Попытки действующего руководства Intel выправить финансовое положение компании, как отмечают южнокорейские издания, не ограничиваются поиском инвесторов. По имеющимся данным, Патрик Гелсингер (Patrick Gelsinger) добивается встречи с главой Samsung Electronics Ли Джэ Ёном (Lee Jae-yong), чтобы обсудить возможность создания альянса в сфере контрактного производства чипов.

Источник изображения: Samsung Electronics

Intel хоть и любит «засветить» в общественном информационном поле громкие имена своих новых клиентов, для которых готовится наладить выпуск чипов, в финансовом выражении существенной выручкой от осуществления контрактной деятельности пока похвастать не может. Компания Samsung страдает от несколько иного сочетания проблем. Она хоть и номинально освоила выпуск 3-нм продукции раньше основных конкурентов, наладить массовые поставки профильных изделий до сих пор не может.

Возможно, обе компании при сохранении административной независимости могли бы способствовать решению проблем друг друга, поэтому обсуждаемый корейскими СМИ альянс мог бы иметь смысл. Во всяком случае, с израильской Tower Semiconductor после неудачной попытки её купить Intel подобное соглашение заключила, и теперь первая имеет доступ к производственным мощностям Intel в штате Нью-Мексико. Подобным образом Intel могла бы сотрудничать и с Samsung, заодно осуществляя и обмен информацией в технологической сфере на взаимовыгодных условиях. Intel, например, неплохо продвинулась в технологиях упаковки чипов, и Samsung её опыт может быть полезен в контексте производства памяти HBM и её дальнейшей интеграции в изделия клиентов.

На этой неделе компания Samsung Electronics в очередной раз доказала свою приверженность идее расширения ассортимента смартфонов со складным дисплеем, представив на рынке Южной Корее модель Galaxy Z Fold SE, которая стала самым тонким и лёгким устройством в линейке. Диагональ дисплея также увеличена по сравнению с моделью Galaxy Z Fold6, а ещё новинка получила больше ОЗУ и 200-мегапиксельную камеру.

Источник изображений: ITHome

В Южной Корее смартфон Samsung Galaxy Z Fold SE будет предлагаться по цене более $2000 (2 789 600 корейских вон), но представители компании убеждены, что он найдёт на домашнем рынке достаточное количество покупателей. В основе смартфона по-прежнему лежит мобильный процессор Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3, но теперь он сочетается с 16 Гбайт оперативной памяти против 12 Гбайт у предшественника, что должно ускорить работу с задачами искусственного интеллекта. Объём флеш-памяти составил 512 Гбайт.

Внутренний дисплей устройства, который является раскладным, увеличил свои габаритные размеры по диагонали с 7,6 до 8,0 дюймов, а внешний — с 6,3 до 6,5 дюйма. Пропорции последнего определяются соотношением 21:9, что позволяет проще управляться с интерфейсом при помощи одной руки. Внутренний дисплей в разложенном состоянии имеет соотношение сторон 20:18 против 4:3 у предшественника. Корпус смартфона, сочетающий панели из стекла и металла, будет доступен в единственном чёрном цвете Black Shadow.

Толщина корпуса была уменьшена на полтора миллиметра до 10,6 мм, а также удалось на три грамма снизить массу (до 236 г), что позволяет смартфону Galaxy Z Fold SE считаться самым тонким и лёгким в модельной линейке Samsung Galaxy Z Fold. К тому же он оснащается самым крупным дисплеем среди собратьев.

Появление 200-мегапиксельной камеры также позволяет выделить новинку на фоне других моделей семейства. Компанию данной камере составили датчики на 12 и 10 мегапикселей соответственно, за селфи отвечает комбинация камер с разрешением 10 и 4 мегапикселя соответственно. При габаритных размерах в сложенном состоянии 157,9‌ × 72,8 × 10,6 мм смартфон может похвастать наличием аккумулятора ёмкостью 4400 мА‧ч. В качестве операционной системы установлена Google Android 14 с интерфейсом One UI 6.1.1.

В продажу Galaxy Z Fold SE поступит 25 октября, купившим его до 31 декабря южнокорейским клиентам Samsung обещает предоставить скидки на приобретение Galaxy Ring, Galaxy Watch Ultra, Galaxy Buds 3 Pro и Galaxy Tab S10 Ultra.

По информации Reuters, построенное Samsung Electronics в техасском Тейлоре новое предприятие не готово к запуску по причине отсутствия достаточного количества клиентов, из-за чего компания даже отказалась принимать оборудование ASML, предназначенное для установки на новой производственной площадке.

Источник изображения: Samsung Electronics

ASML оказалась не единственным поставщиком оборудования, который столкнулся с нежеланием Samsung оснащать новое предприятие. Поставщики Samsung в некоторых случаях были вынуждены искать новых клиентов, а также отозвать персонал, который был отправлен в Техас для монтажа поставляемого оборудования. Предполагается, что задержки с реализацией проекта в Техасе усугубят положение Samsung, которая давно пытается снизить свою зависимость от рынка памяти, характеризующегося цикличными перепадами цен. По данным Statista на начало текущего года, на рынке услуг по контрактному производству чипов Samsung занимала не более 11 %, тогда как TSMC могла похвастать долей в 61,7 %.

Отчасти такие перспективы развития рынка технологического оборудования были описаны в квартальной отчётности ASML, которая серьёзно насторожила инвесторов. При этом руководство ASML не назвало клиентов, которые задержали строительство предприятий, но помимо Samsung, к таковым можно отнести и компанию Intel, которая была вынуждена заморозить проекты по строительству предприятий в Европе из-за финансовых проблем. В прошлом квартале продажи оборудования ASML в Южную Корею сократились на одну треть в денежном выражении.

По данным Reuters, компании ASML пришлось воздержаться от поставки EUV-сканеров для нужд Samsung Electronics. Один из источников отмечает, что Samsung всё же рассчитывает получить оборудование для предприятия в Техасе, но в более поздний период, который пока не уточняется. В апреле Samsung заявила, что запуск нового предприятия в Техасе состоится в 2026 году вместо текущего. По оценкам аналитиков, чтобы запустить работу предприятия к этому времени, Samsung должна получить всё необходимое оборудование самое позднее к началу 2025 года. По сути, даже корпуса предприятия не достроены в данный момент, и сделать это компания собирается лишь к началу следующего года.

Лидируя на мировом рынке как поставщик памяти в целом, южнокорейская компания Samsung Electronics страдает от конкуренции с SK hynix в быстро растущем сегменте HBM, поскольку до сих пор не может наладить поставки новейших микросхем HBM3E для нужд Nvidia. По некоторым данным, Samsung потребуется внести изменения в дизайн этих чипов, на что уйдёт до шести месяцев времени.

Источник изображения: Samsung Electronics

По информации ZDNet, у Samsung возникли проблемы с производством не только базового чипа для стеков памяти HBM3E, но и самих микросхем DRAM, его формирующих. Дело в том, что компания изначально замахнулась на использование технологии 1α с несколькими слоями, обрабатываемыми с использованием EUV-литографии. В конечном итоге это должно было сделать микросхемы памяти более дешёвыми, но Samsung не удалось добиться стабильного уровня качества при их производстве. Micron и SK hynix предпочитают придерживаться более зрелого техпроцесса 1β, причём последняя ограничивается единственным слоем кристалла, который обрабатывается с использованием EUV. В случае с Samsung их количество достигает пяти, и это создаёт проблемы при производстве.

Сейчас Samsung, как отмечается, обсуждает возможность изменения дизайна своих микросхем DRAM, которые формируют стек HBM3E, ради повышения уровня выхода годной продукции. Если эти изменения в процесс производства решено будет внести, то на их внедрение может уйти до шести месяцев, и тогда Samsung сможет приступить к поставкам HBM3E, соответствующей требованиям Nvidia, не ранее второго квартала следующего года. Источники попутно сообщают, что представители Nvidia посетили предприятие Samsung, где выпускаются 8-слойные стеки HBM3E, и по результатам проверки выяснилось, что они уступают по уровню быстродействия до 10 % аналогичным по характеристикам изделиям SK hynix и Micron.

Компания Samsung представила ещё одну версию смартфона Galaxy A16. Десятью днями ранее производитель анонсировал модель Galaxy A16 5G. Теперь французский офис Samsung представил 4G-вариант устройства. Как и для 5G-версии для варианта с 4G компания будет выпускать программные обновления (новые версии ОС и патчи безопасности) до 2030 года.

Источник изображений: GSMArena

Модель Galaxy A16 (4G) практически полностью копирует характеристики 5G-версии. Устройство оснащено 6,7-дюймовым OLED-дисплеем с разрешением 2340 × 1080 пикселей и частотой обновления 90 Гц. Смартфон получил батарею ёмкостью 5000 мА·ч с поддержкой зарядки мощностью 25 Вт. Основной набор камер Galaxy A16 (4G) состоит из 50-Мп, 5-Мп и 2-Мп датчиков. На фронтальной стороне расположена 13-Мп камера. Толщина смартфона составляет 7,9 мм. Он имеет защиту от воды и пыли с рейтингом IP54.

Ключевое отличие Galaxy A16 (4G) заключается в процессоре. В нём используется MediaTek Helio G99 (два ядра Cortex-A76 с частотой 2,2 ГГц и шесть Cortex-A55 с частотой 2,0 ГГц, GPU Mali-G57 MC2). Модель Galaxy A16 (5G) на европейском рынке предлагается с чипом Samsung Exynos 1330, а в Индии и Таиланде — с MediaTek Dimensity 6300.

Samsung Galaxy A16 5G (слева) и Galaxy A16 4G (справа)

Базовая конфигурация устройства предлагается с теми же 4 Гбайт оперативной и 128 Гбайт постоянной памяти. Последнюю можно увеличить до 1 Тбайт благодаря поддержке карт памяти microSD. Также будет доступен вариант с 6 Гбайт ОЗУ и 256 Гбайт постоянной памяти. О наличии 3,5-мм аудиоразъёма у модели Galaxy A16 (4G) ничего не сообщается. Впрочем, его нет и у 5G-версии.

В пресс-релизе компании ничего не говорится о стоимости устройства. В продаже Galaxy A16 4G появится в ноябре. Смартфон будет доступен в сером, зелёном и синем вариантах исполнения.

Выпуском передовых графических процессоров для Nvidia занимается тайваньская TSMC, и в период бума искусственного интеллекта их взаимная зависимость только усилилась. Как отмечает The Information, при этом в отношениях давних партнёров наметилось растущее напряжение и взаимное недовольство, и виной всему стали проблемы с подготовкой к массовому производству чипов для ускорителей вычислений Blackwell.

Источник изображения: Nvidia

В марте, когда ускорители Nvidia Blackwell были представлены, ничто не предвещало беды, но последующее взаимодействие между двумя компаниями усилило противоречия, поскольку процесс подготовки к массовому производству этого поколения продуктов шёл не по плану. Инженеры Nvidia обнаружили, что первые образцы чипов Blackwell, полученные от TSMC, не способны стабильно функционировать в условиях, характерных для серверных систем. Считалось, что к появлению подобных дефектов привели ошибки при разработке ускорителей.

Кроме того, заказчик был уверен, что медленное масштабирование объёмов производства чипов поколения Blackwell вызвано стремлением TSMC применять новую технологию упаковки чипов, которая на практике оказалась достаточно «сырой». При этом представители TSMC упрекали Nvidia в наличии спешки при подготовке Blackwell к массовому производству, которая и могла породить соответствующие дефекты. Nvidia якобы знала о наличии дефектов, но продолжала торопить TSMC и долго не решалась на устранение этих дефектов. Нервозность во взаимоотношениях между двумя компаниями начала передаваться и инвесторам, которые свою неуверенность выражали в снижении интереса к покупке акций обеих.

Взаимоотношения Nvidia и TSMC ведут свой отчёт с 1995 года, и до последнего времени они развивались довольно гармонично, превратив первую во второго по величине клиента второй после Apple. По некоторым оценкам, в прошлом году заказы Nvidia формировали до 11 % всей выручки TSMC, что соответствует примерно $7,73 млрд в денежном выражении. Компания Apple в этом смысле могла претендовать на все 25 % прошлогодней выручки TSMC.

Nvidia ранее обращалась к Samsung за услугами по выпуску игровых видеокарт, но этот опыт не всегда можно было назвать положительным. Тем не менее, слухи упоминают о намерениях Nvidia ещё раз поручить выпуск новых игровых графических процессоров именно южнокорейскому подрядчику. Это позволит Nvidia, как предполагается, снизить затраты на выпуск чипов на 20 или 30 % по сравнению с TSMC.

Принято считать, что основатель TSMC Моррис Чан (Morris Chang) привил практику «наказания» нелояльных клиентов деньгами. В этом смысле перебегающая от TSMC к Samsung и обратно Nvidia рискует столкнуться с повышением цен на свои чипы. Летом этого года появлялась информация о просьбе Nvidia построить выделенную линию для упаковки чипов по методу CoWoS, но представители TSMC её не восприняли серьёзно, сославшись на высокий уровень капитальных затрат. Зато на идею о повышении цен на услуги компании для Nvidia они смотрели с одобрением.

Samsung объявила о выпуске первых в мире 24-гигабитных микросхем памяти GDDR7. Эта память отличается самой высокой на сегодняшний день ёмкостью и скоростью, превышающей 40 Гбит/с, что делает её идеальным решением для высокопроизводительных ускорителей будущего. Тестирование новинки основными заказчиками начнётся в этом году, а массовое производство запланировано на начало 2025 года. Весьма вероятно, эта память пропишется в GeForce RTX 5090 и других видеокартах нового поколения.

Источник изображений: Samsung

Новое решение от Samsung найдёт применение не только в традиционных областях — видеокартах, игровых консолях и системах автономного вождения, но также в дата-центрах и рабочих станциях для ИИ. Благодаря высокой скорости передачи данных и увеличенной ёмкости новая GDDR7 станет ключевым компонентом для инфраструктуры, требующей быстрого доступа к большим объёмам информации.

«Разработав в прошлом году первую в отрасли 16-гигабитную GDDR7, Samsung укрепила своё технологическое лидерство на рынке графической DRAM этим последним достижением», — заявил ЁнЧхоль Бэ (YongCheol Bae), исполнительный вице-президент по планированию продуктов памяти Samsung. Он также отметил, что компания продолжит выпускать инновационные продукты, отвечающие растущим потребностям индустрии ИИ и высокопроизводительных вычислений.

Новая 24-гигабитная GDDR7 использует DRAM пятого поколения, изготовленную по техпроцессу 10-нм класса, что позволило увеличить плотность ячеек на 50 % без изменения размеров упаковки. Это значительное технологическое достижение обеспечивает более высокую ёмкость и производительность по сравнению с предыдущими решениями.

Одним из ключевых технологических достижений Samsung является применение трёхуровневой амплитудно-импульсной модуляции PAM3, которая позволяет достигать скорости свыше 40 Гбит/с, что на 25 % быстрее по сравнению с предыдущим поколением GDDR6. В зависимости от условий эксплуатации производительность может увеличиваться до 42,5 Гбит/с.

Энергоэффективность новинки была значительно улучшена за счёт внедрения технологий, ранее использовавшихся в мобильных устройствах, теперь впервые применённых в графической памяти. Внедрение методов управления тактовой частотой и двухуровневого дизайна питания (VDD) позволило существенно сократить потребление энергии, что привело к повышению энергоэффективности более чем на 30 %. Это особенно критично для систем с высокой вычислительной нагрузкой, где каждый процент энергоэффективности приводит к ощутимым выгодам.

Для обеспечения стабильной работы GDDR7 при высоких скоростях обработки данных была минимизирована утечка тока за счёт использования новых методов управления питанием. Это позволяет значительно снизить энергопотери и повысить надёжность системы даже при максимальных нагрузках.

Официальные органы статистики Южной Кореи уже подвели итоги сентября, которые показали, что уже второй месяц подряд цены на DRAM растут не так быстро, как в предыдущие периоды. Аналогичная тенденция ещё сильнее выражена в сегменте NAND. Возможно, это указывает на снижение спроса на микросхемы памяти в связи с близящимся насыщением рынка.

Источник изображения: Samsung Electronics

Для Южной Кореи экспорт микросхем памяти является важнейшим драйвером национальной экономики. В этой стране выпускает основную часть своей памяти лидирующая на мировом рынке компания Samsung Electronics. Уступающая ей по общей структуре ассортимента продукции SK hynix контролирует более половины мирового рынка HBM и продолжает укреплять свои позиции. Это самый динамично растущий сегмент рынка памяти, что объясняется бумом систем искусственного интеллекта, для которых и нужны соответствующие микросхемы. Южная Корея остаётся крупнейшим экспортёром микросхем памяти.

HBM относится к категории DRAM, в сентябре цены на микросхемы данного класса выросли год к году на 55,4 %, что ниже августовских 57,3 %. Конечно, о падении цен говорить вообще не приходится, но они по крайней мере начинают расти более медленными темпами. В сегменте NAND августовские 126,5 % прироста сменились в сентябре ростом цен на 117,4 %. Память данного типа менее востребована в системах искусственного интеллекта, поэтому спрос на неё может подогреваться преимущественно в потребительском сегменте и той части серверного, которая ориентирована на скоростной обмен данными.

В то время как Nvidia рассчитывает на скорое присоединение Samsung к числу поставщиков HBM3E для её нужд, сама южнокорейская компания довольно консервативно оценивает потребности рынка в памяти этого типа. По крайней мере, производственная программа на следующий год была сокращена почти на 15 % до 170 000 чипов в месяц.

Источник изображения: Nvidia

Об этом сообщило корейское представительство ZDNet со ссылкой на собственные источники. По их данным, Samsung Electronics не только консервативно оценивает потребности рынка в памяти HBM в целом, но и намерена замедлить строительство новых производственных линий. Во второй половине прошлого года Samsung намеревалась к концу текущего года довести ежемесячные объёмы выпуска микросхем HBM до 150 000 штук, а к концу 2025 года увеличить их до 200 000 штук.

В текущем полугодии, однако, ситуация изменилась. Чипы HBM3E в исполнении Samsung проходят сертификацию на соответствие требованиям Nvidia медленнее, чем планировалось, поэтому и потребность этого клиента в таких микросхемах производитель оценивает более консервативно. В ёмкостном выражении производственные планы Samsung по состоянию на конец следующего года скорректированы в сторону снижения с 13 до 12 Гбит. Решения о дальнейшем расширении производственных мощностей по выпуску HBM будут приниматься только после того, как начнутся массовые поставки HBM3E для нужд Nvidia. Сейчас последняя получает такую память от SK hynix и Micron Technology, но третий игрок рынка в лице Samsung до сих пор не может сертифицировать свою память под требования данного заказчика.

Выпуск восьмислойных стеков HBM3E компания рассчитала начать в третьем квартале, а во втором полугодии начать выпуск 12-слойных микросхем данного типа. Если доля HBM3E в выручке Samsung от реализации памяти HBM в целом в третьем квартале не превышала 10 %, то по итогам четвёртого квартала она должна была вырасти до 60 %.

Samsung Electronics решила ускорить подготовку мощностей к запуску массового производства чипов по 2-нм техпроцессу, сообщают отраслевые источники. Компания начала установку оборудования на линии полупроводникового завода S3 в южнокорейском Хвасоне. К первому кварталу следующего года эта линия, как рассчитывает компания, сможет обрабатывать 7000 пластин согласно 2-нм техпроцессу в месяц.

Источник изображения: BoliviaInteligente / unsplash.com

Ко второму кварталу будущего года Samsung также рассчитывает построить производственную линию для 1,4-нм техпроцесса на предприятии S5 на втором заводе в Пхёнтхэке (Pyeongtaek Plant 2) — она сможет обрабатывать 2000–3000 пластин ежемесячно. К концу следующего года компания переведёт все оставшиеся 3-нм производственные линии на фабрике S3 на технологию 2 нм.

Ранее стало известно, что Samsung перенесла дату запуска производства на полупроводниковом заводе в американском Техасе — первоначально он должен был открыться уже в конце 2024 года, но компания решила отложить старт на 2026 год. Samsung также перепрофилировала полупроводниковую линию на Pyeongtaek Fab 4 — из-за снижения спроса теперь на ней будет производиться память DRAM; было сокращено производство на Pyeongtaek Fab 3, где есть линия 4 нм.

Все эти перемены связаны с планом компании наладить производство чипов по технологии 2 нм в следующем году и приступить к массовому выпуску 1,4-нм чипов к 2027 году. Корейский производитель намеревается догнать своего конкурента TSMC: сейчас у Samsung 11,5 % мирового рынка контрактного производства полупроводников, а у лидера в лице TSMC — 62,3 %. Реализация этого плана — крупная ставка для Samsung, говорят эксперты: учитывая задержку в производстве 3-нм чипов и ряд других сложностей в полупроводниковом сегменте, развёртывание технологии 2 нм может либо спасти, либо уничтожить подразделение Samsung Foundry.

Данные берутся из публикации Обзор смартфона Samsung Galaxy S24 FE: искусственный интеллект не только на флагманах

Заместитель председателя совета директоров Samsung Electronics и новый глава подразделения Device Solutions, которое занимается производством полупроводников и дисплеев, Чон Ён Хён (Jun Young-hyun) принёс извинения от лица компании после того, как та опубликовала разочаровавший инвесторов прогноз прибыли за III квартал.

Источник изображения: BoliviaInteligente / unsplash.com

Крупнейший в мире производитель чипов памяти опубликовал прогноз, согласно которому его операционная прибыль за закончившийся в сентябре квартал составит примерно 9,10 трлн вон ($6,75 млрд), тогда как аналитики ожидали 11,456 трлн вон ($8,5 млрд). Финансовые результаты ответственного за производство памяти подразделения Samsung оказались скромнее из-за «единовременных издержек и негативных эффектов» — корректировки запасов со стороны производителей мобильных устройств и роста поставок продуктов предыдущих поколения от китайских производителей памяти. Ниже приводится полный текст обращения с извинениями от руководства Samsung, цитата по CNBC.

«Уважаемые клиенты, инвесторы и сотрудники, которые всегда любили Samsung Electronics! Сегодня руководство Samsung Electronics хотело бы извиниться в первую очередь перед вами. Мы вызвали сомнения по поводу нашей фундаментальной технологической конкурентоспособности и будущего компании из-за того, что наши результаты не оправдали ожиданий рынка. Многие говорят о кризисе Samsung. Мы, кто управляет бизнесом, несём ответственность за всё это. Samsung, однако, всегда обращала кризисы в возможности, имея за плечами вызовы, инновации и победы. Наше руководство возьмёт на себя инициативу по преодолению кризиса.

Прежде всего, мы восстановим нашу фундаментальную технологическую конкурентоспособность. Технологии и качество — наша жизненная сила. Это гордость Samsung Electronics, где мы никогда не можем идти на компромисс. Вместо краткосрочных решений мы обеспечим фундаментальную конкурентоспособность. Более того, считаю, что лишь новые технологии, которых нет в мире, и конкурентоспособность — единственные способы вернуться для Samsung Electronics.

Во-вторых, мы будем готовиться к будущему более тщательно. Мы возродим нашу страсть к тому, чтобы без страха устремляться вперёд в будущее, придерживаться наших целей до конца и достигать их. Мы вновь вооружимся духом вызова, чтобы двигаться к более высокой цели, а не оборонительным мышлением, чтобы защитить то, что у нас есть.

В-третьих, мы снова осмотрим нашу организационную культуру и методы работы и немедленно исправим то, что нужно исправить. Мы восстановим нашу традиционную организационную культуру доверия и общения. Если мы обнаружим проблемы на местах, мы выявим их такими, какие они есть, и проведём оживлённые дискуссии, чтобы их преодолеть. В частности, мы будем активно общаться с инвесторами, когда нам представится возможность.

Уважаемые клиенты, инвесторы и сотрудники! Если мы бросим вызов самим себе, мы уверены, что сможем превратить теперешний кризис в новую возможность. Пожалуйста, окажите нам поддержку и ободрите нас, чтобы Samsung Electronics снова смогла продемонстрировать силу.

Спасибо!», — заместитель председателя совета директоров, глава Device Solutions Division Чон Ён Хён.

Аналитики утверждают, что бизнесы Samsung Electronics по контрактному производству микросхем и проектированию логических чипов ежегодно приносят компании миллиардные убытки. Несмотря на появившиеся слухи о выделении этих направлений в отдельные компании, Samsung преисполнена решимости сохранить их в составе головной компании и развивать дальше.

Источник изображений: Samsung

Samsung последовательно расширяет деятельность в области проектирования логических микросхем и контрактного производства, чтобы снизить зависимость от продаж обычных чипов памяти. В 2019 году председатель компании Джей Й. Ли (Jay Y. Lee) объявил о намерении обогнать тайваньскую TSMC и стать крупнейшим в мире производителем микросхем по контракту к 2030 году. С тех пор компания инвестировала миллиарды долларов в контрактное производство микросхем, построив новые заводы в Южной Корее и США.

Однако, по сообщениями осведомлённых источников, Samsung не хватает крупных заказов для полной загрузки новых мощностей. Аналитики утверждают, что бизнес по проектированию и производству чипов для других клиентов несёт миллиарды долларов ежегодных убытков из-за слабого спроса и снижает общую производительность южнокорейской компании, которая является крупнейшим в мире производителем чипов памяти.

Но на вопрос, рассматривает ли Samsung возможность выделения в отдельную компанию бизнеса по производству микросхем или своего бизнеса по проектированию логических микросхем, Ли заявил: «Мы жаждем развития бизнеса. Не заинтересованы в том, чтобы выделять (их)». Он признал, что Samsung сталкивается с трудностями на новом заводе по производству микросхем, который она строит в Техасе: «Это немного сложно из-за меняющейся ситуации, выборов». В апреле Samsung сдвинула производственный график проекта с конца 2024 года на 2026 год.

В прошлом году Samsung сообщила об общих операционных убытках в размере 3,18 трлн вон ($2,4 млрд) от контрактного производства чипов и проектирования логических микросхем. Доля в убытках каждого из направлений не раскрывается. По прогнозам, в этом году общий убыток двух подразделений составит 2,08 трлн вон ($1,57 млрд).

В 2017 году Samsung Electronics отделила производство полупроводников от конструкторского бизнеса, но клиенты контрактного производства чипов по-прежнему обеспокоены сохранностью своих технологических секретов. «В принципе, для Samsung лучше разделить свой бизнес, чтобы завоевать доверие клиентов», — считает профессор кафедры системной полупроводниковой инженерии в Университете Санмён Ли Чон Хван (Lee Jong-hwan). Но выделенному подразделению будет сложнее выжить, поскольку оно потеряет доступ к финансовой поддержке со стороны бизнеса по производству чипов памяти.

Samsung представила смартфон Galaxy A16 5G с более крупным, чем у предшественника, 6,7-дюймовым экраном, а также необычно длительной для бюджетного сегмента поддержкой обновлений ПО. Компания гарантирует предоставление обновлений ОС Android в течение 6 лет, а также 6 лет обновлений безопасности. Это означает, что A16 5G получит полную поддержку и будет работать на новейшей версии Android до 31 октября 2030 года.

Смартфон Samsung Galaxy A16 5G будет поставляться в европейские страны с восьмиядерным процессором Samsung Exynos 1330 с тактовой частотой до 2,4 ГГц, изготовляемым по 5-нм техпроцессу. Как ожидается, в Индии и Таиланде смартфон будет предлагаться с 6-нм чипом MediaTek Dimensity 6300 с тактовой частотой 2,4 ГГц. Объём оперативной памяти смартфона равен 4 Гбайт, флеш-накопителя — 128 Гбайт. Ёмкость хранилища можно расширить с помощью карт памяти microSD ещё на 1,5 Тбайт.

Смартфон оснащён 6,7-дюймовым Super AMOLED-дисплеем с разрешением FHD+ (2340 × 1080 пикселей) и частотой обновления 90 Гц. В вырезе в верхней части дисплея размещена фронтальная камера с разрешением 13 Мп. На задней панели находится основная 50-Мп камера с автофокусом, дополненная сверхширокоугольной 5-Мп камерой и 2-Мп датчиком для макросъёмки.

Смартфон работает под управлением Android 14 с программной оболочкой One UI 6.1. Батарея ёмкостью 5000 мА·ч поддерживает быструю зарядку мощностью 25 Вт. Galaxy A16 5G обладает защитой от влаги и пыли согласно стандарту IP54. Для разблокировки устройства используется боковой сканер отпечатков, совмещённый с кнопкой питания. Также следует отметить отсутствие 3,5-мм аудиоразъёма.

По данным Samsung France, смартфон имеет оценку ремонтопригодности 8,4/10, как и предшественник A15 5G. Цена Samsung Galaxy A16 5G 4/128 Гбайт во Франции равна €249.

К концу октября SK hynix и Samsung Electronics объявят об итогах работы за III квартал и, как ожидается, SK Hynix может превзойти Samsung Electronics по объёму операционной прибыли от производства полупроводников, пишет KoreaTimes.

Источник изображения: SK hynix

Согласно консенсус-прогнозу аналитиков, операционная прибыль SK Hynix в III квартале вырастет до 6,76 трлн вон (около $5 млрд), а выручка составит около 17,99 трлн вон (около $13,3 млрд). Если прогнозы оправдаются, компания может достичь рекордно высокого уровня квартальной операционной прибыли, несмотря на негативные перспективы мирового рынка чипов памяти.

Как ожидают аналитики, у Samsung Electronics операционная прибыль в III квартале составит 10,77 трлн вон ($7,96 млрд), а операционная прибыль его подразделения Device Solutions (DS) упадет до 5,2 – 6,3 трлн вон ($3,85 – $4,66 млрд). Samsung Electronics не раскрывает в прогнозе подробности по каждому бизнес-подразделению. По оценкам экспертов, на DS приходится более 50 % всей операционной прибыли южнокорейского технологического гиганта.

Это означает, что SK hynix может превзойти Samsung Electronics по величине прибыли от производства чипов на 400 млрд – 1,5 трлн вон, что станет ударом по сложившейся репутации Samsung как крупнейшей в мире компании по производству микросхем памяти. Эксперты не исключают, что SK hynix может обогнать Samsung и по показателю операционной прибыли за год.

Повышение прибыльности SK hynix связывают с ростом выпуска чипов HBM, которые она поставляет NVIDIA, являясь её крупнейшим поставщиком.

Аналитик SK Securities Хан Донг-хи (Han Dong-hee) отметил, что растущий выпуск восьмислойной HBM3e приведёт к заметному росту средней цены продажи чипов памяти SK Hynix. По его прогнозу, доля продаж HBM в выручке компании от производства DRAM превысит 30 %. HBM примерно в 3–5 раз дороже обычных продуктов DRAM, что обеспечивает более высокую прибыльность для SK hynix.

Недавно SK hynix начала массовое производство 12-слойных чипов HBM3e. В отчёте за II квартал SK hynix заявила в июле, что «ожидает 300-процентного или более высокого роста своего бизнеса HBM в этом году».

Samsung Electronics тоже производит чипы HBM3e, но, как сообщается, NVIDIA всё ещё тестирует её продукцию. Согласно данным TrendForce, в 2023 году SK hynix лидировала на мировом рынке HBM с долей 53 %, за ней следовала Samsung (38 %).