Новости Hardware

Samsung представила первый в мире модуль памяти DDR5-7200 объёмом 512 Гбайт

На мероприятии Hot Chips 33 компания Samsung сообщила о создании первого в мире модуля оперативной памяти DDR5-7200 объёмом 512 Гбайт. По словам южнокорейского производителя, новинка предлагает значительно более высокую производительность и скорость, а также вдвое больший объём по сравнению с памятью DDR4.

Источник изображений: Samsung

Источник изображений: Samsung

При производстве модуля DDR5-7200 объёмом 512 Гбайт Samsung использовала восьмислойный стэк кристаллов DDR5, объединённых с помощью технологии 3D TSV (through-silicon via), характеризующейся сквозными соединениями между слоями в произвольной точке.

Несмотря на восьмислойную компоновку чипов DDR5, высота готовой микросхемы в упаковке составляет всего 1,0 мм против 1,2 мм у DDR4. Используя новые технологии наложения слоёв компания смогла до 40 % сократить промежуток между кристаллами памяти, что и снизило высоту всего стэка.

В ходе презентации Samsung также сообщила, что применила при производстве модуля памяти DDR5-7200 технологию Same Bank Refresh. Её особенность в том, что пока одни банки памяти могут выполнять обновление, другие банки могут быть заняты какими-либо другими операциями. Кроме того, производитель отметил увеличение на 10 % производительности шины памяти и сообщил о поддержке дополнительных схем Decision Feedback Equalization (DFE), улучшающих качество сигналов — они снижают отражённые шумы в каналах памяти на высоких частотах, что довольно важно при использовании большого числа DIMM и каналов DDR5.

Новый модуль памяти DDR5-7200 работает при напряжении всего в 1,1 В, тогда как для DDR4 стандартное напряжение — 1,2 В. Повышение энергоэффективности памяти стало возможным за счёт использования на плате интегральных схем управления питанием (PMIC), стабилизатора напряжения, а также технологии затворов High-K Metal. Также отмечается, что память DDR5 поддерживает технологию коррекции ошибок On-Die Error Correction Code (ODECC).

Представленная Samsung память DDR5 будет предназначаться для дата-центров. Потребительские модули DDR5, скорее всего, будут обладать меньшим объёмом — до 64 Гбайт на планку. Компания Samsung планирует начать массовое производство модулей памяти DDR5-7200 объёмом 512 Гбайт к концу текущего года. Производитель считает, что массовый переход на новый стандарт ОЗУ случится не ранее 2023–2024 годов.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме
Прежде чем оставить комментарий, пожалуйста, ознакомьтесь с правилами комментирования. Оставляя комментарий, вы подтверждаете ваше согласие с данными правилами и осознаете возможную ответственность за их нарушение.
Все комментарии премодерируются.
Комментарии загружаются...
window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Google оптимизировала алгоритмы обработки изображений людей всех рас 6 мин.
Патч 11.21 отключил общий чат на российском сервере League of Legends, но некоторым регионам повезло больше 11 мин.
Число подписчиков Xbox Game Pass за год увеличилось более чем на треть, но Microsoft ожидала большего 57 мин.
Условно-бесплатная Century: Age of Ashes появится на консолях и мобильных устройствах 2 ч.
Xbox проведёт юбилейную трансляцию с ретроспективой последних 20 лет бренда 2 ч.
В резюме главы студии-разработчика S.T.A.L.K.E.R. 2 нашли упоминание неанонсированного проекта 2 ч.
Facebook планирует сменить название, чтобы соответствовать концепции «метавселенной» 3 ч.
Сервисы Microsoft названы крупнейшими хостингами для вредоносного ПО 3 ч.
Соавтор Halo Маркус Лето встанет у руля новой студии Electronic Arts по созданию игр от первого лица 3 ч.
Релиз кооперативного приключения We Were Here Forever отложили до 2022 года 3 ч.