Сейчас американская компания Micron Technology является главным поставщиком микросхем памяти типа GDDR6 для видеокарт, поскольку именно её продукцию использует доминирующая в этом сегменте NVIDIA. В случае с переходом на GDDR7 фаворитами могут стать южнокорейские производители памяти, поскольку они обещают начать поставки таких микросхем раньше, чем Micron.

Источник изображения: Samsung Electronics

В прошлом месяце Samsung Electronics сообщила о завершении разработки памяти типа GDDR7 и начале поставок её образцов компании NVIDIA. Конкурирующая SK hynix намеревается последовать примеру Samsung до конца этого года. При этом Micron Technology свою память типа GDDR7 представит не ранее следующего полугодия. Учитывая расторопность Samsung в этой сфере, именно эта корейская компания может стать основным поставщиком микросхем памяти типа GDDR7 для нужд NVIDIA.

По прогнозам IGI, ёмкость рынка микросхем памяти семейства GDDR, используемой видеокартами, с 2018 по 2030 годы вырастет в полтора раза до $4,8 млрд, при этом среднегодовые темпы роста в сегменте самой производительной памяти такого типа будут измеряться двузначными величинами в процентах против средних по рынку 7,6 %. Всё это привлекает к выпуску памяти типа GDDR7 профильных производителей, и корейские компании в данном случае могут опередить своего американского производителя, занимающего сейчас доминирующее положение на рынке.

Память типа HBM в своём актуальном поколении (HBM3) весьма востребована рынком, поскольку используется при изготовлении популярных ускорителей вычислений NVIDIA для систем искусственного интеллекта, а южнокорейская SK hynix как раз является главным партнёром NVIDIA в этой сфере. Для ряда технологических операций по выпуску HBM компании SK hynix придётся переквалифицировать часть собственных сотрудников.

Источник изображения: SK hynix

Информация о соответствующей потребности появилась на уходящей неделе на страницах корейского ресурса Business Korea. Подразделение WLP компании SK hynix, которое специализируется на тестировании и упаковке микросхем памяти, недавно решило усилить штат специалистов по технологиям тестирования и упаковки за счёт сотрудников других подразделений компании, предложив кандидатам на релокацию программу профессиональной переподготовки. Речь, как подчёркивается, идёт не о рабочих, а об инженерных специалистах, поэтому их количество измеряется лишь десятками человек.

По замыслу SK hynix, подобный кадровый манёвр позволит укрепить компетенции компании в сфере разработки новых передовых методов упаковки, позволив сохранить темпы технического прогресса в сфере разработки новых видов продукции в этом сегменте рынка. Буквально недавно компания заявила об удачной разработке самой быстрой памяти типа HBM3e в мире. Возможность оставаться лидером будет определяться наличием адекватного кадрового потенциала, поэтому искать таланты компания не стесняется и внутри своего штата.

SK hynix объявила о том, что разработала память HBM3E — высокоскоростную оперативную память (DRAM) следующего поколения для высокопроизводительных вычислений и в частности для сферы ИИ. Эта память, по утверждению компании, является самой производительной в мире и в настоящее время проходит проверки и тесты у клиентов SK hynix.

Источник изображений: news.skhynix.com

HBM (High Bandwidth Memory) — это высокоскоростная память, которая представляет собой стек из вертикально соединённых нескольких чипов DRAM, что обеспечиваем значительное увеличение скорости обработки данных по сравнению с обычными чипами DRAM. HBM3E — это улучшенная версия памяти HBM3 пятого поколения, которая пришла на смену предыдущим поколениям: HBM, HBM2, HBM2E и HBM3.

SK hynix подчёркивает, что успешная разработка HBM3E стала возможной благодаря опыту компании, полученному в качестве единственного массового производителя HBM3. Планируется, что массовое производство HBM3E начнётся в первой половине следующего года, что укрепит лидирующие позиции компании на рынке памяти для ИИ.

По данным SK hynix, новинка не только соответствует самым высоким отраслевым стандартам по скорости, ключевому параметру памяти для задач ИИ, но и в других категориях, включая ёмкость, теплоотвод и удобство использования. HBM3E способна обрабатывать данные со скоростью до 1,15 Тбайт/с, что эквивалентно передаче за секунду более 230 полнометражных фильмов в разрешении Full HD размером 5 Гбайт каждый.

Кроме того, HBM3E имеет улучшенный на 10 % теплоотвод благодаря применению передовой технологии Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF2). Новая память также обеспечивает обратную совместимость, что позволит использовать её в уже существующих ускорителях, которые создавались под HBM3.

«Мы давно сотрудничаем с SK hynix в области памяти с высокой пропускной способностью для передовых ускоренных вычислительных решений. Мы с нетерпением ждём продолжения нашего сотрудничества с HBM3E для создания следующего поколения вычислений с ИИ», — сказал Иэн Бак (Ian Buck), вице-президент по гипермасштабным и высокопроизводительным вычислениям в NVIDIA.

Сунгсу Рю (Sungsoo Ryu), руководитель отдела планирования продуктов DRAM в SK hynix, подчеркнул, что компания укрепила свои рыночные позиции, дополнив линейку продуктов HBM, которая находится в центре внимания в свете развития технологии ИИ.

Как считают в SK hynix, полноценный искусственный интеллект появится в наших смартфонах только с дальнейшим ростом объёма памяти мобильных устройств. Новым шагом к этому стал выпуск компанией чипов памяти LPDDR5X объёмом 24 Гбайт — они уже устанавливаются в смартфоны OPPO. За одну секунду новая память способна пропустить через себя 13 фильмов в формате Full HD, и это далеко не предел, границы которого будут отодвигаться всё дальше и дальше.

Источник изображений: SK hynix

Формально массовый выпуск 24-Гбайт микросхем памяти LPDDR5X компания SK hynix начала в ноябре 2022 года. Сегодняшний анонс раскрывает производственные планы компании и позволяет сделать это на фоне вчерашнего анонса смартфона OnePlus Ace 2 Pro 2 с 24 Гбайт оперативной памяти. Кроме OPPO новую память получают другие производители смартфонов, имена которых SK hynix пока не раскрывает.

В основе техпроцесса производства 24-Гбайт микросхем LPDDR5X лежит хорошо известный по выпуску центральных процессоров техпроцесс High-K Metal Gate (HKMG), который представляет собой использование в составе транзисторов с металлическим затвором тонких изолирующих плёнок с высокой диэлектрической проницаемостью. Это позволяет снизить утечки тока и ведёт к снижению энергопотребления при одновременном увеличении скорости работы. По словам SK hynix, это первая в мире мобильная DRAM, выпущенная с применением техпроцесса HKMG.

Микросхемы LPDDR5X ёмкостью 24 Гбайт работают в диапазоне сверхнизкого напряжения от 1,01 до 1,12 В, установленного Объединенным инженерным комитетом по электронным устройствам (JEDEC), и способны обрабатывать 68 Гбайт/с, что эквивалентно передаче 13 фильмов в формате FHD (Full HD) за одну секунду.

«Благодаря своевременной поставке 24 Гбайт LPDDR5X от SK hynix мы смогли первыми выпустить смартфон, оснащенный самой ёмкой в отрасли памятью DRAM, — заявил Луис Ли, вице-президент по маркетингу компании OPPO. — Этот новый смартфон позволит покупателям насладиться оптимизированной многозадачностью, а также увеличенным временем автономной работы».

Подобные телефоны станут незаменимыми в эпоху карманных ИИ, уверены эксперты, что, в свою очередь, продолжит стимулировать развитие рынка памяти.

Отдельно компания SK hynix акцентирует внимание на скорости работы мобильной памяти. Представленная в начале этого года память LPDDR5T (с индексом «Турбо») на практике доказала свою состоятельностью. Так, отдельным пресс-релизом SK hynix сообщила, что новые микросхемы LPDDR5T в составе платформы MediaTek Dimensity показали рабочую скорость на уровне 9,6 Гбит/с на каждый контакт шины данных, что на 13 % быстрее допустимой стандартом JEDEC для памяти LPDDR5X скорости обмена данными.

Вместе с платформами MediaTek новая сверхбыстрая память найдёт применение в точках доступа и будет востребована в других приложениях, где важна скорость работы. Правда, для этого придётся ещё немного подождать, ведь память LPDDR5T и её характеристики пока не получили финальной поддержки комитета JEDEC в виде новых спецификаций или дополнений к стандарту LPDDR5. Ожидается, что это произойдёт до конца года и устройства с памятью LPDDR5T появятся в продаже в 2024 году.

Специалисты TrendForce поделились собственными представлениями о тенденциях развития рынка памяти типа HBM как в этом, так и в следующем году. В этом году будет наблюдаться дефицит микросхем памяти данного типа, но в следующем объёмы поставок смогут вырасти на 105 % за счёт расширения производственных мощностей. При этом два южнокорейских производителя смогут увеличить свою долю рынка в ущерб Micron Technology.

Источник изображения: SK hynix

Сейчас производители памяти типа HBM наращивают объёмы выпуска соответствующих микросхем, но линии по их упаковке в вертикальные стеки требуют от 9 до 12 месяцев на монтаж и настройку, поэтому существенного увеличения объёмов поставок готовой продукции в этой сфере не приходится ожидать ранее второго квартала следующего года.

Формально, на рынке присутствуют до трёх поколений памяти одновременно: HBM/HBM2, HBM2e и HBM3. Последняя считается четвёртым поколением, и на подходе уже пятое поколение микросхем, именуемое HBM3e. Шестым же станет HBM4, над разработкой которой уже трудятся корейские компании. Если в 2022 году на долю HBM3 приходились всего 8 % мирового рынка, а HBM2e занимала внушительные 70 %, то в текущем году спрос на HBM3 со стороны производителей ускорителей вычислений позволит поднять долю этого поколения памяти до 39 %. При этом доля HBM2e снизится до 50 %. Ну, а в следующем году доля HBM3 вырастет до 60 %, а HBM2e будет занимать не более 25 % рынка. В совокупности с ростом цен это приведёт к существенному увеличению выручки производителей данных типов памяти.

По итогам 2022 года компания SK hynix контролировала 50 % рынка HBM3, причём отчасти она могла благодарить за это компанию NVIDIA, которую снабжает данной памятью. Samsung Electronics довольствовалась 40 % рынка, а Micron — умеренными 10 %. Тем не менее, если в этом году SK hynix и Samsung будут стремиться к паритету на уровне 46–49 % рынка, то Micron придётся ужаться до 4–6 %. В следующем году доля последней может сократиться до 3–5 %, как считают аналитики TrendForce. Впрочем, эта американская компания сосредоточена на разработке памяти типа HBM3e, а потому может отыграться в будущем. Такую память, в частности, будут использовать представленные недавно NVIDIA ускорители вычислений GH200, поставки которых начнутся во втором квартале.

Как считают эксперты, цены на микросхемы HBM2 и HBM2e могут снизиться по итогам текущего года, поскольку они в меньшей степени востребованы рынком, чем HBM3. Высокий спрос на последний тип памяти в сочетании с высокими ценами будет способствовать росту выручки производителей HBM на 127 % до $8,9 млрд по итогам следующего года. В натуральном выражении объёмы поставок памяти вырастут на 105 %.

В мае этого года китайские регуляторы запретили использовать микросхемы памяти Micron Technology в объектах критически важной информационной инфраструктуры. Считалось, что данные ограничения пойдут на пользу как корейским поставщикам памяти, так и китайским, но по итогам нескольких месяцев работы китайской промышленности в условиях этих ограничений можно утверждать, что в плюсе оказались именно корейские производители.

Источник изображения: AFP

Дело в том, как поясняет South China Morning Post, что к объектам критически важной инфраструктуры преимущественно относятся серверные системы, которые требуют передовых чипов памяти, не выпускаемых в настоящее время местными производителями. По этой причине спрос в этой сфере сместился в сторону продукции южнокорейских поставщиков. В частности, китайская CXMT хоть и занимает 21 % рынка в сегменте микросхем DRAM, способна предлагать только чипы поколения DDR4. Соответственно, выбывшие поставки Micron, которая до введения санкций властями КНР занимала около 15 % местного рынка, замещаются преимущественно продукцией южнокорейских конкурентов в лице Samsung Electronics и SK hynix.

Китайская компания YMTC способна выпускать 232-слойную память типа 3D NAND, но на местном рынке она занимает не более 3 %, и санкции США против этого производителя неизбежно ограничат её возможности по выпуску самой продвинутой памяти. Правила экспортного контроля США в их действующей редакции допускают поставку в Китай только оборудования для производства микросхем памяти типа 3D NAND с количеством слоёв не более 128 штук.

Samsung завершила разработку микросхем памяти типа GDDR7, а в следующем году собирается удвоить объёмы производства памяти типа HBM. Компания SK hynix лидирует в последнем сегменте, контролируя примерно половину мирового рынка таких чипов памяти. Китайские производители память типа HBM вообще не предлагают, а именно она сейчас востребована системами искусственного интеллекта, построенными на специализированных ускорителях вычислений. Нет ничего удивительного в том, что в серверном сегменте китайские клиенты делают ставку на продукцию корейских поставщиков памяти.

По мнению аналитиков Counterpoint, если китайские власти продолжат настаивать на использовании отечественной памяти в объектах серверной инфраструктуры, то качественный состав серверов от этого неизбежно пострадает. Компаниям YMTC и CXMT будет трудно полагаться на китайских поставщиков оборудования для выпуска памяти в силу существенного отставания последних от западных конкурентов по уровню технологического развития.

Южнокорейская компания SK hynix на этой неделе отчиталась о результатах второго квартала, которые превзошли ожидания аналитиков. Выручка производителя памяти хоть и сократилась почти в два раза относительно аналогичного периода прошлого года до $5,7 млрд, оказалась выше прогнозируемой. Во втором полугодии SK hynix рассчитывает на некоторое восстановление спроса в отдельных сегментах рынка памяти.

Источник изображения: SK hynix

Операционные убытки компании во втором квартале достигли $2,2 млрд, что было несколько хуже ожиданий рынка. Год назад квартал завершился для SK hynix операционной прибылью в размере $3,3 млрд. По мнению некоторых отраслевых аналитиков, для рынка памяти в целом и SK hynix в отдельности худшее уже позади. Компания отметила резкий рост спроса на память для серверных систем, работающих с ИИ, во втором квартале, а также наблюдала рост цен в этом сегменте в последовательном сравнении.

Капитальные затраты в текущем году SK hynix сократит почти в два раза по сравнению с предыдущим, в текущем полугодии компания также продолжит уменьшать объёмы выпуска памяти типа NAND. Данные меры принесут свои плоды в этом полугодии, как считают представители компании. Спрос на память в серверном сегменте в целом будет слабым, в мобильном сегменте возможно некоторое оживление спроса в связи с сезонным фактором в виде предстоящего выхода новых моделей смартфонов крупных игроков рынка вроде Apple. В текущем квартале объёмы поставок флеш-памяти типа NAND останутся на существующем уровне за счёт складских запасов, а вот её производство SK hynix продолжит сокращать.

По данным Bloomberg Intelligence, во втором квартале спрос на производительную оперативную память серверного назначения марки SK hynix последовательно вырос более чем в два раза, что говорит о способности компании выиграть от ажиотажа вокруг систем искусственного интеллекта. Компания пообещала увеличивать производственные мощности по выпуску микросхем DDR5 высокой ёмкости и памяти типа HBM3. Так называемая графическая память, к которой относится и HBM3, во втором квартале формировала до 20 % выручки в сегменте DRAM. Такие микросхемы востребованы при производстве ускорителей вычислений.

Во втором полугодии, по мнению руководства SK hynix, начнёт восстанавливаться спрос на память со стороны корпоративных клиентов и в игровом сегменте. По крайней мере, в последовательном сравнении можно будет говорить о положительной динамике продаж.

По условиям сделки между Intel и SK hynix, которая была заключена в 2020 году, корейская сторона должна выплатить американской компании $2 млрд до марта 2025 года, а также взять под полное оперативное управление предприятие в китайском Даляне, на котором производится флеш-память 3D NAND. Вопреки слухам, SK hynix не намерена продавать предприятие даже в сложившихся непростых условиях.

Источник изображения: SK hynix

В четвёртом квартале прошлого и первом квартале этого года выручка SK hynix на китайском рынке сократилась почти на 60 %, но регион продолжает оставаться для компании важнейшим рынком сбыта, формируя до 30 % общей выручки. Унаследованное от Intel предприятие SK hynix в Даляне сейчас способно выпускать память типа 3D NAND с 96 и 144 слоями, и последний тип продукции формально попадает под экспортные ограничения США, введённые в октябре прошлого года. SK hynix удалось договориться с американскими чиновниками о сохранении своей деятельности на территории Китая без изменений, но перспективы развития локального бизнеса на фоне общего кризиса на рынке памяти вызывают серьёзную обеспокоенность у отраслевых экспертов.

Предприятие в Даляне обеспечивает до 30 % объёмов выпуска памяти типа 3D NAND марки SK hynix, а предприятие в Уси отвечает за половину всего объёма производства памяти типа DRAM. Есть у корейского производителя и предприятие по упаковке микросхем памяти в Чунцине, поэтому от Китая он зависит не только с точки зрения сбыта своей продукции. На предприятии в Уси оперативная память производится по технологии 10-нм класса, и тоже может попадать под действие экспортных ограничений США, если они вступят в силу.

По слухам, сложное финансовое положение подталкивает SK hynix к распродаже непрофильных активов, но расставаться с предприятием в Даляне она не собирается даже в таких непростых условиях. Прежде всего, представители компании в интервью Business Korea опровергли слухи о готовящейся продаже предприятия. С мая прошлого года компания ведёт в Даляне строительство нового предприятия по выпуску памяти, и сейчас собирается приступить к оснащению готового корпуса технологическим оборудованием, пусть и с оглядкой на наличие доступных для этого инвестиционных ресурсов.

Выход на рынок первой гарнитуры дополненной реальности Apple, который намечен на начало следующего года, потребовал инновационного подхода к разработке некоторых её комплектующих. Устройство Vision Pro получит не только уникальные дисплеи, но и оптимизированные микросхемы оперативной памяти, позволяющие с минимальной задержкой обрабатывать информацию, поступающую с датчиков. Поставщиком ОЗУ для Apple Vision Pro станет южнокорейская компания SK hynix.

Источник изображения: Apple

Об этом поведало издание The Korea Herald со ссылкой на собственные осведомлённые источники. Apple данную информацию комментировать предсказуемо отказалась, как и SK hynix. По словам первоисточника, SK hynix специально для гарнитуры Apple Vision Pro разработала гигабитные микросхемы памяти типа DRAM, которые ради снижения задержек при передаче информации получили в восемь раз больше контактов ввода-вывода, чем обычные чипы такого класса.

Микросхема ОЗУ в составе Vision Pro будет работать в тесной связке со специализированным чипом R1, который компания Apple специально разработала для обработки данных, поступающих с 12 камер, пяти датчиков и шести микрофонов. Задержки при обработке информации не превышают 12 миллисекунд, а внутри Vision Pro процессор R1 и модуль памяти SK hynix конструктивно будут объединены общим корпусом. Это позволит дополнительно снизить задержки в обработке сигналов датчиков.

Сотрудничество SK hynix с Apple подчёркивает взятый корейским производителем памяти курс на расширение ассортимента специализированных микросхем памяти. Не так давно эта компания представила первую в мире микросхему HBM третьего поколения с 12-ярусной компоновкой. Подобные чипы востребованы в сегменте ускорения вычислений, которые на волне бума систем искусственного интеллекта пользуются огромным спросом.

В октябре прошлого года власти США ввели экспортные ограничения на поставку определённой номенклатуры оборудования для производства чипов в Китай, и это сразу поставило под вопрос дальнейшее развитие предприятий Samsung и SK hynix по выпуску микросхем памяти, которые расположены в КНР. Обе компании были освобождены от ограничений до октября текущего года, но теперь они пытаются добиться бессрочного продления подобных послаблений.

Источник изображения: SK hynix

Недавно издание The Wall Street Journal уже сообщало, что заместитель министра торговли США выразил уверенность в продлении льготного периода деятельности для корейских и тайваньских компаний, располагающих предприятиями на территории Китая. В начале этой неделе издание The Korea Herald со ссылкой на собственные источники в корейской промышленности сообщило, что местные производители чипов обратились к чиновникам США с запросом на бессрочное сохранение особого режима экспорта оборудования в Китай для корейских компаний. Samsung Electronics и SK hynix упоминаются источниками в качестве непосредственных авторов этой инициативы.

Обе компании стремятся получить у властей США бессрочные экспортные лицензии на поставку необходимого для развития своих китайских предприятий оборудования. Это позволило бы им избежать необходимости согласовывать поставку каждой партии оборудования в отдельности, что отнимает время и лишает инвесторов определённости в будущем китайского бизнеса этих корейских компаний. Если получить бессрочные лицензии не удастся, корейские поставщики хотели бы установить максимально длительный срок их действия.

Samsung на своём предприятии в Китае производит почти 40 % всего объёма выпускаемой памяти типа NAND, а SK hynix на нескольких китайских предприятиях производит почти половину объёма памяти типа DRAM, поставляемой на мировой рынок под собственной маркой. Сохранение способности модернизировать местное оборудование означало бы для обеих компаний обеспечение адекватной финансовой отдачи не только от прошлых, но и от будущих инвестиций.

Торговая война между США и Китаем может ударить по южнокорейским производителям микросхем, поскольку значительная часть их производства находится в Поднебесной. Однако эти последствия не будут долговременными, считают аналитики Fitch Ratings.

Источник изображения: Laura Ockel / Pixabay

Как поясняют эксперты, США ищут возможности ограничить Китаю доступ к оборудованию для производства передовых полупроводниковых микросхем. В результате под ударом могут оказаться китайские фабрики южнокорейских компаний Samsung Electronics и SK hynix. У первой в Китае расположены 40 % от общего объёма доступных мощностей для выпуска чипов флеш-памяти NAND. А у SK hynix в Китае находятся около 40—50 % процентов мощностей для производства чипов DRAM и 20 % мощностей для выпуска флеш-памяти NAND.

«Мы не думаем, что это приведёт к долговременным перебоям в поставках, так как обе компании, вероятнее всего, выберут Южную Корею основной площадкой для своих производств и инвестиций», — говорится в отчёте Fitch Ratings, который цитирует издание CNBC.

В октябре прошлого года правительство США приняло законы, запрещающие поставки в Китай оборудования для производства передовых микросхем. Американские власти опасаются, что Китай будет использовать эти технологии для повышения своего военного потенциала. Поддержать инициативу запрета согласились Нидерланды и Япония.

Компании Samsung Electronics и SK hynix являются двумя крупнейшими в мире производителями чипов памяти. Третье место принадлежит американской компания Micron. Заводы компаний, расположенные в Китае, производят микросхемы согласно зрелым и передовым технологическим процессам. И на эти предприятия ограничения, введённые США, не распространяются. Чипы памяти производятся на них как для рынка Китая, так и на экспорт. По данным Korea Times, оба южнокорейских гиганта получили разрешение до октября этого года поставлять новое оборудование, в составе которого используются американские технологии, на свои китайские фабрики.

В мае Китай запретил использование продуктов Micron в критически важной информационной инфраструктуре. По мнению Fitch, Samsung и SK hynix «в результате этого на самом деле могут получить выгоду от более высоких цен на чипы памяти в Китае. Однако вероятнее всего, последствия будут менее значительными, и Micron просто переориентирует поставки производящихся в Китае чипов за пределы Поднебесной, что в свою очередь может привести к снижению цен чипов памяти на мировом рынке».

Как пишет CNBC, власти США призвали Южную Корею не позволить другим производителям чипов памяти занять место Micron в Китае. Согласно финансовому отчёту Micron за 2022 год, около 10 % от общей выручки компании пришлись на Китай. Аналитики Fitch считают, что два южнокорейских производителя чипов как минимум частично заполнят лакуны, оставленные Micron на китайском рынке.

«Поскольку в настоящее время рынок перенасыщен предложением, будет сложно отследить, какая часть от утраченного объёма микросхем Micron будет восполнена за счёт корейских производителей», — указывают эксперты.

В то же время они считают, что риски в перспективе могут возрасти, если США и Китай продолжат накладывать друг на друга более серьёзные ограничения. Это в конечном итоге может повлиять на стоимость и доступность полупроводниковых компонентов в цепочках поставок.

SK hynix доложила о запуске в мае массового производства 238-слойной памяти 4D NAND, на основе которой будут выпускаться твердотельные накопители нового поколения с более высокими скоростью и ёмкостью. Новые чипы обеспечивают передачу данных в 2400 МТ/с, закладывая основу для высокопроизводительных SSD с интерфейсом PCIe 5.0 x4 и скоростью последовательного чтения/записи 12 Гбайт/с и выше.

Источник изображения: skhynix.com

Скорость интерфейса в 2400 МТ/с является, пожалуй, ключевым показателем для 238-слойных чипов TLC NAND от SK hynix — это на 50 % быстрее интерфейса чипов предыдущего поколения, которые при 1600 МТ/с едва ли могут раскрыть потенциал PCIe 5.0 x4. На 34 % повышается экономическая эффективность компонентов в сравнении со 176-слойными аналогами: если принять, что производителю удалось обеспечить сравнимые показатели выхода годной продукции, то с 238-слойными чипами TLC NAND стоимость гигабайта снизится на те же 34 %. Помимо сокращения физических размеров готовых устройств, энергопотребление памяти нового поколения при чтении уменьшается на 21 %.

Предложенное производителем маркетинговое обозначение новых чипов как 4D NAND на самом деле означает, что в них используются технология ячейки с ловушкой заряда (Charge Trap Flash — CTF) и запатентованная производителем компоновка с переносом логики под массив ячеек (Peripheral Under Cells — PUC). Готовые продукты на 238-слойных чипах NAND дебютируют на рынке как накопители для смартфонов, после чего начнут использоваться и в других устройствах. В SK hynix добавили, что на доходы компании продукты нового поколения начнут оказывать влияние уже во второй половине года.

Последние месяцы характеризуются для Intel отказом от планов по строительству новых исследовательских центров, поскольку компания вынуждена экономить в условиях одновременного снижения выручки и роста затрат на строительство новых предприятий и освоение новых техпроцессов. Тем интереснее узнать, что до конца года в Южной Корее начнёт свою работу новая лаборатория по сертификации микросхем памяти.

Источник изображения: Intel

Об этом в начале месяца сообщило издание The Korea Herald, которое подчеркнуло, что на мероприятии Intel Vision 2023 на Тайване, которое прошло недавно, руководство Intel заявило партнёрам о готовности компании построить шесть исследовательских лабораторий в шести странах — не только в Южной Корее, но и в США, Индии, Китае, Мексике и на Тайване. Корейская лаборатория расположится в Сеуле и будет носить полное наименование Advanced Data Center Development Lab, намекая на ориентацию на серверный сегмент. Свою работу эта лаборатория уже начнёт в этом году.

Партнёрами Intel по этой площадке станут местные производители памяти в лице Samsung Electronics и SK hynix. Лаборатория сосредоточится на сертификации модулей и микросхем памяти на совместимость с центральными процессорами Intel. В Южной Корее сосредоточены крупнейшие производители оперативной памяти, поэтому выбор места для новой лаборатории абсолютно оправдан и логичен. Среди стандартов, изучаемых лабораторией на совместимость, будут DDR5 и CXL. Оба начинают находить всё более широкое применение в серверном сегменте, поэтому запуск профильной лаборатории запланирован компанией Intel весьма своевременно.

Анализ, выполненный TrendForce, показал, что динамика продаж на рынке флэш-памяти NAND замедлилась в первом квартале текущего года. Несмотря на то, что поставщики снижали цены для стимулирования продаж, объем отгрузок чипов NAND за квартал вырос лишь на 2,1 %. В сочетании с 15-процентным падением средней цены реализации индустрия флеш-памяти зарегистрировала снижение доходов за квартал на 16,1 % до суммы порядка $8,63 млрд.

Источник изображения: pixabay

SK Group (SK hynix плюс Solidigm) и Western Digital столкнулись с одновременным падением объёмов поставок и цен, что привело к снижению доходов более чем на 20 % для каждой из компаний. В первом квартале доход SK Group от продажи флэш-памяти снизился до $1,32 млрд, что на 24,8 % меньше по сравнению с предыдущим кварталом. Это снижение было вызвано вялым спросом на рынке ПК. Так, вклад сектора SSD упал с более 50 % в 4 квартале 2022 года до всего 20-25 % в 1 квартале 2023-го. Western Digital также ощутила на себе последствия межсезонья: доходы от продажи флэш-памяти NAND у неё снизились на 21,1 % до примерно $1,31 млрд.

Поскольку спрос со стороны основных потребителей, таких как серверы, ноутбуки и смартфоны, остаётся на прежнем уровне, компания Samsung пыталась увеличить объём поставок, продвигая продукцию высокой ёмкости. Однако эта стратегия привела к снижению средней цены реализации NAND на 18,3 % за квартал и к снижению доходов Samsung от продаж на 15,8 % до $2,93 млрд в 1 квартале 2023 года. Аналогичным образом компания Kioxia столкнулась с ослаблением потребительского спроса, и, несмотря на рост объёма отгрузок на 18 %, снижение средней цены реализации на 20,3 % привело к падению выручки компании на 5,9 % за квартал, составив около $1,85 млрд.

Доход компании Micron от продаж NAND Flash в первом квартале снизился на 19,8 % до $890 млн. Однако по мере того, как запасы ПК и мобильных устройств клиентов возвращаются к нормальному уровню, Micron надеется выйти из ситуации переизбытка за счёт реализации текущих мер по сокращению производства.

Источник изображения: TrendForce

Во 2 квартале 2023 года TrendForce ожидает роста покупательской активности, чему должно поспособствовать недавнее сокращение производства компанией Samsung. В частности, производители модулей памяти и OEM-производители комплектующих ПК, похоже, будут активизироваться, и общий объем поставок NAND Flash, по прогнозам, возрастёт на 5,2 % за квартал. Несмотря на это, дальнейшее снижение средней цены реализации по всем продуктам, связанное с ликвидацией запасов, никуда не денется. В результате, по прогнозам TrendForce, доходы отрасли NAND во втором квартале продолжат тенденцию к снижению и, по оценкам, сократятся ещё примерно на 7,9 % по сравнению с минувшим кварталом.

SK hynix объявила сегодня о завершении разработки самой передовой в отрасли технологии изготовления памяти 1b нм — пятого поколения 10-нм технологического процесса. Вместе с Intel компания уже начала проверку новых модулей DDR5, предназначенных для платформ Intel Xeon Scalable. Новый техпроцесс 1b нм будет использоваться для производства как серверной, так и потребительской памяти DDR5, а позднее для HBM3E и других видов памяти. Поступить в массовое производство чипы DDR5, произведённые по технологии 1b нм, должны во второй половине года.

Источник изображений: SK hynix

SK hynix ожидает, что с валидацией DDR5-памяти на базе 1b-нм технологического процесса проблем не возникнет. Согласно пресс-релизу, оперативная память DDR5 на новых чипах сразу обеспечит скорость передачи данных 6,4 Гбит/с, и это на 33 % лучше, чем у DDR5-продуктов прошлого поколения. Что ещё более важно, память DDR5, изготовленная по нормам 1b нм, будет потреблять на 20 % меньше энергии, чем более ранние продукты. Это связано с тем, что в техпроцессе используется материал с высокой диэлектрической проницаемостью, который снижает токи утечки и улучшает ёмкостные характеристики ячеек, отмечает компания.

SK hynix также подтвердила, что техпроцесс нового поколения будет использоваться и для производства HBM3E-памяти. Он позволит поднять скорость обработки данных до 8 Гбит/с на контакт, что на 25 % лучше, чем у HBM3, и в 8 раз лучше, чем у памяти HBM первого поколения. Чипы для HBM3E должны поступить в массовое производство в 2024 году.

Компания подчеркнула, что разработка новейшей технологии 1b нм позволит компании обеспечить своих клиентов продуктами DRAM, обладающими как высокой производительностью, так и эффективностью. Это позволит ей и дальше удерживать лидерство среди производителей модулей памяти. Напомним, недавно о переходе на новую технологию производства памяти объявила Samsung. Компания заявила о запуске массового производства 16-гигабитных чипов оперативной памяти DDR5 на базе технологического процесса 12-нм класса.