Новости Hardware

Samsung первой приблизилась к выпуску 28-нм eMRAM на подложках FD-SOI

Все предыдущие годы главными шагами по развитию производства полупроводников оставалась смена масштаба технологических норм. Сегодня, когда уменьшить размер элемента на кристалле становится предельно трудно, популярность обретают обходные пути, в частности, переход на полупроводниковые пластины с изолирующим слоем из полностью обеднённого кремния или FD-SOI. Пластины FD-SOI в производстве уже активно использует компания STMicroelectronics и готовятся использовать компании GlobalFoundries и Samsung.

На прошлой неделе мы познакомились с планами GlobalFoundries, которая начнёт рисковое производство с техпроцессом 22FDX (22 нм) в конце 2018 года. Компания Samsung, как стало известно из свежего официального сообщения производителя, вскоре планирует приступить к массовому выпуску решений с использованием фирменного техпроцесса 28FDS (28 нм). Обратим ваше внимание, что техпроцессы GlobalFoundries и Samsung отличаются, хотя в случае обработки монолитного кремния GlobalFoundries лицензировала у Samsung техпроцессы с нормами 28 нм и 14 нм FinFET. Техпроцесс 22FDX компания GlobalFoundries лицензировала у STMicroelectronics.

Возвращаясь к анонсу Samsung, отметим, что производитель сообщил о создании первого в индустрии цифрового проекта встроенной памяти eMRAM применительно к техпроцессу 28FDS. Тем самым выпуск опытного блока eMRAM с нормами 28 нм на пластинах FD-SOI можно ожидать в конце весны или в начале лета следующего года. Массовое производство решений, очевидно, стартует ближе к концу 2018 года, когда GlobalFoundries только-только увидит первые опытные решения, выпускаемые с техпроцессом 22FDX.

Принцип храненния информации в ячейке памяти MRAM

Принцип хранения информации в ячейке памяти MRAM

Компания GlobalFoundries, напомним, в техпроцессе 22FDX тоже будет выпускать решения со встроенной памятью eMRAM. Магниторезистивная память с произвольным доступом (MRAM) работает со скоростью, близкой к скорости обычной оперативной памяти. Большая площадь ячейки магниторезистивной памяти не позволяет выпускать ёмкие чипы MRAM, что тормозит её массовое появление в компьютерных системах. Начало производства 28-нм и 22-нм кристаллов MRAM обещает появление чипов ёмкостью от 1 Гбит и выше. Этого уже достаточно, чтобы те же SSD получили нормальный и энергонезависимый буфер памяти вместо привычной памяти DDR. И GlobalFoundries, и Samsung делают всё возможное, чтобы это стало реальностью после 2018 года.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме
Прежде чем оставить комментарий, пожалуйста, ознакомьтесь с правилами комментирования. Оставляя комментарий, вы подтверждаете ваше согласие с данными правилами и осознаете возможную ответственность за их нарушение.
Все комментарии премодерируются.
Комментарии загружаются...
window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Национальные лаборатории в США подталкивают бизнес к созданию малых ядерных реакторов к 2025 году 2 ч.
По словам Илона Маска, в этом году интернет-сервис SpaceX Starlink станет «полностью мобильным» 2 ч.
В Китае начата государственная сертификация беспилотных аэротакси EHang EH216 3 ч.
Пик выработки электричества из возобновляемых источников в Европе в 2020 году пришёлся на февраль, а минимум — на сентябрь 4 ч.
Для борьбы с глобальным потеплением предложена краска беспрецедентной белизны — всё отразит в космос 6 ч.
«Союз МС-17» с экипажем из трёх человек благополучно возвращён на Землю 7 ч.
Следующий мировой экономический кризис обострит проблему перепроизводства полупроводниковых компонентов 7 ч.
Renesas и Samsung восстановят объёмы производства компонентов только к лету 8 ч.
Sony избавила PlayStation 5 от громкого вращения диска в оптическом приводе 14 ч.
SK Telecom выделит SK Hynix и другие активы в новую компанию, а сама сосредоточится на облаках и ИИ 15 ч.