Новости Hardware

Intel и GlobalFoundries готовят доклады о фирменных техпроцессах

Со 2 по 6 декабря пройдёт очередная конференция International Electron Devices Meeting (IEDM 2017). Традиционно лидеры отрасли по разработке и производству полупроводников расскажут о достижениях и прольют свет на важные аспекты будущих техпроцессов. Повестка основных выступлений уже опубликована, и мы можем понять, о чём пойдёт разговор.

Так, компания Intel посвятит основное время докладу о фирменном техпроцессе с нормами 10 нм. Уже известно, что размеры FinFET-транзисторов в техпроцессе Intel будут следующими: ширина рёбер (транзисторных каналов) равна 7 нм, расстояние между центрами рёбер составит 34 нм (pitch), а высота рёбер будет равна 46 нм (по другим данным — 53 нм). Для создания на кристалле элементов подобного размера компания использует четырёхкратную проекцию с самовыравниванием фотошаблонов. Также Intel расскажет о технологии производства высокоплотных и энергоэффективных ячеек SRAM площадью 0,0312 мкм2 и 0,0441 мкм2 (на примере опытного 204-Мбит массива SRAM).

 Размеры рёбер FinFET транзисторов в 10-нм техпроцессе Intel (Intel)

Размеры рёбер FinFET транзисторов в 10-нм техпроцессе Intel (Intel)

По словам Intel, 10-нм техпроцесс допускает создание 12 металлизированных межконтактных слоёв с поддержкой целого спектра пороговых напряжений. По сравнению с 14-нм техпроцессом компании техпроцесс с нормами 10 нм позволит увеличить канальные токи для n-каналов транзисторов на 71 %, а для p-каналов — на 35 %. Кроме этого в двух нижних слоях металлизации Intel будет использовать токопроводящие дорожки из кобальта. Это десятикратно улучшит положение дел с электромиграцией и в два раза уменьшит сопротивление межслойной металлизации. Иначе говоря, кобальт обеспечит стабильность характеристик чипов и снизит токовую нагрузку на межслойные соединения.

 Варианты актуальных и будущих транзисторных структур (ASML)

Варианты актуальных и будущих транзисторных структур (ASML)

Компания GlobalFoundries поделится достижениями в создании ячейки SRAM площадью 0,0269 мкм2, что стало возможно благодаря 7-нм техпроцессу с использованием транзисторов FinFET. По сравнению с 14-нм техпроцессом техпроцесс GlobalFoundries с нормами 7 нм обещает 2,8-кратное увеличение плотности размещения элементов на кристалле и либо более чем 40-процентный рост производительности, либо 55-процентное снижение потребления. Как и компания Intel, GlobalFoundries будет использовать четыре проекции для изготовления кристаллов и две проекции для изготовления межслойных соединений. Данный техпроцесс GlobalFoundries разрабатывала самостоятельно, хотя 14-нм техпроцесс лицензировала у Samsung.

 Каналы транзисторов превратятся в «перемычки» из нанопроводов и наностраниц (изображение IBM)

Каналы транзисторов превратятся в «перемычки» из нанопроводов и наностраниц (изображение IBM)

Кроме указанных компаний на конференции IEDM с интересными докладами выступят представители Imec (речь пойдёт о новых типах каналов транзисторов — полностью окружённых затворами, состоящими из нанопроводов и наностраниц), компания Macronix расскажет о фирменной памяти 3D NAND, компания SK Hynix обрадует докладом о памяти ReRAM, компания IBM и организация CEA-Leti раздельно расскажут о 3D-компоновке монолитной логики, исследователи из Швеции покажут, как можно извлекать биоматериал из пота на примере чипов на пластинах FD-SOI, команда из Houston Methodist Research Institute покажет как контролировать уровень лекарства в организме и извлекать гены с помощью чипов с микроканалами, а исследователи из Техасского Университета в Остине поделятся достижениями в производстве гибкой электроники из графена на обычной бумаге. Ждём подробностей.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме
window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Мобильная The Witcher: Monster Slayer в духе Pokemon GO закроется, не прожив и двух лет — разработчиков ждут увольнения 5 ч.
Токены и смарт-карты JaCarta совместимы с инфраструктурой виртуальных рабочих мест «Базис.WorkPlace» 5 ч.
Легендарный симулятор колонии дварфов Dwarf Fortress добрался до Steam — в том числе российского 6 ч.
CD Projekt RED опубликовала список модификаций, проверенных на совместимость с улучшенной версией The Witcher 3: Wild Hunt 7 ч.
Создатель iPod разработал аппаратный кошелёк для хранения криптовалюты 7 ч.
Rackspace на несколько дней лишила тысячи клиентов доступа к облачному сервису Microsoft Exchange 8 ч.
Инсайдер раскрыл название, место действия и сроки выхода сюжетного дополнения к Horizon Forbidden West 8 ч.
Павел Дуров подвёл итоги первого года с появления монетизации в Telegram — результаты «превзошли ожидания» 9 ч.
ИИ-бот ChatGPT научился притворяться Linux-машиной 9 ч.
Запертые колизеи из Elden Ring откроют свои двери уже завтра — анонсировано бесплатное обновление с PvP-сражениями 9 ч.
Новая статья: Обзор смартфона Xiaomi 12T Pro: прямо как раньше 4 ч.
Мощность двухмоторного Polestar 2 теперь можно поднять на 68 л.с. через платное обновления ПО — и никаких подписок 4 ч.
X-Com представила серию типовых Intel-серверов под собственным брендом 8 ч.
Представлен концепт внедорожника на водородных картриджах — их можно будет заказать с доставкой на дом 9 ч.
Gainward представила видеокарту GeForce RTX 4080 Phoenix GS с отборными GPU 10 ч.
Alienware намерена возродить огромные 18-дюймовые игровые ноутбуки — последний Alienware 18 весил больше 5 кг 11 ч.
Samsung и LG планируют новые многомиллиардные инвестиции во Вьетнам 12 ч.
Учёные повысили внимательность человека, просто посветив в голову лазером 12 ч.
Cooler Master представила Orb X — полузакрытую капсулу для геймеров и профессионалов 12 ч.
TSMC увеличит инвестиции в США до $40 млрд и будет выпускать там втрое больше чипов, чем планировала 13 ч.