Nanya представила 8-Гбит DDR3-чипы на основе технологии TSV 3D

Компания Nanya Technology показала прототип 8-Гбит DDR3-чипа в упаковке QDP (quad-die package), который включает четыре кристалла в одном корпусе. Новинка использует собственную технологию TSV (through silicon via) 3D, которая предусматривает многослойную структуру микросхемы.

В корпусе QDP есть четыре слоя, каждый из которых включает один кристалл DDR3-памяти ёмкостью 2 Гбит. Как отмечает производитель, массовый выпуск ёмких и компактных QDP DDR3-чипов, которые нацелены на мобильные устройства, запланирован на 2013-2014 гг.

В сотрудничестве с компанией Micron Technology Nanya также анонсировала разработку 30-нм 4-Гбит DDR4-чипов. Образцы маломощной памяти DDR4 RDIMM и LRDIMM будут проходить сертификацию в третьем квартале текущего года. Эти продукты нацелены на серверные системы High-End-класса, а их массовое производство намечено на 2013 год.

Во втором квартале Nanya зафиксировала доход на уровне $344 млн. При этом её чистые убытки составили $233 млн.

Материалы по теме:

• Модули памяти XPG Gaming Series v2.0 DDR3-2400G от ADATA;
• Patriot анонсировала линейку оперативной памяти Intel Extreme Masters Limited Edition;
• DDR3 SDRAM для Ivy Bridge: какая лучше?

Источник:

• Digitimes