До сих пор единственным поставщиком микросхем HBM3 для нужд NVIDIA оставалась южнокорейская компания SK hynix, но в случае с HBM3e конкурирующая Micron Technology начала снабжать NVIDIA образцами своей продукции к концу июля, поэтому борьба за место на рынке в этом сегменте памяти будет ожесточённой. К 2026 году на рынок будет готова выйти память типа HBM4, которая годом позднее увеличит количество слоёв с 12 до 16 штук.

Источник изображения: SK hynix

Ближайшая перспектива в эволюции памяти типа HBM3e, как поясняет TrendForce — это выход 8-слойных микросхем, которые к первому кварталу следующего года должны пройти сертификацию NVIDIA и прочих клиентов, а затем перейти в фазу серийного производства. Micron Technology в этой сфере слегка опережает SK hynix, предоставив свои образцы для тестирования на пару недель раньше, а вот Samsung успела сделать это только к началу октября. Память типа HBM3e способна обеспечить скорость передачи информации от 8 до 9,2 Гбит/с, восьмислойные микросхемы объёмом 24 Гбайт будут выпускаться по техпроцессам класса 1-альфа (Samsung) или 1-бета (SK hynix и Micron). Их серийное производство к середине следующего года наладят все три компании, но две последних рассчитывают это сделать к началу второго квартала.

Во многом этот график будет определять ритмичность выхода новых ускорителей вычислений NVIDIA. В следующем году компания наладит поставки ускорителей H200 с шестью микросхемами HBM3e, до конца того же года выйдут ускорители B100 уже с восемью микросхемами HBM3e. Попутно будут выпускаться гибридные решения с центральными процессорами с Arm-совместимой архитектурой, именуемые GH200 и GB200.

Источник изображения: TrendForce

Конкурирующая компания AMD, по данным TrendForce, в 2024 году сосредоточится на использовании памяти типа HBM3 в семействе ускорителей Instinct MI300, а переход на HBM3e прибережёт для более поздних Instinct MI350. Тестирование памяти на совместимость в этом случае начнётся во второй половине 2024 года, а фактические поставки микросхем HBM3e для AMD стартуют не ранее первого квартала 2025 года.

Представленные во второй половине прошлого года ускорители Intel Habana Gaudi 2 ограничиваются использованием шести стеков HBM2e, преемники серии Gaudi 3 к середине следующего года увеличат количество стеков до 8 штук, но останутся верны использованию микросхем HBM2e.

Память типа HBM4 будет представлена только в 2026 году, она предложит использование 12-нм подложки, которая будет изготавливаться контрактными производителями. Количество слоёв в одном стеке памяти будет варьироваться между 12 и 16 штуками, причём микросхемы последнего типа появятся на рынке не ранее 2027 года. Впрочем, Samsung Electronics демонстрирует намерения представить HBM4 уже в 2025 году, наверстав упущенное по сравнению с предыдущими поколениями микросхем памяти этого класса.

В ближайшие годы сформируется и тренд на индивидуализацию дизайна решений с использованием памяти типа HBM. В частности, некоторые разработчики рассматривают возможность интеграции чипов такой памяти непосредственно на кристаллы с вычислительными ядрами. По крайней мере, NVIDIA подобные намерения уже приписываются, и именно в отношении микросхем типа HBM4.

Сентябрь для рынка флеш-памяти стал переломным моментом, поскольку впервые с начала года по итогам данного месяца объёмы экспорта микросхем типа NAND из Южной Кореи выросли на 5,6 % в годовом сравнении, тогда как в предыдущие месяцы этого года они снижались. В этой стране работают два крупнейших производителя памяти, поэтому такой отскок внушает надежду на преодоление дна всей отраслью.

Источник изображения: Samsung Electronics

Об этом позволяет судить отчёт Министерства торговли Южной Кореи, как поясняет Bloomberg. По итогам августа экспорт микросхем типа NAND из этой страны сократился в годовом сравнении на 8,9 %, поэтому сентябрьский рост позволяет рассчитывать на перелом тренда. В то же время, поставки памяти типа DRAM из Южной Кореи в сентябре снизились на 24,6 % по сравнению с аналогичным месяцем прошлого года, но это всё равно было ниже августовского снижения на 35,2 %.

В географическом выражении поставки полупроводниковой продукции из Южной Кореи сильнее всего в сентябре увеличились на европейском направлении (56,5 %), тогда как в США и Китай было поставлено меньше полупроводниковых изделий, чем годом ранее, на 30,5 и 22,7 % соответственно. Компании Samsung Electronics и SK hynix значительную часть своей продукции производят на территории Китая, поэтому полученные недавно льготы в части поставок оборудования на местные предприятия позволяют им рассчитывать на стабильную работу в условиях ужесточения санкций США против КНР.

Власти Южной Кореи и представители компаний SK hynix и Samsung Electronics на этой неделе подтвердили, что данные производители памяти получили от властей США право бессрочно поставлять на свои предприятия в Китае оборудование, необходимое для их модернизации, без согласования каждой партии с американскими чиновниками. Аналогичную льготу получит и тайваньская компания TSMC, у которой функционирует предприятие в Нанкине.

Источник изображения: TSMC

По крайней мере, как утверждает The Wall Street Journal, льготный режим импорта оборудования TSMC сможет использовать на протяжении ещё одного года, и он сохранялся с октября прошлого года, когда соответствующие экспортные ограничения были введены властями США против Китая. Южнокорейские компании Samsung Electronics и SK hynix смогли получить статус «подтверждённых конечных пользователей» соответствующего оборудования, как поясняет источник. Между США и Южной Кореей в рамках данного соглашения был составлен список оборудования, которое обе компании имеют право ввозить в Китай без дополнительных согласований по каждой партии. Соответствующие договорённости не содержат упоминаний о конечном сроке их действия.

TSMC, которая заинтересована в возможности поставлять оборудование в Китай для модернизации своего предприятия в Нанкине, выпускающего 28-нм продукцию, особым режимом экспортного контроля пользуется с октября прошлого года, но осведомлённые источники поясняют, что он будет продлён ещё на год. Представители тайваньской стороны данную информацию никак не прокомментировали.

По оценкам CLSA Projects, компании Samsung и SK hynix с 2010 года вложили в свои предприятия на территории Китая около $40,7 млрд. При этом Samsung Electronics производит на территории КНР около 40 % всей памяти NAND, для SK hynix этот показатель достигает 30 %, а ещё она выпускает в этой стране до 45 % своей памяти типа DRAM. Если учесть, что Samsung, SK hynix и Micron во втором квартале контролировали сообща 96 % рынка DRAM и около 62 % мирового рынка NAND, их возможность продолжать выпуск памяти в Китае способна существенно влиять на весь мировой рынок. Именно из этих соображений власти США и предусмотрели послабления для корейских производителей памяти в сфере экспортного контроля.

Впрочем, те же эксперты CLSA поясняют, что нынешний благоприятный режим поставок оборудования в Китай для SK hynix и Samsung способен решить проблемы производителей от силы на два поколения технологий, но в дальнейшем обе компании неизбежно упрутся в эти экспортные ограничения при попытках модернизировать и расширить свои предприятия в Китае. Тем более, что нынешние послабления никак не отменяют ограничений, предъявляемых к планам компаний по расширению производства в Китае при получении американских субсидий на развитие локального производства в США. Площадь так называемых «чистых помещений» своих предприятий в Китае обе компании не смогут на протяжении десяти лет увеличивать более чем на 5–10 %, если согласятся получать от властей США субсидии на строительство локальных предприятий в их юрисдикции.

В начале октября истекает срок действия льготных условий экспортного контроля США в отношении южнокорейских производителей памяти, чьи предприятия функционируют на территории Китая. В прошлом году им удалось добиться права поставлять в КНР для своих нужд любые типы оборудования, но отсрочка была дана лишь на год. Корейские СМИ теперь заявляют, что особые условия будут действовать бессрочно, и об этом будет объявлено на текущей неделе.

Источник изображения: SK hynix

По словам информационного агентства Yonhap, Министерство торговли США в последнее время проводило активные консультации с компаниями Samsung Electronics и SK hynix, чьи крупные предприятия по производству микросхем памяти сосредоточены в Китае. Год назад власти США запретили поставки в Китай оборудования для выпуска памяти определённой номенклатуры, и корейским производителям была дана отсрочка на год, чтобы завершить реализацию своих инвестиционных программ, подразумевающих поставку нового оборудования в Китай. Ожидается, что теперь послабления могут узаконить на бессрочной основе, и американские чиновники сделают соответствующие заявления на этой неделе.

Власти США должны определиться с перечнем оборудования и компаний, которые смогут обслуживать интересы Samsung и SK hynix на территории Китая. Даже без учёта необходимости в расширении производства на территории КНР, корейские компании испытывают потребность в модернизации и замене эксплуатируемого в Поднебесной оборудования, поэтому какие-то послабления должны быть предусмотрены в правилах экспортного контроля, чтобы соответствующие производства продолжали конкурентно функционировать в ближайшие годы. Сообща Samsung и SK hynix контролируют 70 % мирового рынка памяти типа DRAM и 50 % рынка памяти типа NAND, поэтому с их интересами американские чиновники вынуждены считаться, даже когда речь идёт о производстве чипов на территории Китая.

Когда эксперты канадской компании TechInsights разобрали недавно представленные Huawei смартфоны семейства Mate 60, они обнаружили внутри не только передовой по меркам этого китайского производителя процессор HiSilicon, но и память марки SK hynix, которая по условиям правил экспортного контроля США достаться Huawei была не должна. Теперь исследователи знают больше о происхождении этой памяти.

Источник изображения: Bloomberg

Как сообщает Bloomberg, представителям TechInsights удалось выяснить, что микросхемы памяти SK hynix данной партии поставляются клиентам корейского производителя довольно давно, с 2021 года. Помимо собственно Huawei, которая использовала их и в составе смартфонов Mate X3 и P60 Pro в этом году, память SK hynix данной партии была замечена и в смартфоне Lenovo, который был разобран исследователями ещё в 2021 году.

Хотя само по себе это не объясняет, кто поставил память SK hynix в обход американских санкций, ведь сама компания причастность к этому отрицает, данная информация позволяет понять, что микросхемы данной партии встречаются на рынке достаточно давно, а потому могут иметь отношение к «старым запасам», созданным Huawei в «переходный период», когда санкции уже были объявлены и расширялись, но ещё не вступили в силу в полной мере. Напомним, что власти США ограничили производителей электроники и оборудования по всему миру в праве снабжать Huawei Technologies продукцией, созданной с использованием технологий американского происхождения, с 2019 года.

В отличие от тех же центральных процессоров, например, микросхемы памяти гораздо дольше не теряют актуальности своих характеристик, поэтому при грамотном распоряжении Huawei вполне могла обходиться запасами таких чипов SK hynix, купленных ранее по официальным каналам. Сама SK hynix тоже проводит расследование на эту тему, но пока не готова огласить его итоги. Более того, власти США пытаются определить, как Huawei удалось создать передовой по меркам марки мобильный процессор, который она устанавливает в свои свежие модели смартфонов.

Обнаруженная в составе новейшего смартфона работающей под санкциями США компании Huawei память марки SK hynix появилась там против воли самого южнокорейского производителя, но данный факт сам по себе прервал рост курса акций компании, которые укрепились в цене с начала года на 60 % из-за увлечения инвесторов идеями повсеместного распространения технологий искусственного интеллекта.

Источник изображения: SK hynix

Как известно, до недавних пор SK hynix оставалась единственным поставщиком памяти типа HBM3 для ускорителей вычислений NVIDIA, спрос на которые, по данным руководства TSMC, в этом году вырос в три раза. Инвесторы справедливо рассуждали, что и SK hynix что-нибудь да перепадёт с хлебосольного стола NVIDIA. Недавно стало известно, что в ряды поставщиков HBM3 для нужд последней из компаний с октября попадёт и Samsung Electronics.

Тем не менее, коррекцию курса акций SK hynix вызвал именно скандал со смартфоном Huawei Mate 60 Pro, внутри которого обнаружилась память этой корейской марки, хотя подобное сотрудничество между производителями было запрещено правилами экспортного контроля США ещё с 2019 года. Официально SK hynix заявляет, что полностью подчиняется требованиям законодательства США, и Huawei своей памятью снабжать перестала сразу же, как только возникли соответствующие ограничения.

С прошлого четверга, как поясняет Bloomberg, акции SK hynix потеряли в цене 6 %, поскольку скандал с Huawei немного насторожил инвесторов. Ситуацию усугубили намерения китайских властей запретить использование Apple iPhone чиновниками и сотрудниками компаний с государственным участием. Спросу на новые смартфоны Apple это навредит, и поставки памяти SK hynix для нужд этого производителя смартфонов тоже сократятся. В следующем месяце корейский производитель памяти должен отчитаться о результатах квартала, и некоторые эксперты ожидают, что они окажутся хуже прогнозов.

В предыдущем квартале выручка SK hynix сократилась в годовом сравнении в два раза, компания уже три квартала подряд получает операционные убытки. Сейчас предпосылок для заметного улучшения спроса на микросхемы памяти на рынке попросту нет. Всё это подтолкнуло инвесторов, которые до этого вкладывались в акции SK hynix, зафиксировать прибыль.

Знакомство с содержимым смартфона Huawei Mate 60 Pro, который ознаменовал победу Китая над американскими санкциями в сфере полупроводниковых компонентов, выявило присутствие в его составе микросхем памяти южнокорейской SK hynix, которая поспешила заявить, что с Huawei давно не сотрудничает, и теперь проводит расследование того, как её память попала в этот китайский смартфон.

Источник изображения: Bloomberg, James Park

Напомним, что Huawei при производстве флагманского смартфона Mate 60 Pro удалось заручиться поддержкой китайских поставщиков компонентов более чем на 90 %, но микросхемы памяти компания всё равно вынуждена заимствовать у партнёров SK hynix и Micron Technology. По данным TechInsights, новый китайский флагман использует микросхемы LPDDR5 и 3D NAND производства южнокорейской компании SK hynix. Данный факт стал откровением для самого производителя памяти, который поспешил заявить, что не снабжает Huawei Technologies своей продукцией с момента введения экспортных ограничений США против этого китайского гиганта.

SK hynix пришлось добавить в своём официальном заявлении, что компания вынуждена начать расследование по поводу происхождения микросхем памяти, которые используются в составе смартфона Huawei Mate 60 Pro. Корейский поставщик памяти подчеркнул, что строго следует экспортным ограничениям США. Зарубежные компании уже на протяжении трёх лет лишены права снабжать Huawei современной продукцией, и SK hynix не является исключением. Правда, существенная часть её памяти производится на территории КНР, но это до конца не объясняет появление продукции данной марки в составе новой модели смартфона Huawei. Представители последней ситуацию никак не комментируют.

Принято считать, что при производстве новейших ускорителей вычислений NVIDIA до сих пор использовались микросхемы памяти типа HBM3 южнокорейской компании SK hynix, но подобную память давно предлагает своим клиентам и конкурирующая Samsung Electronics. По данным корейских СМИ, её продукция прошла одобрение NVIDIA в этом контексте только недавно, а потому будет использоваться последней с октября этого года.

Источник изображения: Samsung Electronics

Как поясняет Bloomberg, на этих новостях акции Samsung Electronics выросли в цене на 6 % — максимально с января 2021 года. Представители Citigroup заявили, что после включения Samsung в пул поставщиков HBM3 для нужд NVIDIA эта компания может стать лидером в этом сегменте рынка. По сути, Samsung остаётся крупнейшим поставщиком памяти, просто в сегменте HBM3 её пока что опережала SK hynix. Свои силы в производстве HBM3 также пробует американская Micron Technology, но пока она может претендовать от силы на 10 % рынка, как считают аналитики TrendForce.

Samsung со следующего квартала начнёт снабжать NVIDIA своими микросхемами HBM3, и это пойдёт на пользу и самой NVIDIA, поскольку иметь двух поставщиков всегда выгоднее и надёжнее, чем одного. Корейские СМИ месяц назад также сообщали, что Samsung будет заниматься упаковкой чипов для NVIDIA, снижая зависимость последней от услуг TSMC. Разработчик востребованных рынком ускорителей вычислений не может в полной мере удовлетворить спрос на них в этом году, во многом из-за ограниченных возможностей TSMC по упаковке чипов. Последняя хоть и планирует удвоить их к концу следующего года, использование услуг её конкурентов позволило бы NVIDIA решить проблему быстрее.

Сейчас американская компания Micron Technology является главным поставщиком микросхем памяти типа GDDR6 для видеокарт, поскольку именно её продукцию использует доминирующая в этом сегменте NVIDIA. В случае с переходом на GDDR7 фаворитами могут стать южнокорейские производители памяти, поскольку они обещают начать поставки таких микросхем раньше, чем Micron.

Источник изображения: Samsung Electronics

В прошлом месяце Samsung Electronics сообщила о завершении разработки памяти типа GDDR7 и начале поставок её образцов компании NVIDIA. Конкурирующая SK hynix намеревается последовать примеру Samsung до конца этого года. При этом Micron Technology свою память типа GDDR7 представит не ранее следующего полугодия. Учитывая расторопность Samsung в этой сфере, именно эта корейская компания может стать основным поставщиком микросхем памяти типа GDDR7 для нужд NVIDIA.

По прогнозам IGI, ёмкость рынка микросхем памяти семейства GDDR, используемой видеокартами, с 2018 по 2030 годы вырастет в полтора раза до $4,8 млрд, при этом среднегодовые темпы роста в сегменте самой производительной памяти такого типа будут измеряться двузначными величинами в процентах против средних по рынку 7,6 %. Всё это привлекает к выпуску памяти типа GDDR7 профильных производителей, и корейские компании в данном случае могут опередить своего американского производителя, занимающего сейчас доминирующее положение на рынке.

Память типа HBM в своём актуальном поколении (HBM3) весьма востребована рынком, поскольку используется при изготовлении популярных ускорителей вычислений NVIDIA для систем искусственного интеллекта, а южнокорейская SK hynix как раз является главным партнёром NVIDIA в этой сфере. Для ряда технологических операций по выпуску HBM компании SK hynix придётся переквалифицировать часть собственных сотрудников.

Источник изображения: SK hynix

Информация о соответствующей потребности появилась на уходящей неделе на страницах корейского ресурса Business Korea. Подразделение WLP компании SK hynix, которое специализируется на тестировании и упаковке микросхем памяти, недавно решило усилить штат специалистов по технологиям тестирования и упаковки за счёт сотрудников других подразделений компании, предложив кандидатам на релокацию программу профессиональной переподготовки. Речь, как подчёркивается, идёт не о рабочих, а об инженерных специалистах, поэтому их количество измеряется лишь десятками человек.

По замыслу SK hynix, подобный кадровый манёвр позволит укрепить компетенции компании в сфере разработки новых передовых методов упаковки, позволив сохранить темпы технического прогресса в сфере разработки новых видов продукции в этом сегменте рынка. Буквально недавно компания заявила об удачной разработке самой быстрой памяти типа HBM3e в мире. Возможность оставаться лидером будет определяться наличием адекватного кадрового потенциала, поэтому искать таланты компания не стесняется и внутри своего штата.

SK hynix объявила о том, что разработала память HBM3E — высокоскоростную оперативную память (DRAM) следующего поколения для высокопроизводительных вычислений и в частности для сферы ИИ. Эта память, по утверждению компании, является самой производительной в мире и в настоящее время проходит проверки и тесты у клиентов SK hynix.

Источник изображений: news.skhynix.com

HBM (High Bandwidth Memory) — это высокоскоростная память, которая представляет собой стек из вертикально соединённых нескольких чипов DRAM, что обеспечиваем значительное увеличение скорости обработки данных по сравнению с обычными чипами DRAM. HBM3E — это улучшенная версия памяти HBM3 пятого поколения, которая пришла на смену предыдущим поколениям: HBM, HBM2, HBM2E и HBM3.

SK hynix подчёркивает, что успешная разработка HBM3E стала возможной благодаря опыту компании, полученному в качестве единственного массового производителя HBM3. Планируется, что массовое производство HBM3E начнётся в первой половине следующего года, что укрепит лидирующие позиции компании на рынке памяти для ИИ.

По данным SK hynix, новинка не только соответствует самым высоким отраслевым стандартам по скорости, ключевому параметру памяти для задач ИИ, но и в других категориях, включая ёмкость, теплоотвод и удобство использования. HBM3E способна обрабатывать данные со скоростью до 1,15 Тбайт/с, что эквивалентно передаче за секунду более 230 полнометражных фильмов в разрешении Full HD размером 5 Гбайт каждый.

Кроме того, HBM3E имеет улучшенный на 10 % теплоотвод благодаря применению передовой технологии Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF2). Новая память также обеспечивает обратную совместимость, что позволит использовать её в уже существующих ускорителях, которые создавались под HBM3.

«Мы давно сотрудничаем с SK hynix в области памяти с высокой пропускной способностью для передовых ускоренных вычислительных решений. Мы с нетерпением ждём продолжения нашего сотрудничества с HBM3E для создания следующего поколения вычислений с ИИ», — сказал Иэн Бак (Ian Buck), вице-президент по гипермасштабным и высокопроизводительным вычислениям в NVIDIA.

Сунгсу Рю (Sungsoo Ryu), руководитель отдела планирования продуктов DRAM в SK hynix, подчеркнул, что компания укрепила свои рыночные позиции, дополнив линейку продуктов HBM, которая находится в центре внимания в свете развития технологии ИИ.

Как считают в SK hynix, полноценный искусственный интеллект появится в наших смартфонах только с дальнейшим ростом объёма памяти мобильных устройств. Новым шагом к этому стал выпуск компанией чипов памяти LPDDR5X объёмом 24 Гбайт — они уже устанавливаются в смартфоны OPPO. За одну секунду новая память способна пропустить через себя 13 фильмов в формате Full HD, и это далеко не предел, границы которого будут отодвигаться всё дальше и дальше.

Источник изображений: SK hynix

Формально массовый выпуск 24-Гбайт микросхем памяти LPDDR5X компания SK hynix начала в ноябре 2022 года. Сегодняшний анонс раскрывает производственные планы компании и позволяет сделать это на фоне вчерашнего анонса смартфона OnePlus Ace 2 Pro 2 с 24 Гбайт оперативной памяти. Кроме OPPO новую память получают другие производители смартфонов, имена которых SK hynix пока не раскрывает.

В основе техпроцесса производства 24-Гбайт микросхем LPDDR5X лежит хорошо известный по выпуску центральных процессоров техпроцесс High-K Metal Gate (HKMG), который представляет собой использование в составе транзисторов с металлическим затвором тонких изолирующих плёнок с высокой диэлектрической проницаемостью. Это позволяет снизить утечки тока и ведёт к снижению энергопотребления при одновременном увеличении скорости работы. По словам SK hynix, это первая в мире мобильная DRAM, выпущенная с применением техпроцесса HKMG.

Микросхемы LPDDR5X ёмкостью 24 Гбайт работают в диапазоне сверхнизкого напряжения от 1,01 до 1,12 В, установленного Объединенным инженерным комитетом по электронным устройствам (JEDEC), и способны обрабатывать 68 Гбайт/с, что эквивалентно передаче 13 фильмов в формате FHD (Full HD) за одну секунду.

«Благодаря своевременной поставке 24 Гбайт LPDDR5X от SK hynix мы смогли первыми выпустить смартфон, оснащенный самой ёмкой в отрасли памятью DRAM, — заявил Луис Ли, вице-президент по маркетингу компании OPPO. — Этот новый смартфон позволит покупателям насладиться оптимизированной многозадачностью, а также увеличенным временем автономной работы».

Подобные телефоны станут незаменимыми в эпоху карманных ИИ, уверены эксперты, что, в свою очередь, продолжит стимулировать развитие рынка памяти.

Отдельно компания SK hynix акцентирует внимание на скорости работы мобильной памяти. Представленная в начале этого года память LPDDR5T (с индексом «Турбо») на практике доказала свою состоятельностью. Так, отдельным пресс-релизом SK hynix сообщила, что новые микросхемы LPDDR5T в составе платформы MediaTek Dimensity показали рабочую скорость на уровне 9,6 Гбит/с на каждый контакт шины данных, что на 13 % быстрее допустимой стандартом JEDEC для памяти LPDDR5X скорости обмена данными.

Вместе с платформами MediaTek новая сверхбыстрая память найдёт применение в точках доступа и будет востребована в других приложениях, где важна скорость работы. Правда, для этого придётся ещё немного подождать, ведь память LPDDR5T и её характеристики пока не получили финальной поддержки комитета JEDEC в виде новых спецификаций или дополнений к стандарту LPDDR5. Ожидается, что это произойдёт до конца года и устройства с памятью LPDDR5T появятся в продаже в 2024 году.

Специалисты TrendForce поделились собственными представлениями о тенденциях развития рынка памяти типа HBM как в этом, так и в следующем году. В этом году будет наблюдаться дефицит микросхем памяти данного типа, но в следующем объёмы поставок смогут вырасти на 105 % за счёт расширения производственных мощностей. При этом два южнокорейских производителя смогут увеличить свою долю рынка в ущерб Micron Technology.

Источник изображения: SK hynix

Сейчас производители памяти типа HBM наращивают объёмы выпуска соответствующих микросхем, но линии по их упаковке в вертикальные стеки требуют от 9 до 12 месяцев на монтаж и настройку, поэтому существенного увеличения объёмов поставок готовой продукции в этой сфере не приходится ожидать ранее второго квартала следующего года.

Формально, на рынке присутствуют до трёх поколений памяти одновременно: HBM/HBM2, HBM2e и HBM3. Последняя считается четвёртым поколением, и на подходе уже пятое поколение микросхем, именуемое HBM3e. Шестым же станет HBM4, над разработкой которой уже трудятся корейские компании. Если в 2022 году на долю HBM3 приходились всего 8 % мирового рынка, а HBM2e занимала внушительные 70 %, то в текущем году спрос на HBM3 со стороны производителей ускорителей вычислений позволит поднять долю этого поколения памяти до 39 %. При этом доля HBM2e снизится до 50 %. Ну, а в следующем году доля HBM3 вырастет до 60 %, а HBM2e будет занимать не более 25 % рынка. В совокупности с ростом цен это приведёт к существенному увеличению выручки производителей данных типов памяти.

По итогам 2022 года компания SK hynix контролировала 50 % рынка HBM3, причём отчасти она могла благодарить за это компанию NVIDIA, которую снабжает данной памятью. Samsung Electronics довольствовалась 40 % рынка, а Micron — умеренными 10 %. Тем не менее, если в этом году SK hynix и Samsung будут стремиться к паритету на уровне 46–49 % рынка, то Micron придётся ужаться до 4–6 %. В следующем году доля последней может сократиться до 3–5 %, как считают аналитики TrendForce. Впрочем, эта американская компания сосредоточена на разработке памяти типа HBM3e, а потому может отыграться в будущем. Такую память, в частности, будут использовать представленные недавно NVIDIA ускорители вычислений GH200, поставки которых начнутся во втором квартале.

Как считают эксперты, цены на микросхемы HBM2 и HBM2e могут снизиться по итогам текущего года, поскольку они в меньшей степени востребованы рынком, чем HBM3. Высокий спрос на последний тип памяти в сочетании с высокими ценами будет способствовать росту выручки производителей HBM на 127 % до $8,9 млрд по итогам следующего года. В натуральном выражении объёмы поставок памяти вырастут на 105 %.

В мае этого года китайские регуляторы запретили использовать микросхемы памяти Micron Technology в объектах критически важной информационной инфраструктуры. Считалось, что данные ограничения пойдут на пользу как корейским поставщикам памяти, так и китайским, но по итогам нескольких месяцев работы китайской промышленности в условиях этих ограничений можно утверждать, что в плюсе оказались именно корейские производители.

Источник изображения: AFP

Дело в том, как поясняет South China Morning Post, что к объектам критически важной инфраструктуры преимущественно относятся серверные системы, которые требуют передовых чипов памяти, не выпускаемых в настоящее время местными производителями. По этой причине спрос в этой сфере сместился в сторону продукции южнокорейских поставщиков. В частности, китайская CXMT хоть и занимает 21 % рынка в сегменте микросхем DRAM, способна предлагать только чипы поколения DDR4. Соответственно, выбывшие поставки Micron, которая до введения санкций властями КНР занимала около 15 % местного рынка, замещаются преимущественно продукцией южнокорейских конкурентов в лице Samsung Electronics и SK hynix.

Китайская компания YMTC способна выпускать 232-слойную память типа 3D NAND, но на местном рынке она занимает не более 3 %, и санкции США против этого производителя неизбежно ограничат её возможности по выпуску самой продвинутой памяти. Правила экспортного контроля США в их действующей редакции допускают поставку в Китай только оборудования для производства микросхем памяти типа 3D NAND с количеством слоёв не более 128 штук.

Samsung завершила разработку микросхем памяти типа GDDR7, а в следующем году собирается удвоить объёмы производства памяти типа HBM. Компания SK hynix лидирует в последнем сегменте, контролируя примерно половину мирового рынка таких чипов памяти. Китайские производители память типа HBM вообще не предлагают, а именно она сейчас востребована системами искусственного интеллекта, построенными на специализированных ускорителях вычислений. Нет ничего удивительного в том, что в серверном сегменте китайские клиенты делают ставку на продукцию корейских поставщиков памяти.

По мнению аналитиков Counterpoint, если китайские власти продолжат настаивать на использовании отечественной памяти в объектах серверной инфраструктуры, то качественный состав серверов от этого неизбежно пострадает. Компаниям YMTC и CXMT будет трудно полагаться на китайских поставщиков оборудования для выпуска памяти в силу существенного отставания последних от западных конкурентов по уровню технологического развития.

Южнокорейская компания SK hynix на этой неделе отчиталась о результатах второго квартала, которые превзошли ожидания аналитиков. Выручка производителя памяти хоть и сократилась почти в два раза относительно аналогичного периода прошлого года до $5,7 млрд, оказалась выше прогнозируемой. Во втором полугодии SK hynix рассчитывает на некоторое восстановление спроса в отдельных сегментах рынка памяти.

Источник изображения: SK hynix

Операционные убытки компании во втором квартале достигли $2,2 млрд, что было несколько хуже ожиданий рынка. Год назад квартал завершился для SK hynix операционной прибылью в размере $3,3 млрд. По мнению некоторых отраслевых аналитиков, для рынка памяти в целом и SK hynix в отдельности худшее уже позади. Компания отметила резкий рост спроса на память для серверных систем, работающих с ИИ, во втором квартале, а также наблюдала рост цен в этом сегменте в последовательном сравнении.

Капитальные затраты в текущем году SK hynix сократит почти в два раза по сравнению с предыдущим, в текущем полугодии компания также продолжит уменьшать объёмы выпуска памяти типа NAND. Данные меры принесут свои плоды в этом полугодии, как считают представители компании. Спрос на память в серверном сегменте в целом будет слабым, в мобильном сегменте возможно некоторое оживление спроса в связи с сезонным фактором в виде предстоящего выхода новых моделей смартфонов крупных игроков рынка вроде Apple. В текущем квартале объёмы поставок флеш-памяти типа NAND останутся на существующем уровне за счёт складских запасов, а вот её производство SK hynix продолжит сокращать.

По данным Bloomberg Intelligence, во втором квартале спрос на производительную оперативную память серверного назначения марки SK hynix последовательно вырос более чем в два раза, что говорит о способности компании выиграть от ажиотажа вокруг систем искусственного интеллекта. Компания пообещала увеличивать производственные мощности по выпуску микросхем DDR5 высокой ёмкости и памяти типа HBM3. Так называемая графическая память, к которой относится и HBM3, во втором квартале формировала до 20 % выручки в сегменте DRAM. Такие микросхемы востребованы при производстве ускорителей вычислений.

Во втором полугодии, по мнению руководства SK hynix, начнёт восстанавливаться спрос на память со стороны корпоративных клиентов и в игровом сегменте. По крайней мере, в последовательном сравнении можно будет говорить о положительной динамике продаж.