В нынешнюю пятницу, как сообщают южнокорейские источники со ссылкой на официальных представителей Samsung Electronics, компания торжественно откроет строительство нового полупроводникового завода. Цеха новой фабрики будут возведены рядом с действующим предприятием Line 17 вблизи города Хвасон (Hwasung). Первой и основной продукцией нового завода станут 7-нм чипы, что произойдёт ближе к концу 2019 года. Похоже, Samsung перенимает манеру у компании TSMC, которая взяла моду строить новый завод для каждого нового техпроцесса.

Мощности нового предприятия отдадут для нужд контрактного производства Samsung Foundry. Ожидается, что на предприятии будут размещены до 10 EUV-сканеров компании ASML, стоимость каждого из которых превышает $100 млн. Сейчас для нужд Samsung Foundry на заводе Line 17 работает одна EUV-установка. С вводом в строй новых линий в 2019 году использование EUV-проекции примет совсем другой размах.

Вкратце напомним, Samsung намерена первой начать частичное использование сканеров EUV для выпуска массовых чипов. Это произойдёт применительно к первому поколению 7-нм техпроцесса компании уже во второй половине текущего года. В 2019 году компания начнёт выпускать чипы с использованием второго поколения 7-нм техпроцесса с более глубокой интеграцией сканеров EUV в производство. Компания TSMC, например, начнёт использовать EUV проекцию только применительно ко второму поколению фирменного 7-нм техпроцесса, и это будет лишь в следующем году.

Первый коммерческий сканер ASML для EUV-литографии (NXE:3300B)

На рынке контрактного производства чипов Samsung отстаёт от TSMC, GlobalFoundries и UMC, занимая четвёртое место, за которое соперничает с китайской компанией SMIC. Раннее внедрение проекции с длиной волны 13,5 нм даёт компании шанс пройти по ухабам новых технологий и раньше других научиться выпускать полупроводники с лучшей рентабельностью и с лучшими характеристиками. Нечто подобное в новейшей истории компании произошло, когда они на полтора года раньше других приступили к выпуску памяти 3D NAND. Около полутора лет Samsung выпускала 3D NAND себе в убыток, зато потом её прибыль на этом поприще взлетела ракетой.

Завод 17 Line Samsung (http://english.etnews.com)

Увы, в контрактном производстве Samsung не так проворна. Тайваньская TSMC 26 января приступила к строительству 300-мм завода Fab 18 в южном научном парке Тайваня (Southern Taiwan Science Park, STSP). Это предприятие начнёт выпускать 5-нм полупроводники примерно в одно время с запуском 7-нм линий Samsung, первый камень в фундамент которых заложен в эту пятницу. Впрочем, это бег на длинную дистанцию. Победит не первый, а добежавший.

На конференции Solid-State Circuits Conference 2018 (ISSCC) представители компании Intel подтвердили продолжение действия закона Мура, показав рост плотности транзисторов по мере снижения масштаба техпроцесса. При переходе с 14-нм техпроцесса на 10-нм размеры ячейки памяти SRAM уменьшились: до 0,0312 мкм² для высокоплотной версии техпроцесс и 0,0367 мкм² для низковольтной версии (подробнее см. в сводной таблице ниже).

Для производства 10-нм решений компания Intel использует иммерсионную литографию и 193-нм сканеры. Компания Samsung, как уже известно, первой начнёт коммерческую эксплуатацию EUV-сканеров с длиной волны 13,5 нм, что произойдёт во второй половине текущего года. После доклада Intel на ISSCC 2018 представитель Samsung рассказал об опытном производстве полностью рабочих 7-нм 256-Мбит  массивов SRAM с использованием EUV-сканеров. Размеры 6-транзисторрной ячейки SRAM в версии Samsung оказались равны 0,026 мкм².

EUV-сканер компании ASML

По словам представителя Intel, компания Samsung по технологичности производства полупроводников опередила её «в пределах каких-то 15 %». Однако аналитики заметили, что Intel впервые публично призналась в том, что по совершенству производства она идёт за кем-то следом. Это сам по себе знаковый факт.

Также в Samsung сообщили, что смогли на 75 % снизить сопротивление разрядной шины, что обычно является вызовом для проектировщиков. Ещё одним положительным моментом стало снижение на 20 % нестабильности при установке минимальных рабочих напряжений. Наконец, использование EUV-проекции дало больше простора проектировщикам для маневрирования количеством сквозных металлизированных соединений (скорее всего, речь об увеличении числа сквозных соединений, что упрощает горизонтальную разводку). Всего для производства 256-Мбит массива SRAM компания использовала EUV-проекцию для 3–4 рабочих слоёв.

Опытный массив SRAM Samsung ёмкостью 256 Мбит, техпроцесс 7 нм с использованием EUV-литографии

В связи с успехами Samsung по внедрению EUV-литографии нелишне вспомнить о компании TSMC. Тайваньский контрактник на конференции рассказал о 7-нм трансляторе для кеш-памяти L1, рабочая частота которого составляла 4,4 ГГц. Для сравнения, частоты трансляторов кеш-памяти L1, выполненные с использованием 16-нм техпроцесса, доходят до 3 ГГц. Подобный рост производительности при переходе на 7-нм техпроцесс несомненно понравится как разработчикам SoC для смартфонов, так и проектировщикам CPU и ускорителей вычислений.

От падения смартфона никто не застрахован. И если он упадёт экраном вниз, то, скорее всего, это закончится трещиной в дисплее, ремонт которого обойдётся владельцу устройства в немалую сумму.

Производители используют для защиты экранов мобильных устройств от повреждений при ударах и падениях химически усиленное стекло Gorilla Glass, небьющиеся покрытия, а иногда и сапфировое стекло.

Ресурс Cnet сообщил о разработке компанией Akhan Semiconductor нового вида сверхпрочного покрытия — «алмазного стекла», которое можно применять для защиты экрана в сочетании с другими видами покрытия, как, например, Gorilla Glass, в качестве верхнего слоя.

В «алмазном стекле» Mirage Diamond Glas используется нанокристаллическая структура с кристаллами, распределёнными случайным образом, а не выстроенными вдоль кристаллографических плоскостей, что препятствует появлению в нём глубоких трещин и повреждению находящегося под ним материала.

Изготовленное из алмазов, выращенных в лаборатории, стекло Miraj Diamond Glass обещает быть гораздо более прочным, чем другие материалы, используемые для покрытия хрупкого электронного дисплея телефона. Первые сообщения об «алмазном стекле» Mirage Diamond Glass появились в феврале прошлого года. Тогда генеральный директор Akhan Semiconductor Адам Хан (Adam Khan) пообещал, что устройства с алмазным покрытием экрана появятся на рынке к концу 2017 года, однако этого не произошло.

Теперь Адам Хан говорит, что многообещающая новая технология была проверена с партнёрами, раскрыть которых компания пока не готова. Партнёры Akhan Semiconductor провели стресс-тестирование «алмазного стекла» на прочность, а также убедились, что алмазное покрытие передаёт электрические сигналы и не создаёт помех для управления телефоном с помощью касаний сенсорного экрана.

По словам Хана, сейчас ведётся работа над минимизацией отражательной способности «алмазного стекла». На экране с более высоким коэффициентом отражения труднее читать текст из-за возникновения бликов. Для устранения бликов приходится увеличивать яркость, из-за чего быстрее разряжается аккумулятор телефона.

Хан заявил, что первые гаджеты с покрытием Mirage Diamond Glass появятся в 2019 году. Скорее всего, это будет флагманское устройство, так как процесс изготовления и нанесения на дисплей «алмазного стекла» стоит недёшево.

Адам Хан также сообщил, что его компания сотрудничает только с одним вендором в каждой категории устройств. В случае успеха сотрудничества с производителем смартфонов, «алмазное стекло» может появиться в фитнес-трекерах и других устройствах.

Японский национальный институт AIST (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology) совместно с рядом ведущих учебных и исследовательских подразделений, включая небезызвестную компанию Nippon Telegraph and Telephone Corporation, разработал первую в мире технологию и схемотехнику для управления цифровой модуляцией с помощью манипуляции единичными электронами. Это открывает путь к электронике с предельно малыми токами, которые только возможны, ведь ток — это поток электронов и что может быть меньше, чем перенос заряда единичным электроном?

Электронная полупроводниковая схема для оперирования одним электроном и принцип использования цифрового сигнала для дальнейшей модуляции (AIST)

Разработки одноэлектронных приборов (транзисторов) ведутся достаточно давно и не только японцами. Например, десять лет назад наш сайт рассказывал об одноэлектронных транзисторах из графена. Как и другие разработчики, специалисты института AIST использовали принцип кулоновской блокады, когда в одном ограниченном пространстве не может находиться больше допустимого числа электронов — сила отталкивания не даёт им приблизиться ближе допустимого. Созданы прототипы электронных приборов с дозированным испусканием электронов в одном направлении — это источники постоянного тока. Учёные AIST преуспели в том, что первыми сумели создать одноэлектронные приборы для генерации переменного тока в достаточно широком частотном диапазоне: от нуля герц до мегагерц. И это, подчеркнём, предельно малые из возможных токов на уровне нескольких фемтоампер (10⁻¹⁵ А).

Два вида модуляции, воспроизведённые с помощью одноэлектронного сигнала (AIST)

Для создания переменного тока минимального уровня была создана электронная схема, управляющая единичным электроном как для создания постоянного тока, только в схему были добавлены приборы для управления периодом испускания электронов. По сути, единичные электроны использовались для цифровой модуляции волны заданной формы. Регулируя интервалы времени между испусканием электронов с помощью обычного цифрового сигнала, который подавался на контакты одноэлектронной «пушки», исследователи смогли сформировать на выходе как синусоиду, так и прямоугольную волну. Это обычная цифровая модуляция, только амплитуда волны измерялась значениями токов на уровне энергетических состояний одного электрона.

Полученная на практике синусоида и прямоугольная волна частотой 80 кГц с амплитудой 5 пикоампер (AIST)

Разработанная в институте AIST технология жизненно необходима для дальнейшего развития электроники. Это ключ к пониманию процессов в цепях наноуровня, ведь с такими инструментами можно с высочайшей точностью измерить токи и напряжения, а также на практике изучить физику процессов, проходящих где-то там внизу, где полно места, как говорил великий физик Ричард Фейнман.

По сравнению с другими источниками автономного питания литиево-ионные аккумуляторы выпускаются в относительно небольших объёмах, но рост парка электромобилей качнёт ситуацию в другую сторону. Пройдёт пять или десять лет и объём отработанных литиево-ионных аккумуляторов превысит несколько миллионов тонн в год. Это не только рост потребления редких ресурсов в виде лития, кобальта и других материалов, которые не бесконечны, это также загрязнение земли и вод от отработанных батарей. Не пора ли об этом подумать?

Восстановленный материал для катода литиево-ионного аккумулятора (University of California San Diego)

Сегодня утилизируется примерно 5 % отработавших свой ресурс литиево-ионных аккумуляторов. Это очень маленькая цифра на фоне ожидаемого спроса на данный вид батарей. Перед учёными стоит задача создать техпроцесс по доступной утилизации аккумуляторов или, в идеальном случае, по повторному использованию материалов в новой продукции. Такой техпроцесс разработан в лаборатории Калифорнийского университета в Сан-Диего (University of California San Diego).

Профессор Женг Чен (Zheng Chen) разработал технологию восстановления материала катода отработанной литиево-ионной батареи. Техпроцесс с небольшими изменениями одинаково подходит для восстановления литиево-кобальтового оксида и соединения NMC (никеля, марганца и кобальта). В первом случае речь идёт о катодах из аккумуляторов для электроники, а во втором — о катодах из аккумуляторов для электромобилей (преимущественно).

Лабораторные опыты подтвердили полное восстановление катода (University of California San Diego)

Отработанный катод, лишившийся большей части ионов лития и с нарушенной кристаллической решёткой соединения, помещается в щелочной раствор с солями лития. Затем происходит быстрый и кратковременный нагрев смеси до 800 градусов по Цельсию, после чего раствор медленно остывает. Если из прошедшего такую обработку материала снова создать катод для литиево-ионного аккумулятора, то батарея будет вести себя как будто она сделана из совершенно новых и только что добытых материалов. Тесты в лаборатории показали, что аккумулятор с катодом из восстановленного материала ни в чём не уступает аккумулятору с катодом, изготовленным из свежего сырья.

Новейшие автомобильные литиево-ионные аккумуляторы Samsung

Разработка учёных убивает нескольких зайцев. Экономятся земные ресурсы, отходы не будут засорять окружающую среду, а аккумуляторы из «вторсырья» могут стать дешевле. Предложенный профессором Женг Ченом техпроцесс вдвое экономичнее задействованных сегодня при переработке катодов. Так, на восстановление первичных свойств материала уходит 5,9 мегаджоулей, что эквивалентно трём четвёртым бокала бензина. Для внедрения техпроцесса на производство необходимо создать автоматизированную систему извлечения катодов из аккумуляторов вне зависимости от формфактора батарей и адаптировать лабораторные операции до промышленного уровня. Планируется, что переработкой будут заниматься предприятия, расположенные в Азии.

«После ряда слияний и приобретений глобальная индустрия по производству памяти развилась в олигополистический рынок, который международные гиганты собираются контролировать путём намеренного создания технологической блокады и чинят препятствия развитию китайских производителей памяти. Это серьёзно ослабляет принципы рыночной экономики и реализацию национальной стратегии Китая».

Приведенный выше абзац — это дословный перевод из свежего пресс-релиза китайской компании Fujian Jinhua Integrated Circuit Co., Ltd. (JHICC). По сути — это объявление войны лидерам рынка памяти, но, прежде всего, это вызов в ответ на угрозы со стороны американской компании Micron. В пресс-релизе JHICC компания Micron обвиняется в «серьёзном» нарушении ряда патентов китайского производителя. Исковое заявление против Micron подано в Народный суд промежуточной инстанции города Фучжоу. В этот же суд иск против Micron на прошлой неделе подала тайваньская компания United Microelectronics Corporation (UMC). Собственно, обе компании выступили синхронно даже в формулировках требований.

Китайская компания JHICC одна из немногих, кто собирается создать основу национального производства памяти в Китае

Как и компания UMC, JHICC требует от Micron не только остановить производство, использование и продажу продуктов, нарушающих её патенты, но также просит обязать американского производителя уничтожить запасы продукции, формы и производственное оборудование, задействованное для выпуска «контрафактной» памяти. Правда, в отличие от UMC компания JHICC обозначает продукцию Micron, которую необходимо уничтожить, — это 2,5-дюймовые SSD накопители линейки Crucial MX300 на памяти 3D NAND и планки памяти DDR4-2133 объёмом 8 Гбайт. Также Micron должна выплатить компании JHICC денежную компенсацию в размере 196 млн юаней ($30 млн).

Май 2017 года. Торжественное открытие строительства завода JHICC по производству памяти (JHICC )

Выступление компаний UMC и JHICC против Micron носят ответный характер. В прошлом году Micron вынудил заморозить проект по совместной разработке компаниями UMC и JHICC технологии производства памяти для выпуска на заводах в Китае. Также Micron инициировала судебные разбирательства против сотрудников UMC и против самой компании. Ответные иски UMC и JHICC следует расценивать как намерение китайцев в споре с Micron стоять до конца. И что-то нам подсказывает, что компании Micron придётся уступить.

Компания Intel не раз объясняла, что у неё самые совершенные техпроцессы, даже если в названии сравниваемых техпроцессов стоят одинаковые цифры. С этим тяжело спорить. После 90-нм технологических норм цифры в названии техпроцессов слабо отражают реальное положение дел. Что касается современной ситуации с техпроцессами, например, с использованием 10-нм техпроцесса Intel на одном квадратном мм можно создать 100,8 млн транзисторов, а с использованием 10-нм техпроцессов Samsung и TSMC — только по 50 млн. Формально масштабы технологических норм одинаковые, а результат отличается в два раза. Получается, что Samsung, GlobalFoundries и TSMC по технологичности производства смогут догнать 10-нм техпроцесс Intel только с началом производства «7-нм» продукции и, скорее всего, с внедрением второго поколения 7-нм техпроцесса.

Геометрические размеры рёбер транзисторов FinFET в 10-нм техпроцессе Intel

Высказанное выше предположение опирается на свежие данные аналитической компании IC Knowledge, специалисты которой подготовили доклад о темпах внедрения в производство сканеров диапазона EUV. Как следует из приведенной ниже иллюстрации, размеры рёбер FinFET, затворов, контактов под затворами, отверстий металлизации и проводников первого по отношению к кристаллу слоя металлизации будут примерно одинаковые как для первого поколения 10-нм техпроцесса Intel, так и для обоих поколений 7-нм техпроцессов Samsung, GlobalFoundries, TSMC. Разница появится только после перехода на технологические нормы 5 нм, которые производители начнут внедрять в конце 2019 года или в 2020 году. Вот тогда конкуренты получат шанс обогнать Intel в плане реализации наиболее технологически выполненных полупроводников.

Сводная таблица с размерами элементов в основных «слоях» современных процессоров для 7-нм, 10-нм и 5-нм техпроцессов

По таблицам поясним, что аббревиатуры в крайней правой колонке обозначают числа задействованных фотошаблонов и, соответственно, технологических циклов для изготовления тех или иных элементов на кристалле или в слоях с металлизацией. Сокращение SAQP говорит о четырёх фотошаблонах, SADP — о двух, LE3 — о трёх. В случае EUV число фотошаблонов может быть любым, но оно ощутимо меньше, чем в случае использования обычной оптической проекции для изготовления того же слоя чипа. Также следует помнить, что в микросхеме гораздо больше слоёв и элементов, чем приведено в таблице. Просто нам показали наиболее важные из них.

Надо сказать, что собранные IC Knowledge данные в первую очередь иллюстрируют темпы внедрения в производство литографической проекции с помощью EUV-сканеров с длиной волны 13,5 нм. Компания Samsung начнёт частичное использование EUV-сканеров для выпуска 7-нм продукции первого поколения, что произойдёт во второй половине текущего года, а компании TSMC и GlobalFoundries начнут частичное использование EUV-сканеров в 2019 году для выпуска продукции с использованием второго поколения 7-нм техпроцесса. Компания Intel, вероятно, в обозримом будущем тоже может попытаться использовать в производстве EUV-сканеры, но произойдёт это не раньше 2019 года с началом выпуска процессоров с помощью улучшенного 10-нм техпроцесса (10+).

Сканер EUV без защитного кожуха

С превосходством техпроцессов Intel мы разобрались, теперь посмотрим, как в ближайшие два года будут использоваться EUV-сканеры. Первой это начнёт делать компания Samsung. Она пропустит 7-нм производство с помощью одних лишь оптических DUV сканеров, на что сделали ставку компании TSMC и GlobalFoundries, и задействует EUV-сканеры для изготовления отверстий металлизации в контактной группе вне кристалла и для изготовления верхних слоёв металлизации. Аналогично поступят компании TSMC и GlobalFoundries, когда в следующем году начнут внедрять 7-нм техпроцесс второго поколения (все три техпроцесса скрыты в таблице под названием «7nm with EUV (Gen1)»). Использование EUV-проекции вместо оптической позволит уменьшить число фотошаблонов с 15 штук до 5. Это упростит подготовку проектов к выпуску, само производство, уменьшит вероятность возникновения дефектов, но не снизит себестоимость чипов, о чём аналитики сразу предупреждают.

Внедрение 7-нм техпроцесса второго поколения с использованием EUV (для TSMC и GlobalFoundries это будет уже третье поколение 7-нм техпроцесса) обещает перевести на EUV-проекцию изготовление первого металлического слоя уже в составе кристалла. Для 7-нм норм сканеры оптического диапазона для создания первого слоя металлизации требуют 23 фотошаблона, а EUV-сканеры обойдутся 9 фотошаблонами. Следует сказать, что для этого потребуется разработать защитные плёнки, спасающие кремниевые подложки от сверхжёсткого излучения. Требуется покрытие с прозрачностью 90 %, которое способно выдержать излучение от источника мощностью 250 Вт. Пока прозрачность защитных плёнок находится на уровне 83 %, и они выдерживают не более 7000 экспозиций от источника излучения мощностью 245 Вт (данные ASML). Отметим, для 7-нм техпроцесса первого поколения компании Samsung такие плёнки не нужны. Они понадобятся только при изготовлении элементов уменьшенного размера, что будет востребовано только во втором поколении 7-нм техпроцесса с EUV через год–полтора.

300-мм подложки, обработанные в производственном комплексе Fab 1 компании GlobalFoundries

Отдельно по 5-нм техпроцессу с использованием EUV-сканеров надо сказать, что не готовы не только защитные плёнки для пластин, но также нет фоторезиста с надлежащими свойствами. Созданный и опробованный для работы с EUV-излучением фоторезист показывает высокие характеристики в случае выпуска 7-нм продукции. Опытное производство 5-нм чипов ведёт к высокому уровню дефектов именно из-за недостатков фоторезиста. Новый фоторезист должен быть предложен в течение 18 месяцев, иначе компания TSMC провалит планы по переходу на 5-нм нормы производства.

Компания ASML сообщила о росте интереса производителей полупроводников к сканерам диапазона EUV. Массовые сканеры диапазона DUV с длиной волны 193 нм тоже пользовались повышенным спросом. За 2017 год компания поставила 161 сканер DUV, что на 21 % больше поставок 2016 года. Рост продаж сканеров в Китае также вырос примерно на 20 %. В 2018 году поставки в Китай продолжатся, заявки на которые компании ASML оставили пять крупных китайских производителей полупроводников.

Сканер EUV без защитного кожуха (проекционная система, обратите внимание, состоит из зеркал, а не линз)

Что касается новейших сканеров EUV с длиной волны 13,5 нм, то в 2017 году таких отгружено 10 штук, за что ASML получила 1,1 млрд евро (по 110 млн евро за каждый). Ещё два сканера собраны раньше срока и находятся в процессе доставки заказчику. В 2016 году отгружено всего 4 EUV сканера, так что 2017 год можно считать годом массового выпуска сканеров действительно нового поколения. Всего в очереди заказов на выпуск EUV-сканеров находятся 28 заявок. В 2019 году, как рассчитывают в ASML, в очереди будет не менее 30 заявок на 13,5-нм сканеры.

Следует сказать, что ASML постепенно совершенствует сканеры диапазона EUV. Скорость производства осталась на прежнем уровне и достигает 125 пластин в час, но время промышленной эксплуатации сканеров увеличилась с 80 % до 90 %. Иначе говоря, время простоя по отношению к времени в работе сократилось на 10 %. При обработки всех рабочих слоёв чипа сканеры EUV всё ещё малопродуктивны, но для изготовления нескольких критически важных слоёв уже готовы к использованию в промышленных масштабах. Этим вскоре и первой воспользуется компания Samsung, когда во второй половине текущего года начнёт выпуск первого поколения 7-нм продуктов, и компания TSMC, но сделает это в следующем году в процессе выпуска второго поколения 7-нм продукции.

Показатели ASML за 3 и 4 кварталы 2017 года (разбивка по технологиям, заказчикам, регионам поставок, числу сканеров с разбивкой по виду излучения)

В целом за календарный 2017 год ASML выручила 9,05 млрд евро (около $11,04 млрд) — это на 33 % больше, чем за 2016 год. Чистая прибыль компании за 2017 год достигла 2,12 млрд евро (порядка $2,59 млрд), что на 44 % больше по сравнению с 2016 годом. Производство сканеров всех типов, включая EUV, компания ASML готова нарастить по первому требованию заказчиков, так что в будущее она смотрит с оптимизмом (удерживая 80 % рынка 193-нм сканеров, в оптимизме недостатка не будет).

Новосибирское предприятие «НЭВЗ-Керамикс», занимающееся производством наноструктурированной керамики для оборонной, медицинской, электротехнической и энергетической отраслей, освоило выпуск надёжных эндопротезов тазобедренного сустава, срок службы которых достигает 20 лет.

Композитный состав керамики с добавлением нанопорошков делает её сверхпрочной. Нанокерамика устойчива к износу, коррозии и перепадам температуры, но при этом остаётся лёгкой. Протез обладает высокой степенью биосовместимости и минимальным износом, позволяет свободно двигаться и заниматься спортом.

В течение 2015–2017 годов в российских клиниках было проведено более 3500 операций по имплантированию этих протезов. Замещение зарубежных аналогов сделает эндопротезы с высоким сроком эксплуатации более доступными и снизит количество повторных операций. В ближайшие годы предприятие планирует занять до 20 % рынка этих протезов, уже сегодня мощности предприятия позволяют выпускать 10 тысяч изделий в год.

Проект стоимостью 226,8 млн рублей был реализован при участии Фонда развития промышленности, предоставившего предприятию ссуду под 5 % годовых сроком на 5 лет. Компания планирует запустить в 2018 году опытное производство коленного сустава с керамическими элементами. Её продукция также используется в стоматологии и челюстно-лицевой хирургии.

Портфельная компания «НЭВЗ-Керамикс» создана инвестиционной компанией «Роснано» и холдинговой «НЭВЗ-Союз» при поддержке администрации Новосибирской области. Общий бюджет проекта составляет 2,5 млрд рублей.