На фоне бурного развития рынка электромобилей растёт спрос на силовые компоненты из нитрида галлия, которые способны выдерживать более высокие нагрузки по сравнению с традиционными кремниевыми. Компания GlobalFoundries недавно приобрела у Tagore Technology пакет профильных патентов, связанных с производством компонентов из нитрида галлия.

Источник изображения: Tagore Technology, LinkedIn

По словам GlobalFoundries, компания собирается применять эти разработки для выпуска широкого спектра компонентов, которые найдут применение в автомобильном сегменте, на рынке Интернета вещей и систем искусственного интеллекта. Последние также нуждаются в более эффективной силовой электронике, которая способна обслуживать стремительно растущие запросы в сфере энергопотребления.

Данным шагом, как подчёркивается в официальном пресс-релизе, GlobalFoundries подтверждает свою приверженность идее массового выпуска компонентов на основе нитрида галлия. Клиенты компании, которая является одним из крупнейших контрактных производителей чипов, получат возможность заказывать выпуск более широкого ассортимента силовой электроники на основе нитрида галлия. В штат GlobalFoundries, по условиям сделки с Tagore Technology, перейдёт команда специалистов по разработке подобных элементов. Они будут работать в индийском представительстве GlobalFoundries. Также у Tagore Technology имеется исследовательский центр в США, а сама компания была основана в 2011 году.

GlobalFoundries собирается направить на развитие производства компонентов из нитрида галлия на территории США часть тех $1,5 млрд, которые ей были выделены в феврале этого года в качестве субсидий по «Закону о чипах». По мнению представителей компании, снижение энергопотребления особенно важно в сфере Интернета вещей, и компоненты из нитрида галлия как раз помогут решить эту проблему.

Ассоциация японских производителей оборудования для выпуска чипов, как пишет Bloomberg, недавно улучшила свой прогноз по выручке от реализации профильной продукции на текущий фискальный год, который будет длиться до марта 2025 года включительно. По мнению членов ассоциации, профильная выручка за этот период вырастет на 15 % до $26 млрд.

Источник изображения: Tokyo Electron

Благодарить за это, по мнению японских производителей оборудования, следует преимущественно бум систем искусственного интеллекта, который повышает спрос на оборудование для производства микросхем памяти, помимо прочего. До этого представители ассоциации рассчитывали по итогам текущего фискального года выручить не более $25 млрд. В 2026 фискальном году, как отмечает источник, выручка может вырасти ещё на 10 % до $29 млрд, а к марту 2027 года увеличиться до $32 млрд.

Немалую роль в улучшении прогноза на текущий год, как отмечается, сыграла и конъюнктура китайского рынка, где закупки оборудования для производства чипов растут лидирующими темпами. Впрочем, из-за американских, японских и нидерландских санкций китайским покупателям доступно только не самое современное оборудование для выпуска чипов по зрелым техпроцессам, но китайский рынок испытывает потребность и в нём, поэтому одна эта страна сейчас закупает оборудования для выпуска чипов почти столько же, сколько все остальные вместе взятые. Власти США оказывают давление на Нидерланды и Японию, чтобы те усилили ограничения в части возможности обслуживания оборудования для выпуска чипов, проданного в Китае, зарубежными специалистами из этих стран.

Производители твердотельной памяти увеличивают плотность хранения информации как за счёт увеличения количества бит на одну ячейку, так и за счёт увеличения количества слоёв в микросхеме. Kioxia в этом отношении продвинулась до 218 слоёв, начав массовое производство соответствующей памяти 3D NAND на своём предприятии в Японии в этом месяце.

Источник изображения: Kioxia

Данную новость опубликовало агентство Nikkei, сообщив о способности Kioxia тем самым увеличить ёмкость микросхем памяти примерно на 50 % и снизить энергопотребление на 30 % по сравнению с существующей продукцией этой марки. Этот же источник сообщает, что помимо спроса со стороны систем искусственного интеллекта, общее оживление рынка твердотельной памяти привело к тому, что в июне степень загрузки предприятий Kioxia вернулась к 100 %. До этого с октября 2022 года компании приходилось планомерно снижать объёмы выпуска памяти из-за перенасыщения рынка, и самые значительные сокращения достигали 30 %.

Компания Kioxia, унаследовавшая бизнес по производству твердотельной памяти от Toshiba Memory Corporation, до конца октября рассчитывает выйти на фондовый рынок. Именно восстановление спроса на 3D NAND подтолкнуло Kioxia к более активным действиям на этом направлении, поскольку благоприятная ситуация на рынке памяти должна привлечь к акциям компании большее количество инвесторов. Впрочем, если в указанные сроки компании не удастся провести IPO, оно может быть отложено до декабря текущего года.

К 2027 году Kioxia рассчитывает увеличить количество слоёв памяти до 1000 штук, но некоторые участники рынка считают, что подобные темпы экспансии не будут экономически себя оправдывать. Недавно компания также объявила о начале поставок микросхем 3D QLC NAND, построенных на кристаллах BiCS восьмого поколения ёмкостью 2 терабита. Одна микросхема такой памяти может хранить до 4 Тбайт информации.

Согласно долгосрочным планам IEEE, полупроводниковая промышленность к 2027 году освоит литографию с шагом (узлом) 0,5 нм при ширине затвора транзистора 12 нм. Учёные из Южной Кореи нашли возможность уже сегодня выращивать более мелкие транзисторы, не ожидая улучшения литографических сканеров. С помощью новой разработки они без сканеров научились создавать электрод затвора шириной 0,4 нм для работы с транзисторным каналом шириной 3,9 нм.

Металлические 1D-электроды (жёлтые) растут как грибы после дождя безо всякой литографии. Источник изображений: IBS

В открытии помогло обнаружение дефектов в кристаллической структуре дисульфида молибдена (MoS_₂). При определённых условиях дефекты можно было контролируемо перевести в металлическую фазу. Таким образом, на пластине появлялся металлический электрод шириной 0,4 нм, который никакой сканер не смог бы воспроизвести ни сегодня, ни через 15 лет. Дефект появляется на границе зеркального раздела между участками растущей кристаллической подложки MoS_₂. Контролируя эпитаксиальный рост подложки можно добиться превращения границы раздела в одномерный тонкий металлический электрод.

Учёные из Центра квантовых твёрдых тел Ван-дер-Ваальса при Институте фундаментальных наук (IBS) в Тэджоне не только показали возможность выращивать одномерные металлы, но также создали с их помощью двумерные полевые транзисторы и даже экспериментальные чипы. Выяснилось, что электрод затвора шириной 0,4 нм способен создавать поле (управлять проводимостью затвора) на ширину 3,9 нм. Также, несмотря на атомарную ширину канала, такой транзистор показал превосходную электронную проводимость и, следовательно, будет достаточно производительным для использования в микросхемах.

Поскольку структура предложенного транзистора проста до невообразимости, у него не будет паразитных ёмкостей, которыми особенно страдают новомодные транзисторы с круговым затвором и старые FinFET. Это даст дополнительный выигрыш по скорости переключения и энергоэффективности.

Руководитель проекта Чо Мун-Хо (Jo Moon-Ho) сказал: «Одномерная металлическая фаза, получаемая путем эпитаксиального роста, представляет собой новый процесс получения материала, который может быть применен к ультраминиатюризированным полупроводниковым процессам. Ожидается, что в будущем он станет ключевой технологией для разработки различных маломощных и высокопроизводительных электронных устройств».

Компания Samsung представила Exynos W1000 — первый процессор, выпускающийся с использованием её фирменного 3-нм технологического процесса производства. Предполагается, что чип станет основной для новых смарт-часов Galaxy Watch 7 и Galaxy Watch Ultra, анонс который состоится на следующей неделе.

Источник изображений: Samsung

Samsung сообщила, что Exynos W1000 выполнен с использованием её 3-нм техпроцесса второго поколения (вероятно, SF3). В составе процессора имеются одно ядро Cortex-A78, четыре Cortex-A55, GPU Mali-G68 MP2, поддерживающий экраны с разрешением до 640 × 640 пикселей, а также 32 Гбайт встроенной памяти.

По словам компании, новый чип обеспечивает в 2,7 раза более быстрый запуск приложений по сравнению с Exynos W930, а его многопоточная производительность в 3,7 раза выше, чем у предшественника.

Для уменьшения размера чипа, повышения его производительности и энергоэффективности Samsung использовала много новых технологий в Exynos W1000. Например, в нём задействуется технология упаковки FOPLP (Fan-Out Panel Level Packaging) для повышения энергоэффективности и лучшего рассеивания тепла.

Для оснащение процессора встроенной оперативной и постоянной памятью использовалась технология упаковки ePOP (Package-on-Package). Кроме того, в новом процессоре применяется технология SiP (System-in-Package), благодаря которой в него интегрирован модуль управления питанием (PMIC).

Для Exynos W1000 заявляется поддержка технологии 2.5D Always on Display (AoD), которая обеспечивает более качественное отображение изображения и цветов в режиме постоянно включённого дисплея. Кроме того, чип поддерживает Bluetooth LE для передачи звука и энергоэффективную оперативную память стандарта LPDDR5. Для новинки также заявляется поддержка 4G LTE, Bluetooth, Wi-Fi b/g/n, GPS и NFC.

Согласно предыдущим слухам и утечкам, Exynos W1000 станет основной для смарт-часов Galaxy Watch 7 и Galaxy Watch Ultra, анонс которых ожидается на следующей неделе. Отмечается, что благодаря новым технологиям в составе Exynos W1000 эти устройства Samsung смогут работать в течение 2–3 дней от одного заряда батареи.

Компания Micron заявила, что переход на новую видеопамять GDDR7 обеспечит 30-процентную прибавку производительности в играх как с растровой графикой, так и с трассировкой лучей по сравнению с памятью поколения GDDR6 (включая GDDR6X).

Источник изображений: Micron

Производитель, в частности, отметил, что столь значительная прибавка в производительности ожидается от будущих чипов памяти GDDR7 со скоростью 32 Гбит/с на контакт. Это на 12 Гбит/с быстрее обычной GDDR6, обеспечивающей скорость на уровне 20 Гбит/с. Micron не поделилась информацией о том, какие тесты были проведены для определения прибавки производительности в 30 %. Тем не менее, заявленные цифры впечатляют, особенно если принять на веру то, что рост достигается только за счёт памяти.

Micron сообщает, что GDDR7 обладает на 60 % более высоким показателем пропускной способности по сравнению с GDDR6, а также она на 50 % энергоэффективнее памяти предыдущего поколения. Также новая память обладает на 20 % более низкими задержками, что должно помочь в таких чувствительных к отзывчивости памяти задачах, как машинное обучение и ИИ-генерация изображений.

По словам Micron, тестовая платформа с 12 чипами GDDR7, подключенными по 384-битной шине, демонстрирует пропускную способность более 1,5 Тбайт/с. Для сравнения, видеокарта GeForce RTX 4090 с микросхемами GDDR6X со скоростью 21 Гбит/с на контакт предлагает пропускную способность на уровне 1,08 Тбайт/с.

Производство памяти GDDR7 начнётся с микросхем со скоростью передачи данных 28 и 32 ГТ/с. Однако в будущих планах ведущих производителей памяти (Micron, Samsung и SK hynix) уже значатся разработка и выпуск ещё более скоростных чипов с показателем до 40 ГТ/с.

Согласно слухам и утечкам, Nvidia станет первой компанией, которая перейдёт на использование памяти GDDR7. AMD, как ожидается, продолжит использовать память GDDR6 в своих будущих видеокартах и, возможно, не будет менять стандарт вплоть до выпуска условных Radeon RX 9000. Что касается Intel, то компания может либо перейти к использованию GDDR7 в своих будущих дискретных видеокартах нового поколения (Battlemage), либо продолжит использовать GDDR6 и подождёт с переходом на GDDR7 до выхода третьего поколения видеокарт Arc на архитектуре Celestial.

Российские власти утвердили план по развитию электроники и микроэлектроники в стране до 2030 года. Одним из целевых показателей его реализации станет создание серийного производства микросхем по техпроцессу 65 нм к 2028 году, которые будут выпускаться на входящем в ГК «Элемент» зеленоградском «Микроне». Об этом пишет «Коммерсантъ» со ссылкой на близкие к правительству источники.

Источник изображения: Copilot

В настоящее время АО «Микрон» выпускает полупроводниковую продукцию по топологии 180-90 нм. Эта технология позволяет производить чипы для транспортных карт, устройств Интернета вещей, а также узкую номенклатуру процессоров общего назначения. В это же время крупнейшие мировые производители чипов, такие как тайваньская TSMC, уже массово выпускают полупроводники по техпроцессу 3 нм и осваивают более тонкие нормы.

Представитель Минпромторга РФ рассказал, что данная инициатива прорабатывается совместно с ГК «Элемент». «65 нм применяется при производстве чипов для банковских карт и SIM-карт, а также широкой номенклатуры контроллеров, в том числе для автоэлектроники и Интернета вещей», — сообщил представитель министерства. Официальные представители ГК «Элемент» отказались от комментариев по данному вопросу.

«Микрон» ещё в 2011 году предпринимал попытки освоить производство чипов по техпроцессу 65 нм посредством сотрудничества с франко-итальянской компанией STmicroelectronics, которая должна была «клонировать» своё производство на заводе «Микрона». Однако после 2014 года сотрудничество двух производителей было прекращено. В 2015 году СМИ писали, что владелец АФК «Система» (контролирует ГК «Элемент») Владимир Евтушенков просил президента РФ Владимира Путина предоставить «Микрону» кредит в 25 млрд рублей для освоения производства по техпроцессу 28 нм.

Генеральный директор «Байкал Электроникс» Андрей Евдокимов выразил заинтересованность в развитии в стране подобного производства. По его словам, чипы 65 нм могут иметь широкую сферу применения в зависимости от доступных технологических опций, например, позволят полностью закрыть потребности рынка в микроконтроллерах. В компании МЦСТ, занимающейся разработкой процессоров «Эльбрус», также выразили заинтересованность в развитии отечественного производства по 65-нм техпроцессу. В компании отметили, что процессоры на основе этой технологии могут использоваться в ноутбуках, ПК, серверах и др.

Правда, последнее утверждение вызывает большие сомнения, поскольку 65-нм процессоры вряд ли смогут предложить даже минимально приемлемый уровень производительности для компьютера или сервера в 2028 году. Напомним, что Intel начала выпускать 65-нм центральные процессоры для ПК и серверов ещё в 2006 году, а AMD — в 2007-м. То есть к моменту освоения 65-нм техпроцесса в России технологии будет уже более 20 лет. Но для производства всевозможных контроллеров и других чипов техпроцесс явно пригодится.

Гендиректор производителя «Бештау» Олег Осипов напомнил, что в настоящее время чипы 65 нм печатаются на 300-миллиметровых кремниевых пластинах, которые не выпускаются на территории России. Это означает, что «Микрону» потребуется развивать собственное производство таких пластин или же компания будет закупать их у иностранных партнёров. Господин Осипов также добавил, что для производства чипов 65 нм требуется большое количество квалифицированного персонала, которого также не хватает в стране.

Рост цен на оперативную память, по данным TrendForce, в настоящий момент поддерживается тенденцией к оживлению спроса в сегменте серверных систем общего назначения в комбинации с увеличением доли рынка, занимаемой микросхемами HBM. Всё это приведёт к тому, что в третьем квартале цены на оперативную память в серверном сегменте в среднем увеличатся на 8–13 %.

Источник изображения: Micron Technology

Если выделить из этой тенденции обычную DRAM, не включая HBM, то средний рост цен в третьем квартале достигнет 5–10 %. При этом доля HBM в структуре продаж по сравнению со вторым кварталом увеличится с 4 до 6 %. Во втором квартале восполнение складских запасов памяти на стороне клиентов не было особо активным. В третьем же квартале пополнению складов будут способствовать сезонные тенденции, связанные с рынком смартфонов и сферой деятельности облачных провайдеров. Объёмы поставок микросхем памяти для нужд этих двух сегментов в третьем квартале должны будут увеличиться.

В сегменте ПК средняя цена реализации оперативной памяти в третьем квартале последовательно увеличится на 3–8 %, как прогнозируют представители TrendForce. Во втором квартале наблюдался рост цен на 15–20 %, но ожидания производителей ПК на рост спроса в третьем квартале вряд ли оправдаются. При этом цены на DDR4 и DDR5 в этом сегменте растут примерно синхронно.

Источник изображения: TrendForce

В мобильном сегменте динамика цен на DRAM в третьем квартале будет такой же, демонстрируя рост на 3–8 % в последовательном сравнении. В следующем году производители памяти постараются более чётко контролировать баланс спроса и предложения, чтобы память не теряла в цене слишком сильно, уменьшая их прибыль. В третьем квартале им не удастся особо увеличить цену в ходе переговоров, поэтому цены вырастут незначительно. Меньше всего подорожает память типа LPDDR4/LPDDR4X, которая может даже слегка подешеветь.

В графическом сегменте цены тоже последовательно вырастут по итогам третьего квартала на 3–8 %. Производители видеокарт намерены стабильно восполнять свои запасы микросхем памяти, и если производители последней будут повышать цены, те вынуждены будут соглашаться на новые условия закупок. Постепенно наращиваются объёмы производства GDDR7, которая понадобится для видеокарт нового поколения, но эта память пока на 20–30 % дороже GDDR6. Поставки образцов памяти GDDR7 будут налажены уже в третьем квартале этого года, который наступит на следующей неделе.

В потребительском сегменте в целом сохраняется избыток памяти типов DDR3 и DDR4, но стремление производителей больше ресурсов выделять под выпуск востребованной HBM сокращает доступные для выпуска DDR мощности, а потому стоимость продукции растёт и на этом направлении. Во-вторых, специализирующимся на выпуске DDR3 и DDR4 тайваньским производителям памяти нужно добиться прибыльности, а потому они заинтересованы в повышении общего уровня цен. По этой причине цены на DDR3 и DDR4 в сегменте потребительской техники в третьем квартале последовательно вырастут на 3–8 %.

В серверном сегменте динамика цен на память в третьем квартале будет наиболее выраженной. Контрактные цены на DDR5 вырастут на 8–13 %. Запасы DDR4 на складах покупателей несколько выше, поэтому основной объём закупок будет приходиться именно на DDR5. И всё же, в среднем цены на оперативную память для серверов общего назначения в третьем квартале последовательно увеличатся на 8–13 %.

В четвёртом квартале рынок оперативной памяти, по мнению представителей TrendForce, продолжит демонстрировать рост цен, а доля HBM в структуре продаж будет увеличиваться и дальше. Производители смартфонов и провайдеры облачных услуг начнут восполнять свои складские запасы. Наращивание объёмов выпуска HBM будет стимулировать рост цен на прочие виды оперативной памяти, поскольку предложение в результате будет планомерно сокращаться.

Как поясняет публикация на страницах тайваньского ресурса Commercial Times, прогресс TSMC в расширении объёмов производства чипов по передовым техпроцессам и освоении их новых этапов будет во многом зависеть от способности ASML поставлять новое оборудование. Последняя из компаний собирается снабдить TSMC более чем 60 системами для работы с EUV-литографией, получив от неё за два года не менее $12,3 млрд.

Источник изображения: ASML

Современное литографическое оборудование потребуется TSMC не только для экспансии производства 3-нм продукции, но и для подготовки к началу выпуска 2-нм изделий. Как известно, TSMC неоднократно подчёркивала, что при массовом производстве 2-нм чипов обойдётся без использования более дорогих литографических сканеров High-NA EUV с высоким значением числовой апертуры. При этом агентство Reuters отмечало, что до конца года TSMC всё-таки получит от ASML соответствующее оборудование для использования в исследовательских целях.

Потребность TSMC в литографических сканерах класса EUV источники оценивают в 30 систем в текущем году и 35 в следующем. Сейчас спрос на подобное оборудование значительно превышает предложение, поэтому заказываемый литографический сканер приходится ждать от 16 до 20 месяцев. В следующем году ASML сможет увеличить объёмы выпуска литографических сканеров более чем на 30 %, а потому основная часть поставок придётся на 2025 год. Если в этом году компания рассчитывает отгрузить 53 сканера, то в следующем она собирается выпустить не менее 72 штук. При этом предельная производительность компании по данному типу систем в следующем году достигнет 90 штук.

Кроме того, за следующий год ASML собирается выпустить не менее 600 сканеров для работы с глубокой ультрафиолетовой литографией (DUV), а также около 20 новейших систем класса High-NA EUV. По данным тайваньских источников, в следующем году такие сканеры всё ещё не будут востребованы клиентами для производства чипов в массовых количествах, и будут использоваться преимущественно для экспериментов. Напомним, что Intel является основным претендентом на скорейшее внедрение оборудования High-NA EUV при производстве чипов с использованием технологии Intel 14A, хотя экспериментировать с ним будет ещё в рамках техпроцесса Intel 18A.

TSMC собирается запустить массовое производство 3-нм чипов на предприятии в Тайнане в третьем квартале текущего года. Выпуск 2-нм продукции планируется освоить сразу на трёх тайваньских предприятиях компании в 2025 году. В третьем квартале TSMC также рассчитывает получить от властей США субсидии, которые будут использованы для закупки оборудования для первого предприятия компании в штате Аризона, а также для строительства второго. Поставщики фотомасок и вспомогательного оборудования рассчитывают хорошо заработать на планах TSMC по экспансии производства с использованием передовых техпроцессов.

Исполнительный вице-президент AMD Форрест Норрод (Forrest Norrod), который в компании курирует серверное направление бизнеса, подчеркнул в недавнем интервью The Next Platform, что условия конкуренции с Intel вынуждают его компанию полагаться исключительно на передовые техпроцессы в будущих поколениях продукции, хотя инновации будут предусмотрены и на уровне архитектуры, и компоновки чипов.

Источник изображения: AMD

Представитель AMD пояснил представителям указанного выше сайта, что не хотел бы недооценивать технологические возможности Intel. «Пэт Гелсингер предложил очень агрессивный план, и мы исходим из того, что они будут делать то, что говорят», — описал Форрест Норрод отношение AMD к стратегии конкурента. По этой причине руководство AMD считает нужным «бежать как можно быстрее как с точки зрения собственного дизайна чипов, так и в плане технологических процессов TSMC».

Исполнительный вице-президент AMD добавил: «Я считаю наши шансы на успех с TSMC очень высокими. Они являются потрясающим партнёром и очень дисциплинированным исполнителем, и мы собираемся использовать их самые продвинутые техпроцессы для каждого поколения». Только так, по мнению Норрода, AMD может обеспечить себе шансы остаться на острие технологического прогресса. При этом сама AMD будет уделять не меньшее внимание совершенствованию как собственных архитектур, так и компоновочных решений при создании передовых чипов во всех категориях выпускаемой продукции.

Эксперты Bernstein в своей недавней аналитической записке предположили, что 2-нм продукцию от TSMC компания AMD начнёт получать уже в 2026 году. Сама Intel даже в условиях собственного прогресса в сфере литографических технологий, полностью отказаться от услуг TSMC в обозримом будущем не сможет, а потому наряду с Apple и Nvidia эти два заказчика попадут в число крупнейших клиентов тайваньского контрактного производителя чипов.

В сентябре прошлого года 7-нм процессоры HiSilicon Kirin 9000S собственной разработки Huawei дебютировали в составе смартфонов семейства Mate 60 Pro, чуть улучшенная версия чипа появилась в этом году в смартфонах серии Pura 70, но процессоры для ускорителей вычислений Ascend 910B по такой технологии компания вряд ли сможет получать от SMIC в достаточных количествах, как утверждают источники.

Источник изображения: Huawei Technologies

На поставщиков оборудования ссылается публикация на страницах издания The Information. По их данным, китайский контрактный производитель чипов SMIC недооценил степень расхода оснастки и износа оборудования при производстве 7-нм чипов. Первоначально считалось, что используя имеющееся не самое современное оборудование, которое было закуплено до усиления санкций США, а также вспомогательную оснастку, SMIC сможет выпускать по 500 000 чипов в год.

Эти оценки, как утверждают опрошенные The Information источники, оказались чрезмерно пессимистичными. Оборудование, изначально не предназначенное для выпуска 7-нм чипов, изнашивается быстрее, чем ожидалось, а получать запасные части в условиях санкций SMIC может лишь в ограниченных количествах или вообще лишена такой возможности. Всё это может привести к тому, что объёмы выпуска 7-нм чипов для нужд Huawei будут постепенно сокращаться и в дальнейшем могут прекратиться полностью. Подобная перспектива, несомненно, не обрадует клиентов Huawei в сегменте облачных вычислений, которые рассчитывали заменить ускорителями семейства Ascend 910B сопоставимые по производительности ускорители Nvidia A100, которые в Китай не поставляются из-за тех же санкций США. Под вопросом остаётся и судьба более совершенных чипов, которые SMIC рассчитывала выпускать на имеющемся у неё оборудовании.

Программа поддержки национальной полупроводниковой промышленности, предложенная властями Южной Кореи, обладает своей спецификой, но в конечном итоге призвана стимулировать развитие отрасли. Первые $19 млрд финансовой поддержки начнут распределяться между участниками корейского рынка в следующем месяце, но основную часть суммы по традиции составят льготные кредиты.

Источник изображения: SK hynix

Напомним, что власти Южной Кореи не особо щедры на безвозвратные субсидии, и они предпочитают предоставлять налоговые льготы или кредиты по сниженной ставки, а непосредственно инвестиции в полупроводниковую отрасль предлагают делать частным компаниям типа тех же Samsung Electronics и SK hynix. По крайней мере, к 2047 году они должны вложить в развитие национальной полупроводниковой промышленности $471 млрд.

Как сообщает Bloomberg, с июля власти страны начнут распределять $19 млрд, предназначенные для поддержки национальной полупроводниковой отрасли. Из этой суммы $12,2 млрд составят кредиты по льготным ставкам, которые соискателям предстоит вернуть государству. Эта часть средств будет доступна участникам программы со следующего месяца. Власти страны также учредят два отдельных фонда на общую сумму $790 млн, которые будут сформированы непосредственно из субсидий, и меньший из них ($216 млн) призван способствовать развитию корейских производителей оборудования и материалов для производства чипов. Участники программы субсидирования также смогут претендовать на получение налоговых льгот на срок не менее трёх лет, и производители оборудования и материалов могут попасть под их действие.

Компания Samsung с трудом наращивает объёмы выпуска мобильных процессоров Exynos 2500 на основе 3-нм техпроцесса, сообщают аналитики TrendForce со ссылкой на южнокорейское издание ZDNet. Всё дело в огромном проценте брака — к настоящему моменту производитель вышел на уровень годной продукции чуть ниже 20 %.

Источник изображения: Samsung

В первом квартале этого года уровень выхода годных чипов составлял однозначное число процентов, так что Samsung постепенно улучшает техпроцесс. Но даже с учётом улучшения производства объёмы выхода небракованных чипов не дотягивает до перехода к массовому выпуску. Остается неясным, будут ли данные процессоры использоваться в составе смартфонов серии Galaxy S25 в будущем, но недавние слухи говорили о том, что будущие флагманы поголовно получат Snapdragon 8 Gen 4.

Для эффективного массового производства необходимо, чтобы уровень брака был ниже 40 %. Как сообщается, подразделение System LSI Samsung собирается продолжить работу над повышением качества производственного процесса годных чипов Exynos 2500 во второй половине этого года. Компания намерена выйти на выход годных чипов в 60 % к октябрю.

В том же отчёте южнокорейского издания говорится, что главный конкурент Samsung, тайваньский контрактный производитель чипов TSMC, полностью загружен заказами на производство 3-нм продукции для Apple, NVIDIA, AMD, Qualcomm, Intel и MediaTek. В конце мая TSMC сообщала, что утроила производственные мощности для выпуска 3-нм чипов, но этого по-прежнему недостаточно, чтобы покрыть все заказы, поэтому компания всё ещё прилагает усилия для удовлетворения спроса.

На технологической конференции в марте этого года компания Samsung Electronics заявила, что рассчитывает наладить массовый выпуск трёхмерной DRAM к концу десятилетия. SK hynix, вдохновляемая своими успехами в сфере выпуска HBM, недавно сообщила, что в рамках экспериментального производства 3D DRAM получает 56 % годной продукции.

Источник изображения: SK hynix

Напомним, что используемая в сегменте высокоскоростных вычислений память типа HBM в традиционном толковании имеет компоновку 2.5D, а полноценную трёхмерную компоновку должна предложить память 3D DRAM, разработку которой сейчас ведут все три крупнейших производителя оперативной памяти: Samsung Electronics, SK hynix и Micron Technology.

По информации Business Korea, компания SK hynix на симпозиуме VLSI 2024 на прошлой неделе сообщила о промежуточных успехах в разработке памяти типа 3D DRAM. Пятислойные микросхемы компания уже может выпускать с уровнем выхода годной продукции 56,1 %, что довольно много для ранней стадии выпуска нового типа полупроводниковых изделий. Как отмечается, характеристики опытных образцов 3D DRAM в целом не уступают чипам с традиционной планарной компоновкой.

Само собой, предстоит проделать немалую работу по созданию условий для производства 3D DRAM в массовых количествах. Имеющиеся образцы такой памяти, по словам представителей SK hynix, не отличаются стабильностью с точки зрения быстродействия, а в плане пригодности к массовому производству имеет смысл рассчитывать на создание микросхем памяти с количеством слоёв от 32 до 192 штук.

Недавний прогноз отраслевой ассоциации SEMI говорит о том, что в текущем году мировые производственные мощности по выпуску полупроводниковых компонентов вырастут на 6 %, а в следующем году они увеличатся ещё на 7 %. На этом фоне будет наблюдаться опережающее развитие китайской полупроводниковой промышленности, которая нарастит мощности на 15 % в текущем году, и на 14 % в следующем.

Источник изображения: GlobalFoundries

К передовым техпроцессам отчёт SEMI относит нормы 5 нм и тоньше, связанные с ними мощности во всём мире вырастут на 13 % по итогам текущего года, во многом за счёт сохраняющегося бума систем искусственного интеллекта. В следующем году усилия лидеров рынка по освоению 2-нм техпроцессов приведут к тому, что мощности по выпуску передовой продукции вырастут на 17 %.

Совокупная производительность китайских компаний в текущем году вырастет на 15 % до 8,85 млн кремниевых пластин в месяц. В следующем году производственные мощности китайских участников рынка вырастут ещё на 14 % до 10,1 млн кремниевых пластин в месяц. Подобная динамика будет во многом обусловлена опасениями дальнейшего ужесточения санкций США, которые лишают китайские компании доступа к передовым компонентам и оборудованию для их производства на мировом рынке. Почти треть мировых производственных мощностей по выпуску чипов в следующем году будет приходиться на Китай.

Источник изображения: SEMI

Все прочие регионы, располагающие собственной полупроводниковой промышленностью, в следующем году ограничатся темпами роста на уровне не более 5 %. Вторым после Китая регионом окажется Тайвань с увеличенными до 5,8 млн кремниевых пластин в месяц мощностями (+4 %), Южная Корея займёт третье место за счёт увеличения объёмов обработки кремниевых пластин на 7 % до 5,4 млн штук в месяц. Япония прибавит 3 % до 4,7 млн пластин в месяц, обе Америки окажутся на пятом месте с приростом на 5 % до 3,2 млн пластин в месяц, следом расположится Европа с 2,7 млн пластин в месяц (+4 %), а Юго-Восточная Азия за пределами Китая прибавит 4 % до 1,8 млн пластин в месяц.

Контрактный сегмент рынка в текущем году нарастит свои мощности на 11 %, в следующем темпы роста замедлятся до 10 %, а к началу 2026 года в этой сфере будет обрабатываться по 12,7 млн кремниевых пластин ежемесячно. Бум искусственного интеллекта вызовет рост объёмов выпуска микросхем DRAM, к которым относится и HBM. В этом сегменте рынка производительность предприятий будет увеличена на 9 % как в текущем году, так и в следующем. На этом фоне рынок 3D NAND будет развиваться весьма консервативно: в этом году производственные мощности не увеличатся вовсе, а в следующем прибавят 5 %. Распространение систем ИИ приведёт к увеличению среднего объёма оперативной памяти в смартфонах массового сегмента с 8 до 12 Гбайт, а ноутбуки с процессорами нового поколения, способными ускорять ИИ, будут в минимальных конфигурациях оснащаться 16 Гбайт оперативной памяти.