перспективе список поддерживаемых игр будет расширяться. Важной особенностью технологии станет технология генерации дополнительных кадров, что повысит FPS в играх.

Источник изображений: AMD

В составе новой версии FSR используется технология генерации дополнительных кадров в играх Fluid Motion Frames (FMF), которую можно сравнить с технологией генератора кадров DLSS3 Frame Generation от компании NVIDIA. Последняя значительно повышает FPS в играх, генерируя дополнительные кадры на основе данных о предыдущих, но вместе с этим увеличивает время задержки.

Сокращение времени задержки также будет ключевым направлением для FSR 3, поскольку компания понимает, что геймерам нужны не только высокая частота кадров в играх, но и максимально быстрый отклик на действия игрока. В AMD отметили, что интеграция FSR 3 в игры, где уже присутствует поддержка FSR 2, не будет представлять никаких сложностей.

Первыми играми, в которых будут использованы возможности FSR 3, являются Forspoken и Immortals of Aveum. Первая вышла в январе и судя по обзорам и отзывам игроков не оправдала ожиданий. Вторая в свою очередь была выпущена несколько дней назад. Это первая игра, использующая игровой движок Unreal Engine 5.1.

На сегодняшней презентации AMD показала возможности FSR 3 в игре Forspoken, запущенной в разрешении 4K, при использовании максимальных настроек качества изображения с трассировкой лучей. Для демонстрации был выбран режим FSR 3 «Производительность». Благодаря этому частота кадров игры увеличилась более чем в три раза.

Минимальные требования для FSR 3 подразумевают наличие видеокарты уровня Radeon RX 5000 и новее или же видеокарт NVIDIA GeForce RTX 2000 и новее. Поддержка FSR 3 будет распространяться по лицензии MIT. Технология будет также совместима с консолями. AMD ожидает, что патчи с поддержкой FSR 3 для Forspoken и Immortals of Aveum выйдут во второй половине сентября.

На днях в Сети появились обзоры ASUS ROG Strix Scar 17 — первого и пока единственного ноутбука с первым мобильным процессором с дополнительной кеш-памятью 3D V-Cache — флагманским 16-ядерным Ryzen 9 7945HX3D. Обозреватели утверждают, что это самый быстрый игровой мобильный процессор в мире.

Источник изображения: VideoCardz

Процессор Ryzen 9 7945HX3D имеет 16 ядер с поддержкой 32 виртуальных потоков и работает с тактовой частотой до 5,4 ГГц. Базовая частота чипа составляет 2,3 ГГц, что на 200 МГц ниже, чем у обычной версии Ryzen 9 7945HX. Модель Ryzen 9 7945HX3D имеет динамический TDP от 55 до 75 Вт. Чип получил 128 Мбайт кеш-памяти 3D V-Cache, расположенной поверх одного из чиплетов CCD, формально копируя эту особенность у старших моделей десктопных процессоров Ryzen 7000X3D. Правда, последние оснащаются только 96 Мбайт кеш-памяти 3D V-Cache, а объём обычной кеш-памяти L3 у них составляет 32 Мбайт. В составе мобильного чипа также присутствуют два исполнительных блока встроенной графики Radeon 610M на архитектуре RDNA 2.

Для процессоров Ryzen 7000X3D компания AMD выпустила специальный драйвер PPM Provision Driver и утилиту 3D V-Cache Performance Optimizer, которые в сочетании с игровым режимом операционной системы Windows отвечают за распределение потоков по ядрам и CCD и определяют, какой из чиплетов — с дополнительной кеш-памятью 3D V-Cache или без неё — необходимо использовать в конкретной задаче.

Источник изображения: AnandTech

Количество обзоров ASUS ROG Strix Scar 17 с Ryzen 9 7945HX3D можно посчитать по пальцам. Видимо, AMD и ASUS решили предоставить тестовые образцы лэптопов весьма ограниченному числу обозревателей. Последние в свою очередь пришли к консенсусу, что Ryzen 9 7945HX3D является лучшим мобильным процессором для игр. В частности, при разрешении 1080p.

Источник изображения: Notebook Check

Однако при использовании разрешения QHD производительность чипа несколько проседает. И использование чиплета CCD процессора с 3D V-Cache в качестве основного демонстрирует более низкую производительность, чем CCD без дополнительной кеш-памяти, говорится в публикации портала AnandTech.

Производительность в QHD. Источник изображения: AnandTech

В играх с 4K-разрешением дополнительная кеш-память пользы никакой не приносит, поскольку быстродействие ограничивается возможностями мобильной видеокарты, что показывают результаты тестов портала Notebook Check на графиках ниже.

К сожалению, никто из источников не указал точной стоимости ноутбука ASUS ROG Strix Scar 17 с процессором Ryzen 9 7945HX3D. Однако с учётом того, что точно такая же модель ноутбука, в такой же конфигурации, но с процессором Ryen 9 7945HX без кеш-памяти 3D V-Cache предлагается примерно за $3000, версия Ryzen 9 7945HX3D, вероятно, будет оцениваться в диапазоне 3200–3500 долларов, предполагают обозреватели.

Издание DigiTimes со ссылкой на Seoul Economic Daily сообщает, что компания Samsung Electronics будет готова со следующего года начать массовое производство трёхмерной флеш-памяти 9-го поколения с архитектурой двойного стека. Для сравнения, в 321-слойных микросхемах 3D NAND компании SK hynix, старт массового производства которых запланирован на первую половину 2025 года, используется архитектура тройного стека.

Источник изображения: Samsung

Чипы Samsung 3D V-NAND 9-го поколения с более чем 300 слоями будeт выпускаться с использованием метода двойного стекирования, который Samsung впервые применила в 2020 году при производстве 176-слойных микросхем 3D NAND 7-го поколения. Метод подразумевает создание одного стека 3D NAND на кремниевой пластине диаметром 300 мм, а затем последующее наслоение второго стека поверх первого. На основе чипов флеш-памяти высокой плотности с более чем 300-ми слоями производители смогут создавать недорогие твердотельные накопители или удешевлять SSD, уже представленные на рынке.

Что касается той же SK hynix, то компания ранее озвучила планы начать производство 321-слойной 3D NAND-памяти в 2025 году, используя архитектуру с тремя стеками. Производство этих микросхем отличается от метода Samsung и подразумевает соединение трёх отдельных наборов слоёв. С одной стороны, производство такой памяти будет требовать больше шагов и потребует больше материалов по сравнению с конкурентом, однако такой подход призван повысить уровень выхода годных чипов, поскольку производить стеки флеш-памяти с меньшим количеством слоёв проще.

Утечки дорожных карт Samsung предполагают, что компания после завершения цикла производства 3D NAND 9-го поколения может воспользоваться методом тройного стека для выпуска 430-слойных микросхем 3D NAND 10-го поколения. Некоторые эксперты в разговоре с изданием Seoul Economic Daily предположили, что производство чипов флеш-памяти 3D NAND с более чем 400 слоями потребует архитектуры тройного стека из-за возможных проблем с процентом выхода годных микросхем. Разумеется, это увеличит объёмы использующегося сырья и другие затраты в расчёте на одну пластину.

В 2022 году Samsung заявила, что рассчитывает выйти на производство 1000-слойных чипов флеш-памяти к 2030 году.

Многие владельцы 3D-принтеров Bambu X1C и P1P оказались ночью 15 августа разбужены, когда принадлежащие им машины самопроизвольно перешли в рабочий режим: одни повторили своё последнее задание, а другие частично вышли из строя в попытке напечатать новую модель поверх уже готовой. Предположительная причина аварии — сбой в работе облачной службы производителя.

Источник изображения: bambulab.com

Компания Bambu пока продолжает расследование инцидента, но предварительная версия причины случившегося — сбой в облаке, гласит сообщение в корпоративном блоге производителя. В минувший вторник на серверах компании произошли два непродолжительных отключения: системы не получили подтверждения, какие задания принтеров были успешно завершены, и вместо того, чтобы прекратить работу, они повторно отправили на печать последние задания.

Ситуация довольно серьёзная: 3D-принтер — аппарат с удалённым управлением, который может нагреться до такой степени, чтобы спровоцировать пожар в доме, и в случае с Bambu эта система удалённого управления оказалась недостаточно продуманной. Производитель заявил, что «берёт на себя полную ответственность», а в систему управления будут внесены изменения, которые помогут не допустить подобных инцидентов в будущем. Бесплатный ремонт и замену вышедших из строя комплектующих в компании обещать не стали, но попросили клиентов, имуществу которых в результате сбоя был причинен ущерб, связаться с компанией для решения вопроса в индивидуальном порядке.

Стоит отметить, что у принтеров Bambu есть режим работы только в локальной сети, который активируется в настройках принтера — задания на печать можно отправлять напрямую через Wi-Fi, а не интернет. Кроме того, можно отправить задание на печать напрямую с карты памяти.

На прошедшей конференции THQ Nordic Showcase был представлен атмосферный трейлер стратегии в реальном времени Tempest Rising, разработкой которой занимается датская студия Slipgate Ironworks. Авторы приглашают на тестирование данного проекта в Steam, которое продлится до 28 августа. Для участия в мероприятии нужно запросить доступ на странице стратегии в магазине Valve.

Источник изображения: THQ Nordic

Сам ролик представляет собой зрелищную подборку кадров с реальным игровым процессом и кинематографичных заставок из игры. В ознакомительной версии Tempest Rising в Steam открыт доступ к первой миссии одиночной кампании за одну из противоборствующих фракций.

Действие Tempest Rising происходит в альтернативном современном мире, где три враждующие между собой стороны воюют за власть и редкий инопланетный ресурс — Бурю (Tempest). На релизе одиночный режим будет представлен двумя сюжетными кампаниями по 15 миссий в каждой.

Tempest Rising разрабатывается только для ПК (Steam), дата релиза будет объявлена позже.

На саммите Flash Memory Summit (FMS) 2023 компания SK hynix первой в индустрии показала образец флеш-памяти с более чем 300 слоями. Так будет выглядеть будущее, когда интеллектуальные помощники станут вездесущими. Компания ещё не до конца завершила разработку новой и намного более плотной памяти, но обещает сделать это в течение следующего года, чтобы начать выпуск новинки в первой половине 2025 года.

Источник изображения: SK Hynix

Чипы 321-слойной флеш-памяти опираются на трёхбитовые ячейки памяти (TLC). Ёмкость одной микросхемы будет составлять 1 Тбит. Современная 238-слойная 3D NAND компании обладает вдвое меньшей ёмкостью — 512 Гбит. Переход от производства 238-слойной памяти к выпуску 321-слойной в пересчете на биты увеличит выход ёмкости с каждой кремниевой пластины на 59 %.

Первый доклад специалистов SK hynix о разработке 300-слойной памяти состоялся в марте этого года на конференции ISSCC 2023. Из представленных тогда документов следует, что 300-слойные микросхемы SK Hynix получат также улучшенную архитектуру, что неизбежно идёт за наращиванием числа слоёв и увеличением числа соединений, а также несколько видоизменённые сигналы управления и программирования. В своей совокупности это позволит увеличить пропускную способность памяти 3D NAND с 164 Мбайт/с до 194 Мбайт/с. Также возрастёт энергоэффективность решений за счёт более высокой плотности записи.

Наконец, компания призналась, что параллельно с разработкой 300-слойной памяти начала проработку интерфейсов следующего поколения, а именно PCIe 6.0 и UFS 5.0. Последний, как нетрудно догадаться, будет также использоваться для накопителей на 300-слойных микросхемах и не только. Чуть больше подробностей по 300-слойным флеш-чипам SK Hynix можно прочесть в архиве наших новостей за март.

Компании AMD представила процессор Ryzen 9 7945HX3D. Это первый мобильный чип, оснащённый дополнительной кеш-памятью 3D V-Cache.

Источник изображений: AMD

Процессор Ryzen 9 7945HX3D имеет 16 ядер с поддержкой 32 виртуальных потоков и работает с тактовой частотой до 5,4 ГГц. Базовая частота чипа составляет 2,3 ГГц, что на 200 МГц ниже, чем у обычной версии Ryzen 9 7945HX. Модель Ryzen 9 7945HX3D имеет заявленный номинальный TDP в 55 Вт+.

Главной особенностью чипа являются 64 Мбайт дополнительной кеш-памяти 3D V-Cache поверх 32 Мбайт привычной кеш-памяти L3 на одном из чиплетов CCD. Благодаря этому общий объём кеш-памяти процессора составляет 144 Мбайт (16 Мбайт кеша L2 + 128 Мбайт L3). Такой же объём кеш-памяти имеется у того же настольного Ryzen 9 7950X3D. В составе мобильного чипа также присутствуют два исполнительных блока встроенной графики Radeon 610M на архитектуре RDNA 2.

Источник изображения: AnandTech

В потребительских продуктах технология дополнительной кеш-памяти 3D V-Cache впервые появилась в составе процессора AMD Ryzen 7 5800X3D, который получил 64 Мбайт дополнительной кеш-памяти L3 поверх стандартного объема 32 Мбайт, что увеличило общий объём кеш-памяти 3-го уровня до 96 Мбайт. С выходом нового поколения настольных процессоров Ryzen 7000 компания AMD продолжила выпуск моделей с дополнительной кеш-памятью 3D V-Cache. Таким образом, в ассортименте производителя вместе с новым мобильным Ryzen 9 7945HX3D имеются шесть моделей процессоров с кеш-памятью 3D V-Cache: Ryzen 7 5800X3D, Ryzen 7 7800X3D, Ryzen 9 7900X3D, Ryzen 9 7950X3D и эксклюзивный для США Ryzen 5 5600X3D.

AMD заявляет, что Ryzen 9 7945HX3D «является самым быстрым мобильным игровым процессором». Наличие дополнительной памяти 3D V-Cache обещает в среднем более чем 15-процентный прирост производительности относительно обычной модели Ryzen 9 7945HX. В качестве примера компания приводит данные о производительности игры Shadow of the Tomb Raider, в которой Ryzen 9 7945HX3D оказывается на 11 % быстрее при TDP 70 Вт и до 23 % быстрее при TDP 40 Вт по сравнению с обычной моделью.

Правда, следует отметить, что игровой тест проводился в разрешении 1080p, где разница в производительности между процессорами становится более заметна. Совсем другой картина может оказаться при использовании разрешений 1440p и 4K. Но для этого необходимо дождаться независимых тестов.

На базе процессора Ryzen 9 7945HX3D на момент данной публикации был анонсирован только один ноутбук — ASUS ROG Strix SCAR 17 X3D. Согласно имеющимся данным, он получит 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт) ОЗУ DDR5, мощную видеокарту GeForce RTX 4090 и твердотельный накопитель объёмом 1 Тбайт.

Официальный релиз AMD Ryzen 9 7945HX3D состоится 22 августа. Тогда же в продажу поступит ноутбук ASUS ROG Strix SCAR 17 X3D.

На очередном годовом саммите по флеш-памяти, который традиционно проходит в августе, компания NEO Semiconductor, разработчик технологий для производства флеш-памяти 3D NAND и оперативной памяти 3D DRAM, представит фирменные технологии во всём объёме. Глава компании лично выступит перед элитой производителей флеш-памяти, надеясь убедить их в назревших революционных изменениях.

Источник изображений: NEO Semiconductor

Американская компания NEO Semiconductor представила фирменную архитектуру и технологию производства многослойной флеш-памяти в 2020 году и аналогичную архитектуру для выпуска многослойной оперативной памяти DRAM в мае этого года. Компания имеет все необходимые патенты и технологии для организации массового выпуска чипов флеш-памяти и DRAM по её лицензии. Но у неё до сих пор нет клиентов и активное участие в работе Flash Memory Summit 2023 должно стать прорывом. У компании на мероприятии будет отдельный стенд и запланированы выступления перед аудиторией.

«Я с нетерпением жду возможности представить на Flash Memory Summit 2023 наши новые революционные архитектуры, которые создадут беспрецедентную ценность для полупроводниковых компаний, производящих продукты памяти, облачных провайдеров и корпоративных компаний, внедряющих решения для хранения данных, — сказал Энди Хсу (Andy Hsu), основатель и генеральный директор NEO Semiconductor и выдающийся изобретатель технологий, имеющий более 120 американских патентов. — Для преодоления проблем масштабирования срочно требуется новая структура DRAM, использующая 3D-дизайн. 3D X-DRAM — это высокоскоростное, высокоплотное, недорогое решение с низким уровнем брака, которое позволит создать новое поколение приложений и услуг будущего».

Многослойной памятью 3D NAND сегодня никого не удивишь. Наоборот, найти сегодня твердотельный накопитель с планарной флеш-памятью — это настоящее испытание. Но производители оперативной памяти не спешат с переходом на 3D. Поэтому на «флеш-саммите» NEO Semiconductor будет бить в 3D DRAM, явно выходя за рамки мероприятия.

Компания пока не раскрывает подробностей архитектуры многослойной оперативной памяти, говоря лишь об отказе от конденсаторов в ячейках и о переходе на технологию плавающего заряда FBC (floating body cell). Вероятно саммит внесёт больше ясности в этот вопрос. Но с чем точно не поспоришь, что планарная DRAM почти исчерпала варианты для наращивания плотности на единицу площади кристалла. В то же время приложения ИИ требуют кратного увеличения объёмов оперативной памяти и если мы не хотим, чтобы АЭС росли как грибы после дождя (а по другому сегодня мощнейшие центры по обработке данных питать нечем), то плотность чипов DRAM необходимо быстро увеличивать, что также сопровождается снижением потребления на единицу хранения данных.

Чтобы совсем не скатиться в тему оперативной памяти на саммите, представители NEO Semiconductor расскажут о преимуществах своей «многоэтажной» архитектуры для таких перспективных заменителей флеш-конструкций, как 3D NOR, 3D Ferroelectric RAM (FFRAM), 3D Resistive RAM (RRAM), 3D Magnetoresistive RAM (MRAM) и 3D Phase Change Memory (PCM). В любом случае, будет интересно.

Рынок флеш-памяти пока не достиг равновесия, поскольку предложение значительно превышает спрос, а цены закономерно падают. В этой ситуации готовность китайской компании YMTC повышать цены на свою продукцию типа 3D NAND выглядит странной, но если учесть все нюансы, то мотивы занимающего 5 % мирового рынка производителя можно понять.

Источник изображения: YMTC

Внутренний рынок Китая, по данным DigiTimes, поглощает до 20 % всей выпускаемой в мире памяти. Санкционное давление до сих пор играло на руку YMTC. Требования властей США прекратить поставки Китай оборудования, позволяющего выпускать микросхемы 3D NAND с количеством слоёв более 128 штук, которые вступили в силу в октябре прошлого года, пока не распространяются на деятельность Samsung и SK hynix на территории Китая, но если это случится, то конкурентов у YMTC на домашнем рынке станет меньше. Тем более, что и китайские власти запретили использовать память производства Micron Technology на объектах критически важной инфраструктуры, а это так или иначе тоже освобождает внутренний рынок КНР для YMTC.

В мае компания уже повысила, по данным источника, стоимость 128-слойных микросхем памяти объёмом 512 Гбайт с $1,4 до $1,5 за штуку, теперь цена готова вырасти до $1,6, и для периода снижения цен на мировом рынке данный вектор совсем не типичен. Конечно, санкции США призваны ухудшить положение YMTC за счёт ограничения доступа к технологическому оборудованию и расходным материалам, но против этих враждебных действий работают сразу два фактора. Во-первых, правительственные структуры помогают YMTC бороться с последствиями санкций. Во-вторых, компания успела накопить запасов оборудования и материалов на три года непрерывного производства 128-слойных микросхем типа 3D NAND.

Китайские власти заодно принуждают местные организации и компании переходить на использование отечественных комплектующих, поэтому проблем со спросом на продукцию у YMTC в обозримой перспективе не ожидается — что и позволяет ей сейчас повышать цены на свою флеш-память.