Крупнейшие контрактные производители чипов так или иначе движутся к подводу питания с оборотной стороны кристалла, поскольку она позволяет оптимизировать компоновку чипа и улучшить его характеристики. Samsung Electronics ожидает, что её технология подвода питания к обратной стороне чипа в рамках 2-нм техпроцесса позволит снизить площадь кристалла на 17 %.

Источник изображения: Samsung Electronics

Как сообщает TrendForce со ссылкой на южнокорейские СМИ, соответствующие заявления в четверг прозвучали из уст Ли Сун Чэ (Lee Sungjae) — вице-президента подразделения Samsung Foundry PDK Development Team во время его выступления перед партнёрами компании. Помимо сокращения площади кристалла на 17 %, переход к подводу питания с оборотной стороны 2-нм чипов позволит на 8 % увеличить их быстродействие и на 15 % улучшить энергетическую эффективность.

Напомним, что конкурирующая Intel подобную технологию собирается применить в массовом производстве чипов по технологии 20A до конца текущего года, в её исполнении она получила обозначение PowerVia. Тайваньская TSMC подобное решение по имени Super PowerRail внедрит в рамках технологии A16 в 2026 году. При этом первая будет использовать новую структуру транзисторов RibbonFET, а вторая внедрит транзисторы с «нанолистами».

У Samsung последняя технология носит обозначение MBCFET. Второе поколение структуры транзисторов с окружающим затвором (GAA) корейская компания собирается использовать с текущего полугодия, а также применить его в рамках осваиваемого 2-нм техпроцесса позже. Сама по себе технология SF3 поднимает быстродействие чипа на 30 %, на 50 % улучшает его энергетическую эффективность, а также на 35 % сокращает площадь кристалла по сравнению с первым поколением GAA. В сочетании с подводом питания с обратной стороны кристалла (BSPDN), такая структура транзисторов обеспечит дополнительные преимущества.

Недавно Samsung выпустила своё первое смарт-кольцо с незамысловатым названием Galaxy Ring, которое оказалось, пожалуй, самым впечатляющим гаджетом на мероприятии Galaxy Unpacked. Galaxy Ring обещает задать новый тренд на рынке устройств для мониторинга здоровья. Специалисты компании iFixit произвели его разборку и выяснили, что устройство «не подлежит ремонту». В случае поломки кольца или неисправности аккумулятора устройство отправится на свалку.

На сайте iFixit отмечено, что, как и в случае с серией смарт-колец Oura Ring, из Galaxy Ring невозможно извлечь батарею, не разрушив её, что наглядно подтверждает фотография гаджета после разборки.

Источник изображения: iFixit

«По сравнению с другими современными электронными устройствами это довольно простое устройство. В простоте нет ничего плохого, но есть что-то плохое в неремонтопригодности. Как и Galaxy Buds 3, Galaxy Ring — это одноразовый технический аксессуар, который не рассчитан на срок службы более двух лет», — утверждают инженеры IFixit.

Samsung — не единственная компания, которая в последние недели выпускает неремонтопригодные технические продукты. Ранее на этой неделе Google официально подтвердила, что Pixel Watch 3 не подлежит ремонту. В случае поломки часов компания обещает предоставить другие на замену.

Хочется надеяться, что в ближайшем будущем всеми странами будут приняты необходимые законы, которые заставят технологические компании создавать ремонтопригодные устройства. Слишком расточительно выбрасывать наушники, умные часы и умные кольца в мусорное ведро только потому, что у них села батарея.

Samsung представила на выставке Gamescom 2024 в немецком Кёльне несколько игровых мониторов, в том числе Odyssey 3D, который позволяет видеть трёхмерную картинку без очков. Корейский производитель также анонсировал модели Odyssey OLED G8 и OLED G9.

Источник изображений: news.samsung.com

Реалистичные 3D-изображения из 2D-контента на мониторе Samsung Odyssey 3D создаются при помощи технологии LFD (Light Field Display) с использованием лентикулярной линзы на передней панели. В сочетании с технологиями Eye Tracking и View Mapping Odyssey создаётся объёмная картинка, для просмотра которой не требуются очки: Eye Tracking при помощи встроенной стереокамеры отслеживает движения обоих глаз пользователя, а View Mapping корректирует изображение на выходе для сохранения эффекта глубины.

Монитор Samsung Odyssey 3D позволяет свободно переключаться между режимами 2D и 3D. Он предлагается в размерах 27 и 37 дюймов — дисплей имеет разрешение 4K, предлагает время отклика 1 мс (GtG) и частоту обновления 165 Гц, обеспечивая плавный игровой процесс без остаточных изображений и разрывов. Монитор оснащается подставкой с возможностью наклона и регулировки высоты, поддерживается AMD FreeSync Premium, есть один порт DisplayPort 1.4 и два HDMI 2.1.

Samsung также анонсировала три традиционных монитора. Две новые модели в линейке Odyssey OLED G9 — G95SD и G93SD — предлагают 49-дюймовый экран Dual QHD (5120 × 1440 пикселей), что соответствует отношению сторон 32:9, изогнутой формы с радиусом кривизны 1800R, доступ к Smart Hub и Gaming Hub (только для G95SD), частоту обновления 240 Гц и время отклика 0,03 мс (GTG).

Сверхширокий 34-дюймовый экран Samsung Odyssey OLED G8 (G85SD) имеет разрешение 3440 × 1440 пикселей (21:9), кривизну 1800R, частоту обновления 175 Гц, время отклика 0,03 мс (GTG); Smart Hub и Gaming Hub также в наличии.

В декабре прошлого года делегация руководителей Samsung Electronics в Нидерландах договорилась с коллегами из ASML о строительстве исследовательского центра в Южной Корее, а также расписала график закупки передового оборудования на десять лет вперёд. С тех пор в отвечающем за электронные устройства подразделении Samsung сменилось руководство, и оно уже не так оптимистично смотрит на программу закупки сканеров у ASML.

Источник изображения: Samsung Electronics

Как поясняет издание Business Korea, первоначальные договорённости с ASML подразумевали, что Samsung в течение десяти лет закупит не менее трёх литографических сканеров ASML в каждой из линеек Twinscan EXE:5200, EXE:5400 и EXE:5600. Теперь же, как стало известно корейским источникам, Samsung в этом месяце уведомила ASML о намерениях ограничить ассортимент закупаемых литографических систем некоторым количеством Twinscan EXE:5200, и не торопиться с приобретением последующих моделей.

Более того, Samsung приостановила подготовку к строительству исследовательского центра в корейском Хвасоне, который должен был принять всё это оборудование. Официальные представители Samsung Electronics подтвердить информацию не пожелали, отметив, что в планах компании по приобретению оборудования класса High-NA EUV компании ASML ничего не изменилось. «Совместный исследовательский центр двух компаний будет расположен в оптимальном месте», — добавили они.

Неофициальные источники связывают подобные назревающие изменения в курсе Samsung с майским назначением на должность главы подразделения Device Solutions Чон Ён Хёна (Jun Young-hyun), поскольку первоначальные договорённости с ASML были достигнуты ещё его предшественником. Возможно, как только новое руководство подразделения определится с долгосрочными планами, сотрудничество с ASML будет возобновлено на новых условиях, если это потребуется.

Данные берутся из публикации Жаркий 2025-й: грядущая битва при «двух нанометрах»

Потерпев определённые неудачи на поприще поставок HBM3E для нужд Nvidia, южнокорейская компания Samsung Electronics старается наверстать упущенное при подготовке к массовому выпуску памяти типа HBM4. Уже к концу этого года она будет располагать цифровыми проектами соответствующих чипов, а массовое производство 12-слойных стеков HBM4 должна наладить до конца следующего.

Источник изображения: Samsung Electronics

По крайней мере, так описывает планы Samsung южнокорейское издание The Elec. Рассчитывать на формальный анонс HBM4 в исполнении Samsung в этом случае приходится в привязке к весне 2025 года, поскольку от создания цифрового проекта до начала выпуска первых образцов продукции обычно проходит от трёх до четырёх месяцев. Скорее всего, Samsung сможет приступить к поставкам образцов HBM4 своим клиентам в течение следующего года.

По данным источника, Samsung намеревается наладить выпуск логической части чипа HBM4 с использованием своего 4-нм техпроцесса, а микросхемы памяти в стеке будут производиться по техпроцессу 10-нм класса шестого поколения (1c). Конкурирующая SK hynix собирается наладить выпуск 12-слойной памяти HBM4 во второй половине следующего года, логическую часть она будет производить по 5-нм или 12-нм технологии силами TSMC, а вот микросхемы памяти в стеке она будет выпускать самостоятельно, но пока не определилась с конкретной ступенью 10-нм техпроцесса (1b или 1c). Компании Samsung для подготовки к выпуску чипов HBM4 с использованием технологии 1c придётся вложиться в оснащение профильных производственных линий. Установка оборудования начнётся в середине следующего года, массовое производство планируется развернуть уже в 2026 году. К тому времени AMD и Nvidia выпустят свои ускорители вычислений Instinct MI400 и Rubin, которые будут оснащаться памятью типа HBM4.

Менее крупная компания SK hynix смогла занять лидирующие позиции на мировом рынке памяти типа HBM, но Samsung Electronics надеется компенсировать это за счёт вероятного лидерства в сегменте оперативной памяти с интерфейсом CXL, которая начнёт использоваться в серверных системах в ближайшие годы. Свои решения в этой сфере Samsung готова начать поставлять уже в текущем полугодии.

Источник изображения: Samsung Electronics

Как поясняет Nikkei Asian Review, стандарт CXL является открытым и продвигается с 2019 года, а Samsung Electronics является единственным производителем памяти, состоящим в профильном консорциуме. Это позволяет компании рассчитывать на первенство в продвижении модулей памяти с интерфейсом CXL на рынок. Samsung продемонстрировала первый модуль памяти такого типа ещё в 2021 году, а в июне сообщила о создании опытной инфраструктуры для испытания этой памяти, сертифицированной разработчиком программного обеспечения Red Hat.

По мнению представителей Samsung, рынок памяти с интерфейсом CXL начнёт развиваться между 2027 и 2028 годами. Аналитики Yole Group считают, что к тому времени ёмкость этого сегмента вырастет с прошлогодних $14 млн до $16 млрд. Сейчас заинтересованные в продвижении стандарта CXL компании ведут работу по снижению производственных затрат и формированию инфраструктуры для массового производства соответствующих модулей памяти. Формально, внедрение CXL позволит увеличить объём поддерживаемой одной серверной системой оперативной памяти в десять раз. Во многих случаях это позволит масштабировать производительность серверных систем без физического увеличения количества установленных стоек. Samsung решительно настроена конкурировать за лидирующие позиции на рынке памяти с интерфейсом CXL, но SK hynix и Micron Technology также не обделяют вниманием соответствующий стандарт. В развитии серверных систем CXL и HBM будут играть дополняющие роли.

Южнокорейская компания Samsung официально представила доступный смартфон Galaxy A06 во Вьетнаме. В ближайшее время он также поступит на рынки других стран.

Источник изображений: Samsung

Разработчики оснастили новинку 6,7-дюймовым ЖК-дисплеем с поддержкой разрешения 1600 × 720 пикселей и частотой обновления 90 Гц. В верхней части экрана есть каплевидный вырез, в котором размещена 8-мегапиксельная фронтальная камера (f/2.0). Двойная основная камера сочетает в себе основной 50-мегапиксельный сенсор с датчиком глубины на 2 Мп. Поддерживается съёмка видео 1080p на скорости до 60 кадров в секунду.

Аппаратной основой Galaxy A06 стал восьмиядерный микропроцессор MediaTek Helio G85 (два ядра Cortex-A75 с частотой до 2,0 ГГц и шесть ядер Cortex-A55 с частотой до 1,8 ГГц). За обработку графики отвечает ускоритель Mali-G52 MC2. Смартфон будет доступен в версиях с 4 Гбайт оперативной памяти и накопителем на 64 Гбайт, а также с 6 Гбайт ОЗУ и 128 Гбайт ПЗУ. При необходимости место для хранения данных можно увеличить за счёт использования карты microSD.

В качестве источника питания в Galaxy A06 используется аккумулятор на 5000 мА·ч с поддержкой быстрой зарядки мощностью до 25 Вт. Для восполнения энергии предусмотрен интерфейс USB Type-C. Сканер отпечатков пальцев интегрирован в кнопку питания, которая находится на боковой поверхности корпуса.

Смартфон работает под управлением Android 14. Покупатели смогут выбирать между версиями устройства в синем, белом и золотом цветовых вариантах исполнения корпуса. Розничная стоимость Galaxy A06 с 4 Гбайт ОЗУ и 64 Гбайт ПЗУ составит €115, а за вариант с 6 Гбайт ОЗУ и 128 ПЗУ придётся заплатить €137.

Южнокорейская компания Samsung Electronics не только остаётся крупнейшим производителем памяти, но и не оставляет амбиций в сфере контрактного производства логических компонентов. Ради движения в ногу с прогрессом она собирается вслед за Intel получить к концу этого года литографический сканер ASML TwinScan EXE:5000, который позволяет работать с высоким значением числовой апертуры (High-NA).

Источник изображения: ASML

Intel является крупнейшим клиентом ASML на этом направлении и пытается выкупить все доступные для заказа на этот год подобные системы, но намерения Samsung показывают, что при определённой настойчивости корейская компания тоже может получить свою первую литографическую систему класса High-NA EUV к концу текущего года или в первом квартале следующего. Подобное оборудование должно позволить Samsung не только наладить выпуск чипов по технологиям «тоньше» 2 нм, но и делать это с более низкой себестоимостью. Правда, сам литографический сканер такого класса стоит не менее $380 млн, а ещё он занимает больше места, поэтому внедрение такого оборудования потребует не только высоких первоначальных затрат, но и смены подхода к планировке цехов.

Попутно южнокорейские СМИ сообщают, что Samsung призналась в наличии у неё средств инспекции фотомасок японской марки Lasertec, которые адаптированы к технологии High-NA EUV. Если всё пойдёт по плану, Samsung сможет наладить выпуск первых прототипов продукции на оборудовании такого класса к середине следующего года. Впрочем, в массовом производстве технология High-NA EUV будет освоена компанией ближе к 2027 году.

Samsung в сотрудничестве с Synopsys также внедряет иной «рисунок» элементов полупроводниковых чипов, который предполагает переход от прямых линий к кривым. Это позволит создавать более плотные структуры на чипах и продвинуться в освоении более «тонких» техпроцессов. Компания TSMC также рассчитывает получить до конца года от ASML свой первый литографический сканер класса High-NA EUV, но внедрить подобное оборудование в массовом производстве чипов по технологии A14 планирует не ранее 2028 года.

Данные берутся из публикации Обзор игрового QD-OLED WQHD-монитора Samsung Odyssey OLED G6 G60SD: движение в верном направлении?

Ведущим производителем передовых версий памяти HBM остаётся компания SK hynix, которая в то же время уступает Samsung Electronics по общим масштабам производства. Необходимость переориентировать под выпуск HBM3 и HBM3E часть линий по производству DDR5 вынуждает участников рынка повышать цены на последний тип продукции. В результате SK hynix повысила цены на DDR5 на 15–20 %.

Источник изображения: SK hynix

Если бы рост цен осуществлялся за счёт более естественных факторов цикличного возвращения спроса на DRAM, то он не был бы таким заметным. Развитие систем искусственного интеллекта провоцирует рост спроса не только на микросхемы HBM, но и классическую DDR, поскольку требуются всё новые серверные мощности, которые за счёт одних только ускорителей вычислений с памятью HBM не масштабируются.

В этом году SK hynix рассчитывает переориентировать на выпуск HBM более 20 % своих мощностей по выпуску DRAM, тогда как Samsung Electronics готова пожертвовать 30 % существующих линий по выпуску DRAM. Правда, чтобы реализовать эти намерения с наибольшей отдачей, Samsung сначала должна заручиться крупными заказами от той же Nvidia, а пока из комментариев представителей южнокорейской компании понятно лишь то, что процесс сертификации данной продукции под требования этого заказчика всё ещё продолжается.

Профсоюз работников компании Samsung объявил о планах провести четырёхдневную забастовку, направленную на усиление давления на руководство компании с целью повышения заработной платы и выплаты дополнительных премий.

Источник изображения: Yonhap

По сообщению издания Yonhap News Agency, национальный профсоюз Samsung Electronics (NSEU) — крупнейший профсоюз южнокорейского технологического гиганта, сообщил о своём намерении провести забастовку с 15 по 18 августа. Бастующим членам профсоюза дано указание отказаться от работы в День освобождения и независимости Кореи, начиная с четверга и работать посменно до воскресенья.

С января этого года профсоюз и руководство компании провели несколько раундов переговоров, но не смогли преодолеть разногласия по вопросам повышения заработной платы, системы отпусков и бонусов. В настоящий момент NSEU, представляющий интересы 31 000 работников, что составляет около 24 % от 125 000 сотрудников компании, находится в состоянии полномасштабной забастовки уже с 8 июля.

Профсоюз требует повышения базовой заработной платы на 5,6 % для всех её членов, гарантированного выходного дня в день основания профсоюза и компенсации экономических потерь, вызванных забастовкой. Руководство Samsung, в свою очередь, предложило повышение заработной платы только на 5,1 %, подчёркивая свою приверженность построению взаимовыгодных отношений с профсоюзом.

Напомним, ранее в этом месяце члены профсоюза вернулись к работе после 25-дневной забастовки и пообещали перейти к «долгосрочному плану», включающему проведение «молниеносных» забастовок.

На фоне растущего рыночного спроса на высокопроизводительную память для ИИ компания Samsung решила возобновить инвестиции в создание производственной линии чипов памяти DRAM 6-го поколения на своём заводе P4 в Пхёнтхэке с целью начать массовый выпуск таких микросхем в июне 2025 года, пишет южнокорейское издание ETNews.

Источник изображения: TrendForce

Источник сообщает, что память DRAM 6-го поколения, также известная как «1c», будет производиться с использованием техпроцесса класса 10 нм. Помимо Samsung такую память также планирует массово производить её южнокорейский конкурент SK hynix.

По информации ETNews, Samsung хотела начать строительство нового цеха P4 на своём заводе в Пхёнтхэке в 2022 году и изначально собиралась запустить его в 2024 году. Однако, завершив строительство производственного объекта и его обеспечение необходимой инфраструктурой, компания не стала оснащать новую линию производственным оборудованием. Из-за снизившегося спроса на рынке полупроводников Samsung сократила расходы путём снижения количества доступных мощностей.

Во второй половине прошлого года рынок полупроводников начал восстанавливаться, поэтому к середине года Samsung вновь перешла к инвестициям в новые проекты. Компания начала установку оборудования для выпуска флеш-памяти NAND на ранее неиспользуемом объекте P4 и теперь подтвердила планы по инвестициям в производство памяти DRAM 6-го поколения, пишет ETNews.

Пробные партии 1c DRAM компания Samsung собирается выпустить уже к концу текущего года, утверждает источник. Также сообщается, что производитель рассматривает возможность запуска производственной линии по выпуску микросхем памяти HBM4 с использованием технологии 1c DRAM во второй половине 2025 года.

Источник изображения: TrendForce

Аналитики TrendForce прогнозируют, что доходы отрасли производства памяти DRAM и NAND по итогам текущего года вырастут на 75 и 77 % соответственно, что объясняется стремительным ростом спроса на биты на фоне всеобщего бума ИИ. Эксперты также считают, что завод Samsung P4L станет ключевым источником выпуска микросхем памяти большой ёмкости. Согласно их оценкам, оборудование новой производственной линии для выпуска DRAM будет установлено к середине 2025 года, а массовое производство новых чипов начнётся в 2026-м.

На прошлой неделе информированные источники сообщили, что компании Samsung Electronics после неоднократных попыток удалось сертифицировать свои 8-слойные чипы памяти типа HBM3E под требования Nvidia, а потому их поставки для нужд этого заказчика начнутся в следующем квартале. Samsung не стала прямо комментировать данные слухи, но дала понять, что тестирование продукции ведётся в соответствии с намеченными ранее планами.

Источник изображения: Samsung Electronics

Редкий для подобных случаев комментарий представители южнокорейского производителя памяти дали ресурсу Seeking Alpha: «Samsung Electronics сейчас находится в процессе оптимизации наших продуктов за счёт тесного взаимодействия с различными клиентами, и тестирование осуществляется в соответствии с намеченными планами». Можно предположить, что под «оптимизацией» продукции Samsung подразумевает изменение технологии выпуска своих микросхем HBM3E, чтобы довести их характеристики до требований Nvidia.

На прошлой неделе также звучали опровержения от южнокорейских СМИ на тему получения Samsung долгожданного сертификата Nvidia, и заявления официальных представителей Samsung позволяют лишь убедиться, что сертификационная работа продолжается в соответствии с графиком, но судить о её результатах пока не представляется возможным. Не исключено, что тема будет обсуждаться на квартальном отчётном мероприятии Nvidia, которое намечено на конец текущего месяца.

Не секрет, что в условиях бума искусственного интеллекта производители памяти становятся одними из главных выгодоприобретателей наряду с разработчиками чипов для ускорителей вычислений. В первом квартале SK hynix увеличила выручку на 144,3 %, что позволило ей стать третьим по величине производителем чипов, Intel пока удерживает вторую позицию, а первую заняла компания Samsung Electronics, которая нарастила выручку на 78,8 %.

Источник изображения: Samsung Electronics

Тот факт, что Samsung долгое время не могла получить сертификат на соответствие своих микросхем памяти HBM3 и HBM3E требованиям Nvidia к компонентам для современных ускорителей вычислений, не отменяет возможности Samsung поставлять свою память HBM прочих поколений для нужд всех участников рынка. Во-вторых, восстановление спроса на память в целом благоприятно сказалось на выручке Samsung в первом квартале, а потому она выросла на 78,8 % до $14,9 млрд.

Источник изображения: IDC

Эксперты IDC отмечают, что высокие цены на микросхемы HBM также способствовали ускорению роста выручки производителей памяти. По сравнению с DRAM классической компоновки, микросхемы HBM стоят в четыре или пять раз дороже, а переориентация линий по выпуску DRAM на производство HBM дополнительно способствовало росту цен и на обычную DDR. В конечном итоге производители памяти извлекали выгоду из этих тенденций. В пятёрку крупнейших производителей чипов по итогам первого квартала попали три производителя памяти, включая Micron, которая заняла четвёртое место и продемонстрировала рост выручки на 57,7 % до $5,8 млрд. В денежном выражении производители памяти получили половину всей выручки десяти крупнейших производителей чипов. В статистику IDC вошли компании, которые сами и разрабатывают, и производят полупроводниковую продукцию.

В целом на нужды сектора вычислительных решений в первом квартале пришлось 35 % выручки десяти крупнейших производителей чипов, за год эта доля выросла сразу на шесть процентных пунктов. Следом идёт сегмент телекоммуникационных решений. Автомобильный сегмент сейчас пытается предотвратить затоваривание складов, поскольку всплеск активности на этом направлении после порождённого пандемией дефицита натолкнулся на некоторое охлаждение спроса. Не исключено, что автомобильный сегмент в сочетании с рынком компонентов для средств промышленной автоматизации в третьем квартале продемонстрирует некоторое оживление спроса, как поясняют представители IDC. На протяжении всего текущего года лидирующие позиции на рынке IDM с точки зрения динамики изменения выручки будут занимать производители памяти, по мнению экспертов IDC.