Растущий спрос на серверные системы для искусственного интеллекта привёл к росту поставок памяти HBM. В сочетании с волной наращивания запасов DDR5 на стороне клиента, второй квартал 2023 года показал рост поставок всех трёх основных крупнейших производителей оперативной памяти DRAM. Выручка индустрии за второй квартал достигла $11,43 млрд — это рост на 20,4 % по сравнению с первым кварталом и прекращение спада, продолжавшегося до этого три квартала подряд.

Источник изображения: unspalsh.com

Наибольший рост квартальных поставок, более 35 %, продемонстрировала SK hynix. Поставки DDR5 и HBM с более высокой средней ценой продажи (ASP — Average Selling Price), значительно увеличились. В результате ASP выросла на 7-9 %, что привело к увеличению выручки за второй квартал 2023 года почти на 50 %. С доходом в $3,44 млрд SK hynix заняла второе место в отрасли, лидируя по темпам роста в этом секторе.

Samsung, в отличие от SK hynix, показала падение ASP примерно на 7-9 %. Однако, благодаря наращиванию складских запасов клиентами и увеличению спроса на серверы искусственного интеллекта, объёмы поставок всё же немного увеличились, что привело к росту выручки за второй квартал на 8,6 % по сравнению с первым кварталом, достигнув $4,53 млрд и обеспечив компании лидирующую позицию по валовому доходу.

Micron, занявшая третье место, немного задержалась с разработкой HBM. Тем не менее, поставки DDR5 составляли значительную долю, сохраняя ASP относительно стабильным. Выручка компании во втором квартале составила около $2,95 млрд, показав рост на 15,7 % по сравнению с первым кварталом.

В целом, из-за продолжающегося снижения контрактных цен на различные продукты, поставщики продолжают сообщать об отрицательной рентабельности операционной прибыли. Во втором квартале 2023 года операционная рентабельность Samsung улучшилась с -24 % до -9 %. SK hynix продемонстрировала одновременный рост выручки и ASP, что повысило операционную рентабельность с -50 % до -2 %. Операционная рентабельность Micron также слегка улучшилась с -55,4 % до -36 %.

Поставки Nanya снижаются уже более четыре квартала подряд. Однако благодаря заказам на телевизоры во втором квартале 2023 года выручка компании выросла примерно на 8,2 %. Выручка Winbond во втором квартале выросла на 6,9 %, в первую очередь благодаря объявлению тендеров в Китае и введённым в строй дополнительным мощностям, что обеспечило большую гибкость ценообразования и привело к увеличению заказов.

PSMC в основном получает доход от потребительских продуктов DRAM собственного производства. Из-за низкого спроса и не самого современного техпроцесса, лишённого конкурентных ценовых преимуществ, выручка PSMC снизилась на 7,8 % по сравнению с первой четвертью года, сделав компанию единственным поставщиком, у которого наблюдался спад во втором квартале.

Источник изображения: Trendforce

Эксперты полагают, что доходы индустрии DRAM продолжат расти в третьем квартале 2023 года. Планомерное сокращение производства поставщиками препятствует дальнейшему снижению цен. Ожидается, что убытки из-за падения цен уменьшатся, а рентабельность наконец сместится от убытков в сторону прибыли.

SK hynix объявила о том, что разработала память HBM3E — высокоскоростную оперативную память (DRAM) следующего поколения для высокопроизводительных вычислений и в частности для сферы ИИ. Эта память, по утверждению компании, является самой производительной в мире и в настоящее время проходит проверки и тесты у клиентов SK hynix.

Источник изображений: news.skhynix.com

HBM (High Bandwidth Memory) — это высокоскоростная память, которая представляет собой стек из вертикально соединённых нескольких чипов DRAM, что обеспечиваем значительное увеличение скорости обработки данных по сравнению с обычными чипами DRAM. HBM3E — это улучшенная версия памяти HBM3 пятого поколения, которая пришла на смену предыдущим поколениям: HBM, HBM2, HBM2E и HBM3.

SK hynix подчёркивает, что успешная разработка HBM3E стала возможной благодаря опыту компании, полученному в качестве единственного массового производителя HBM3. Планируется, что массовое производство HBM3E начнётся в первой половине следующего года, что укрепит лидирующие позиции компании на рынке памяти для ИИ.

По данным SK hynix, новинка не только соответствует самым высоким отраслевым стандартам по скорости, ключевому параметру памяти для задач ИИ, но и в других категориях, включая ёмкость, теплоотвод и удобство использования. HBM3E способна обрабатывать данные со скоростью до 1,15 Тбайт/с, что эквивалентно передаче за секунду более 230 полнометражных фильмов в разрешении Full HD размером 5 Гбайт каждый.

Кроме того, HBM3E имеет улучшенный на 10 % теплоотвод благодаря применению передовой технологии Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF2). Новая память также обеспечивает обратную совместимость, что позволит использовать её в уже существующих ускорителях, которые создавались под HBM3.

«Мы давно сотрудничаем с SK hynix в области памяти с высокой пропускной способностью для передовых ускоренных вычислительных решений. Мы с нетерпением ждём продолжения нашего сотрудничества с HBM3E для создания следующего поколения вычислений с ИИ», — сказал Иэн Бак (Ian Buck), вице-президент по гипермасштабным и высокопроизводительным вычислениям в NVIDIA.

Сунгсу Рю (Sungsoo Ryu), руководитель отдела планирования продуктов DRAM в SK hynix, подчеркнул, что компания укрепила свои рыночные позиции, дополнив линейку продуктов HBM, которая находится в центре внимания в свете развития технологии ИИ.

На очередном годовом саммите по флеш-памяти, который традиционно проходит в августе, компания NEO Semiconductor, разработчик технологий для производства флеш-памяти 3D NAND и оперативной памяти 3D DRAM, представит фирменные технологии во всём объёме. Глава компании лично выступит перед элитой производителей флеш-памяти, надеясь убедить их в назревших революционных изменениях.

Источник изображений: NEO Semiconductor

Американская компания NEO Semiconductor представила фирменную архитектуру и технологию производства многослойной флеш-памяти в 2020 году и аналогичную архитектуру для выпуска многослойной оперативной памяти DRAM в мае этого года. Компания имеет все необходимые патенты и технологии для организации массового выпуска чипов флеш-памяти и DRAM по её лицензии. Но у неё до сих пор нет клиентов и активное участие в работе Flash Memory Summit 2023 должно стать прорывом. У компании на мероприятии будет отдельный стенд и запланированы выступления перед аудиторией.

«Я с нетерпением жду возможности представить на Flash Memory Summit 2023 наши новые революционные архитектуры, которые создадут беспрецедентную ценность для полупроводниковых компаний, производящих продукты памяти, облачных провайдеров и корпоративных компаний, внедряющих решения для хранения данных, — сказал Энди Хсу (Andy Hsu), основатель и генеральный директор NEO Semiconductor и выдающийся изобретатель технологий, имеющий более 120 американских патентов. — Для преодоления проблем масштабирования срочно требуется новая структура DRAM, использующая 3D-дизайн. 3D X-DRAM — это высокоскоростное, высокоплотное, недорогое решение с низким уровнем брака, которое позволит создать новое поколение приложений и услуг будущего».

Многослойной памятью 3D NAND сегодня никого не удивишь. Наоборот, найти сегодня твердотельный накопитель с планарной флеш-памятью — это настоящее испытание. Но производители оперативной памяти не спешат с переходом на 3D. Поэтому на «флеш-саммите» NEO Semiconductor будет бить в 3D DRAM, явно выходя за рамки мероприятия.

Компания пока не раскрывает подробностей архитектуры многослойной оперативной памяти, говоря лишь об отказе от конденсаторов в ячейках и о переходе на технологию плавающего заряда FBC (floating body cell). Вероятно саммит внесёт больше ясности в этот вопрос. Но с чем точно не поспоришь, что планарная DRAM почти исчерпала варианты для наращивания плотности на единицу площади кристалла. В то же время приложения ИИ требуют кратного увеличения объёмов оперативной памяти и если мы не хотим, чтобы АЭС росли как грибы после дождя (а по другому сегодня мощнейшие центры по обработке данных питать нечем), то плотность чипов DRAM необходимо быстро увеличивать, что также сопровождается снижением потребления на единицу хранения данных.

Чтобы совсем не скатиться в тему оперативной памяти на саммите, представители NEO Semiconductor расскажут о преимуществах своей «многоэтажной» архитектуры для таких перспективных заменителей флеш-конструкций, как 3D NOR, 3D Ferroelectric RAM (FFRAM), 3D Resistive RAM (RRAM), 3D Magnetoresistive RAM (MRAM) и 3D Phase Change Memory (PCM). В любом случае, будет интересно.

Южнокорейская компания SK hynix на этой неделе отчиталась о результатах второго квартала, которые превзошли ожидания аналитиков. Выручка производителя памяти хоть и сократилась почти в два раза относительно аналогичного периода прошлого года до $5,7 млрд, оказалась выше прогнозируемой. Во втором полугодии SK hynix рассчитывает на некоторое восстановление спроса в отдельных сегментах рынка памяти.

Источник изображения: SK hynix

Операционные убытки компании во втором квартале достигли $2,2 млрд, что было несколько хуже ожиданий рынка. Год назад квартал завершился для SK hynix операционной прибылью в размере $3,3 млрд. По мнению некоторых отраслевых аналитиков, для рынка памяти в целом и SK hynix в отдельности худшее уже позади. Компания отметила резкий рост спроса на память для серверных систем, работающих с ИИ, во втором квартале, а также наблюдала рост цен в этом сегменте в последовательном сравнении.

Капитальные затраты в текущем году SK hynix сократит почти в два раза по сравнению с предыдущим, в текущем полугодии компания также продолжит уменьшать объёмы выпуска памяти типа NAND. Данные меры принесут свои плоды в этом полугодии, как считают представители компании. Спрос на память в серверном сегменте в целом будет слабым, в мобильном сегменте возможно некоторое оживление спроса в связи с сезонным фактором в виде предстоящего выхода новых моделей смартфонов крупных игроков рынка вроде Apple. В текущем квартале объёмы поставок флеш-памяти типа NAND останутся на существующем уровне за счёт складских запасов, а вот её производство SK hynix продолжит сокращать.

По данным Bloomberg Intelligence, во втором квартале спрос на производительную оперативную память серверного назначения марки SK hynix последовательно вырос более чем в два раза, что говорит о способности компании выиграть от ажиотажа вокруг систем искусственного интеллекта. Компания пообещала увеличивать производственные мощности по выпуску микросхем DDR5 высокой ёмкости и памяти типа HBM3. Так называемая графическая память, к которой относится и HBM3, во втором квартале формировала до 20 % выручки в сегменте DRAM. Такие микросхемы востребованы при производстве ускорителей вычислений.

Во втором полугодии, по мнению руководства SK hynix, начнёт восстанавливаться спрос на память со стороны корпоративных клиентов и в игровом сегменте. По крайней мере, в последовательном сравнении можно будет говорить о положительной динамике продаж.

Выход на рынок первой гарнитуры дополненной реальности Apple, который намечен на начало следующего года, потребовал инновационного подхода к разработке некоторых её комплектующих. Устройство Vision Pro получит не только уникальные дисплеи, но и оптимизированные микросхемы оперативной памяти, позволяющие с минимальной задержкой обрабатывать информацию, поступающую с датчиков. Поставщиком ОЗУ для Apple Vision Pro станет южнокорейская компания SK hynix.

Источник изображения: Apple

Об этом поведало издание The Korea Herald со ссылкой на собственные осведомлённые источники. Apple данную информацию комментировать предсказуемо отказалась, как и SK hynix. По словам первоисточника, SK hynix специально для гарнитуры Apple Vision Pro разработала гигабитные микросхемы памяти типа DRAM, которые ради снижения задержек при передаче информации получили в восемь раз больше контактов ввода-вывода, чем обычные чипы такого класса.

Микросхема ОЗУ в составе Vision Pro будет работать в тесной связке со специализированным чипом R1, который компания Apple специально разработала для обработки данных, поступающих с 12 камер, пяти датчиков и шести микрофонов. Задержки при обработке информации не превышают 12 миллисекунд, а внутри Vision Pro процессор R1 и модуль памяти SK hynix конструктивно будут объединены общим корпусом. Это позволит дополнительно снизить задержки в обработке сигналов датчиков.

Сотрудничество SK hynix с Apple подчёркивает взятый корейским производителем памяти курс на расширение ассортимента специализированных микросхем памяти. Не так давно эта компания представила первую в мире микросхему HBM третьего поколения с 12-ярусной компоновкой. Подобные чипы востребованы в сегменте ускорения вычислений, которые на волне бума систем искусственного интеллекта пользуются огромным спросом.

Отраслевые аналитики уже сформировали собственные прогнозы относительно динамики финансовых показателей Samsung Electronics в минувшем квартале, итоги которого корейской компании только предстоит подвести. По прогнозам экспертов, квартальная прибыль Samsung обвалится на 96 % до минимального значения с четвёртого квартала 2008 года.

Источник изображения: Samsung Electronics

В тот период компания столкнулась с операционными убытками в размере $568 млн. Второй квартал 2022 года Samsung завершила с операционной прибылью в размере $10,8 млрд. Как ожидается, в текущем году второй квартал принёс компании не более $427 млн операционной прибыли. Во многом такой результат может быть обусловлен увеличением убытков от реализации микросхем памяти до $3 млрд.

По оценкам аналитиков TrendForce, в минувшем квартале цены на микросхемы оперативной памяти снизились на величину от 13 до 18 %, клиентам Samsung просто не требовалась новая память, поскольку они использовали имеющиеся складские запасы. Решение многих производителей ограничить объёмы выпуска микросхем памяти помогло замедлить снижение цен, своего дна они достигнут в третьем квартале текущего года, но о восстановлении рынка памяти, по мнению аналитиков, можно будет говорить не ранее следующего года.

Как ожидается, Samsung воспользуется кризисом для смещения приоритетов на производство компонентов для систем искусственного интеллекта, которые сейчас пользуются повышенным спросом. Речь идёт как о самостоятельном производстве микросхем памяти типа HBM, так и о контрактном производстве чипов для сторонних заказчиков. В сегменте мобильных устройств операционная прибыль Samsung, по мнению нескольких аналитиков, достигла $2,5 млрд. Дебют своих новых флагманских смартфонов с гибким дисплеем Samsung наметила на июль, желая опередить выход нового поколения Apple iPhone с хорошим запасом.

Падение цен на чипы памяти DRAM замедлится в третьем квартале этого года, говорится в свежем прогнозе аналитиков из TrendForce. Эксперты считают, что по итогам указанного отчётного периода цены на память снизятся лишь до 5 %. Для сравнения, во втором квартале текущего года цены на микросхемы памяти рухнули на 13–18 %. Эти цифры касаются всего рынка DRAM, включая серверный, мобильный и графический сегменты, а также сегмент оперативной памяти для компьютеров.

Источник изображения: TechSpot

В TrendForce считают, что одной из причин замедляющегося падения цен на чипы памяти DRAM является тот факт, что три крупнейших мировых производителя этих микросхем сократили объёмы выпуска. Однако такое решение оказывает лишь временное воздействие на рыночные цены, поскольку искусственное занижение объёмов производства не является надёжной и долгосрочной стратегией ведения бизнеса на столь конкурентном рынке. В этом отношении для стимулирования спроса было бы предпочтительнее, чтобы производители памяти делали бы наборы ОЗУ большего объёма более доступными для потребителей.

Другой причиной замедления падения цен на чипы памяти DRAM является их большой запас на складах у производителей. Однако хранение избыточных запасов также не является надёжной долгосрочной стратегией для регулирования цен на рынке. Производителям в любом случае придётся и дальше снижать цены для высвобождения накопившихся запасов, попутно надеясь, например, на рост спроса на новые модули ОЗУ для новых платформ. На фоне данных наблюдений аналитики TrendForce не ожидают восстановления цен на рынке микросхем памяти DRAM «до 2024 года».

Источник изображения: TrendForce

В сегменте клиентской памяти DRAM, которая используется в ПК, эксперты отмечают по-прежнему высокий уровень излишков запасов DDR4. На фоне этого по итогу третьего квартала текущего года аналитики прогнозируют дальнейшее падение цены на чипы в пределах 3–8 %. Микросхемы DDR5 будут дешеветь менее заметно. Падение составит до 5 %, считают специалисты. В данном случае спрос на чипы памяти нового поколения стимулируется растущим спросом на новые и более скоростные модули ОЗУ нового стандарта, которые поддерживаются последними платформами Intel и AMD.

Значительного падения цен на чипы также не ожидается и в сегменте видеопамяти. Здесь высокий спрос на 16-гигабитные микросхемы GDDR6 стимулируется недавним пополнением семейства видеокарт GeForce RTX 40-й серии. Кроме того, приближается пиковый сезон, когда производители видеокарт повышают объёмы использования микросхем для производства ускорителей. Исходя из этого цены в данном сегменте рынка могут быстрее достичь нижнего предела, а затем смениться ростом по сравнению с системной памятью ПК.

Торговая война между США и Китаем может ударить по южнокорейским производителям микросхем, поскольку значительная часть их производства находится в Поднебесной. Однако эти последствия не будут долговременными, считают аналитики Fitch Ratings.

Источник изображения: Laura Ockel / Pixabay

Как поясняют эксперты, США ищут возможности ограничить Китаю доступ к оборудованию для производства передовых полупроводниковых микросхем. В результате под ударом могут оказаться китайские фабрики южнокорейских компаний Samsung Electronics и SK hynix. У первой в Китае расположены 40 % от общего объёма доступных мощностей для выпуска чипов флеш-памяти NAND. А у SK hynix в Китае находятся около 40—50 % процентов мощностей для производства чипов DRAM и 20 % мощностей для выпуска флеш-памяти NAND.

«Мы не думаем, что это приведёт к долговременным перебоям в поставках, так как обе компании, вероятнее всего, выберут Южную Корею основной площадкой для своих производств и инвестиций», — говорится в отчёте Fitch Ratings, который цитирует издание CNBC.

В октябре прошлого года правительство США приняло законы, запрещающие поставки в Китай оборудования для производства передовых микросхем. Американские власти опасаются, что Китай будет использовать эти технологии для повышения своего военного потенциала. Поддержать инициативу запрета согласились Нидерланды и Япония.

Компании Samsung Electronics и SK hynix являются двумя крупнейшими в мире производителями чипов памяти. Третье место принадлежит американской компания Micron. Заводы компаний, расположенные в Китае, производят микросхемы согласно зрелым и передовым технологическим процессам. И на эти предприятия ограничения, введённые США, не распространяются. Чипы памяти производятся на них как для рынка Китая, так и на экспорт. По данным Korea Times, оба южнокорейских гиганта получили разрешение до октября этого года поставлять новое оборудование, в составе которого используются американские технологии, на свои китайские фабрики.

В мае Китай запретил использование продуктов Micron в критически важной информационной инфраструктуре. По мнению Fitch, Samsung и SK hynix «в результате этого на самом деле могут получить выгоду от более высоких цен на чипы памяти в Китае. Однако вероятнее всего, последствия будут менее значительными, и Micron просто переориентирует поставки производящихся в Китае чипов за пределы Поднебесной, что в свою очередь может привести к снижению цен чипов памяти на мировом рынке».

Как пишет CNBC, власти США призвали Южную Корею не позволить другим производителям чипов памяти занять место Micron в Китае. Согласно финансовому отчёту Micron за 2022 год, около 10 % от общей выручки компании пришлись на Китай. Аналитики Fitch считают, что два южнокорейских производителя чипов как минимум частично заполнят лакуны, оставленные Micron на китайском рынке.

«Поскольку в настоящее время рынок перенасыщен предложением, будет сложно отследить, какая часть от утраченного объёма микросхем Micron будет восполнена за счёт корейских производителей», — указывают эксперты.

В то же время они считают, что риски в перспективе могут возрасти, если США и Китай продолжат накладывать друг на друга более серьёзные ограничения. Это в конечном итоге может повлиять на стоимость и доступность полупроводниковых компонентов в цепочках поставок.

Компания Samsung Electronics сегодня объявила о начале серийного производства 16-гигабитных чипов оперативной памяти DDR5 DRAM на базе новейшего технологического процесса 12-нм класса. Применение данной технологии позволяет снизить энергопотребление чипов, а также получать больше микросхем с одной пластины.

Источник изображений: Samsung Newsroom

«Используя дифференцированный технологический процесс, ведущая в отрасли память DDR5 DRAM класса 12 нм от Samsung обеспечивает выдающуюся производительность и энергоэффективность. Наша последняя версия DRAM отражает наше постоянное стремление лидировать на рынке DRAM не только с помощью высокопроизводительных и высокоёмких продуктов, которые удовлетворяют потребности вычислительного рынка в крупномасштабной обработке данных, но и путём коммерциализации решений следующего поколения, поддерживающих более высокую производительность» — сказал Джуён Ли (Jooyoung Lee) исполнительный вице-президент по продуктам и технологиям DRAM в Samsung Electronics.

По сравнению с предыдущим поколением, новая память DDR5 DRAM класса 12 нм от Samsung снижает энергопотребление на 23 % и повышает выход микросхем с пластины на 20 %. в Samsung отмечают, что высокая энергоэффективность делает техпроцесс идеальным решением для глобальных ИТ-компаний, которые хотят снизить энергопотребление и выбросы углекислого газа в своих серверах и центрах обработки данных.

Разработка компанией Samsung техпроцесса класса 12 нм для выпуска чипов оперативной памяти стала возможной благодаря использованию нового материала (диэлектрика) со статической диэлектрической проницаемостью большей, чем у диоксида кремния (High-k), который помогает увеличить электрическую ёмкость ячейки. Большая ёмкость увеличивает разность электрических потенциалов в сигналах данных, что облегчает их точное различение.

Семейства 12-нанометровой памяти DDR5 DRAM предложит скорость до 7,2 Гбит/с (DDR5-7200). Samsung отметила, что данная оперативная память способна обработать два 30-гигабайтных UHD-фильма примерно за секунду.

Samsung завершила оценку совместимости 16-гигабитной DDR5 DRAM с платформами AMD в декабре прошлого года. Планируется, что новая линейка памяти будет использоваться в центрах обработки данных, для вычислений в области искусственного интеллекта и ещё широкого ряда задач.