Новости Hardware → нанотехнологии
Главная новость

Цифровые квантовые батареи – "квантовый прыжок" в хранении энергии

Исследователями из Университета Иллинойса (University of Illinois) предложена концепция так называемых цифровых квантовых батарей, которые должны обладать во много раз большей ёмкостью, чем сегодняшние аккумуляторы. Идея предполагает использование миллиардов конденсаторов наномасштабных размеров и основана на квантовых эффектах, проявляющихся на уровне атомов. Обычные простейшие конденсаторы состоят из пары проводящих пластин, или электродов, разделённых изолирующим слоем материала или воздуха. Прикладывая к ним напряжение, можно создать электрическое поле и позволить заряду накопиться на обкладке. Но возможности конденсатора не бесконечны – по достижении определённой величины заряда возникают такие эффекты, как "искры" между обкладками и утечки, а при некотором уровне напряжённости поля возможен электрический пробой, и весь заряд теряется. Учёные предлагают создать наномассивы конденсаторов, расстояние между электродами которых должно составлять около 10 нм (или 100 атомов). При этом действующие в таком масштабе квантовые эффекты будут сдерживать увеличение концентрации свободных носителей заряда и соответственно утечки. Данное явление нельзя назвать открытием – в течение многих лет о проявлении необычных свойств наноконденсаторами было известно, и причиной предотвращения потери энергии, свойственной для макромира, назывался именно масштаб элементов. Однако, как считает один из авторов концепции Альфред Хаблер (Alfred Hubler) из Университета Иллинойса, "люди не осознавали, что большое значение электрического поля означает большую плотность энергии, и оно может быть использовано для устройств хранения энергии, которые намного превосходят всё существующее сегодня". Согласно подсчётам Хаблера, итоговая удельная мощность может на порядки превышать любую из применяемых ныне технологий, а количество хранимой энергии – быть в 2-10 раз выше по сравнению с лучшими литий-ионными аккумуляторами. Более того, для производства цифровых квантовых батарей не понадобится модификация используемого в настоящее время литографического процесса, а необходимые материалы – кремний, железо и вольфрам – относительно дёшевы и нетоксичны. Лабораторный прототип Хаблер надеется изготовить уже через год, и устройства либо вовсе не будут терять энергию, либо потери окажутся совсем незначительны при поглощении и высвобождении ими электронов. Но сейчас предлагаемый тип источников питания – это только запатентованная идея. Учёный получил финансирование своих исследований от DARPA (Defense Advanced Research Projects Agency - Агентство передовых оборонных исследовательских проектов), и теперь предстоит доказать их результативность на практике и ответить критикам. Схематическое изображение четырёх наноконденсаторов. Катод - прочный проводящий материал, такой как вольфрам или сталь. Анод - нанотрубка в плоской стальной части электрода. Кривые линии отображают линии электрического поля. Изолирующие стенки из оксида кремния Например, профессор Джоель Шиндел (Joel Schindall) из Массачусетского технологического института (MIT) вообще не уверен, что наноматериалы не разрушатся после накопления заряда. Хотя он признаёт концепцию заслуживающей внимания: "Я заинтригован, потому как у него есть обоснованные аргументы в пользу того, что для таких квантовых размеров эффект накопления энергии по меньшей мере может быть значителен". В некотором смысле концепция представляет собой вариант существующих микро- и наноэлектронных устройств. Как говорит Хаблер, "если посмотреть на это с точки зрения цифровой электроники – это всего лишь флеш-диск". Другой аналог – миниатюрные вакуумные трубки, как в плазменных ТВ. Физики же видят сеть из конденсаторов. "Цифровая" часть следует из факта, что каждый элемент будет адресуем независимо. Поэтому помимо "голой" энергии теоретически возможно хранить данные. Существуют и другие способы повышения характеристик конденсаторов. Так, ультраконденсаторы благодаря увеличению площади поверхности электродов и электролитам способны функционировать быстрее обычных ёмкостей. Шиндел повысил этот параметр и количество хранимого заряда использованием нанотрубок вместо угля на поверхностях электродов в уже созданном прототипе. И хотя Хаблер ещё не достиг практической фазы своей работы, он ссылается на проведенное в 2005 году исследование корейских учёных, показавшее реальность изготовления наноконденсаторов.

Быстрый переход

Рынок оборудования для выпуска наноматериалов вырастет до $90 млрд

Среднегодовой темп роста индустрии оборудования для производства наноматериалов составит 10,4% в период между 2009 и 2014 гг. По оценке компании Innovative Research and Products, объём рынка к тому времени достигнет $90,4 млрд. Сектор полупроводниковых пластин будет испытывать подъём на 14% ежегодно, и через пять лет достигнет $20,6 млрд. В то же время в течение последних лет оба рынка падали. Продажи пластин составили $12,1 млрд, $11,4 млрд и $10,7 млрд в 2007, 2008 и 2009 гг. соответственно. В следующем же году рост возобновится, и продажи согласно прогнозам увеличатся на 9,3% до $11,7 млрд.
Beneq TFS-500 ALD
В течение трёх последних лет рынок оборудования снижался с $67,9 млрд в 2007 году до $62,1 млрд в 2008 и $55,1 млрд в 2009. В следующем году должен быть зафиксирован рост на 10,7% до $61 млрд. В целом производители полупроводников и электроники потратили около $80 млрд в 2007 г. и $74 млрд в следующем на кремниевые пластины, материалы и оборудование. Установки для размещения материалов на пластинах занимали в 2008 г. 19% долю рынка "нанопроизводственных" продуктов, оцениваемую в $11,4 млрд. Пятая часть поставок принадлежала литографическому оборудованию ($12,4 млрд), излучающим технологиям – 9% рынка и $5,6 млрд, решениям для тестирования компонентов и процессов – 17% и $10,56 млрд. Продажи в метрологическом сегменте составили $6,83 млрд (11% "нанорынка"). Затраты на исследования и разработки для совершенствования технологий производства наноматериалов превысили $7 млрд в год на уровне корпораций. В настоящее время 30-40% стоимости полупроводникового производства – это затраты на литографию, включая маски, резисты и метрологические техники. Цифры зависят преимущественно от количества интегральных схем на один заказ их разработки и возраста производственного оборудования. Материалы по теме: - Первые трёхмерные интегральные схемы из нанотрубок;
- Пружины из нанотрубок избавят человечество от аккумуляторов;
- IT-байки: Графан - сын графена, дедушка электроники будущего.

Источник:

Контактные линзы с наночастицами покажут диабетикам уровень сахара

Страдающие диабетом люди вскоре могут получить технологию, с которой, как надеется разработчик, их жизнь станет легче. Диабетики вынуждены непрерывно контролировать уровень сахара в крови, и обычно это делается путём забора и анализа крови. Профессор в области химической и биохимической инженерии Жин Женг (Jin Zhang) из Университета Западного Онтарио (University of Western Ontario) предлагает инновационное решение проблемы: его "неразрушающая" технология предполагает использование контактных линз, которые в соответствии с изменением уровня глюкозы меняют цвет.
Контактная линза
Ответом на вызов болезни стали наночастицы. Помещённые в линзы из гидрогеля, они взаимодействуют с молекулами глюкозы в появляющихся естественным путём слезах. Химическая реакция вызывает изменение цвета. В детали Женг не вдаётся. Учёный уже получил $216 тыс. от Канадского фонда инноваций (Canada Foundation for Innovation) для дальнейшей работы с многофункциональными нанокомпозитами, потенциал которых простирается далеко за пределы биомедицины. Например, плёнки из них могут предотвратить порчу пищевых продуктов, закрывая доступ кислороду, углекислому газу и влаге к органической материи. Технология также позволяет создать разлагаемую под действием бактерий упаковку. Материалы по теме: - USB-чехол для дезинфекции зубных щеток;
- Электронные контактные линзы – очередной шаг к добавленной реальности;
- Гибкие солнечные ячейки восстановят зрение.

Создана линза нового поколения из метаматериала

Инженеры из Университета Дюка (Duke University) создали новое поколение линз, которые могут значительно повысить возможности телекоммуникационного оборудования и радаров. Однако внешне на линзу разработка совсем не похожа. Она не стеклянная и не прозрачная, а выглядят скорее как жалюзи. Тем не менее, её способность фокусировать электромагнитные волны значительно превосходит традиционные "стёкла". Достижение стало возможным благодаря метаматериалам – комплексным структурам со свойствами, не встречающимися в природе.
Линза из метаматериала
Прототип линзы размером 10,16 х 12,7 х 2,5 см сложен из более чем 1000 сегментов стекловолокна, применяемого в печатных платах. Они расположены с большой точностью в параллельные ряды, которые и направляют лучи. Как рассказывает научный сотрудник в области электротехники и компьютерной инженерии Натан Кандтз (Nathan Kundtz), вместо использования поверхностей для контроля лучей, как в обычных линзах, учёные обратили внимание на внутреннюю структуру. Управление объёмом линзы предоставляет намного большую свободу в адаптации к конкретным задачам. Ранее подобные возможности существовали только на теоретическом уровне. В связи с ограничениями традиционных линз работа над инновационными решениями продолжается достаточно давно и включает линзы с градиентным показателем преломления (gradient index (GRIN) lenses). Эти прозрачные сферы имеют некоторые преимущества, но сложны в изготовлении и дают сферическую картину, что не подходит для большинства ориентированных на два измерения систем. Новая разработка имеет широкое поле зрения – почти 180°, а поскольку фокус плоский, она поддерживает существующие технологии. Последние эксперименты проведены с микроволнами, далее исследователи надеются создать линзы для более широкого диапазона – инфракрасных и оптических частот. По словам учёных, одна линза из метаматериала может заменить оптическую систему из массива фокусирующих элементов. Материалы по теме: - Учёные поймали радугу;
- Фотонная временная линза обеспечит связь на 270 Гбит/с;
- IT-байки: О невидимости, с фокусами и без.

Гибкие солнечные ячейки восстановят зрение

Возрастные изменения, такие как дегенерация жёлтого пятна, связаны с неправильной работой фоторецепторов. Но поскольку остальные части глаза выполняют свои функции, возможно вернуть способность видеть при помощи устройства, выступающего как слой фоторецепторов. По словам Ростема Диниари (Rostam Dinyari) из Стэнфордского университета (Stanford University) в Калифорнии, это достигается путём искусственного конвертирования света в электрические импульсы – почти так же, как действует солнечная ячейка.
Дегенерация жёлтого пятна поражает центральную часть сетчатки
Но большинство фотоэлектрических преобразователей – это твёрдые элементы, которые далеки от обладания идеальными характеристиками для использования внутри глаз. "Если вы пользуетесь линзами, фокальная плоскость всегда изогнута, и лучшая картинка формируется на сферической поверхности", - объясняет Диниари. Поэтому сетчатка не плоская. Используя жёсткие чипы, потребуется большое количество микроскопических имплантатов, чтобы сымитировать живую ткань. Гибкий материал был бы гораздо практичнее – он устраняет необходимость проведения множества операционных вмешательств, позволяя обойтись одним. Хотя многие компании разрабатывают именно твёрдые имплантаты, Диниари последовал иной концепции. Изготовить гибкое устройство получилось путём формирования глубоких каналов в кремнии между соседними солнечными ячейками-пикселями, имеющими диаметр всего 115 мкм. Имплантат помещается поверх самого повреждённого участка сетчатки. Вмонтированная в очки камера будет снимать видео, конвертировать его в сигналы близкого инфракрасного диапазона и проецировать прямо на имплантат. Под действием падающего на них излучения ячейки преобразуют изображение в электрические импульсы и передают через оптический нерв к мозгу. Используется ИК-спектр, поскольку это излучение не взаимодействует с неповреждёнными фоторецепторами, продолжающими функционировать в нормальном режиме. Учёные надеются для начала испытать новые имплантаты на свиньях, прежде чем проводить тестирование на реальных пациентах. Материалы по теме: - Зрение восстанавливают радиацией;
- Придуман способ рисовать глазами;
- Создан глазной имплантат более безопасной конструкции.

Источник:

Новые достижения: 40-мкм карта мира и 16-нм чипы

Тайваньские учёные создали микроскопические чипы, которые могут лечь в основу более лёгкой и дешёвой электроники – портативных компьютеров, мобильных телефонов, плееров. Согласно заявлению Национальной лаборатории наноустройств (National Nano Device Laboratories) в Хсинчу, её исследователи достигли успеха в размещении большего количества транзисторов на меньшей площади кристалла, чем в любой из существующих разработок.
Электронный снимок чипа
Сегодня лишь изредка встречаются ноутбуки с массой менее 1,5 кг, однако новая технология, по словам возглавляющего лабораторию Янга Фу-лианга (Yang Fu-liang), может снизить её втрое. Аналитик издания Digitimes Нобунага Чеи (Nobunaga Chai) назвал достижение "самой продвинутой технологией чипов". Янг со своей командой работает над 16-нм техпроцессом, относящимся к пространству между транзисторами на кристалле. Чем оно меньше, тем выше плотность размещения элементов. Для сравнения: в среднем длина ногтевой фаланги человека составляет 25 млн нм, или 25 мм. 16 нм – это огромный вызов для учёных и рассматривается как "последний рубеж".
Карта мира
Другое достижение в миниатюризации продемонстрировали исследователи из Университета Гента (Ghent University) в Бельгии, которые разместили крошечную карту мира – её масштаб равен 1 к 1 трлн – на оптическом кремниевом чипе. Окружность Земли на экваторе (40000 км) была уменьшена до 40 мкм, или до половины толщины волоса человека. Карта поместилась в углу чипа, созданного в рамках проекта для Группы исследований фотоники (Photonics Research Group) при университете. Идея состояла в демонстрации возможности масштабного уменьшения комплексных оптических компонентов. Подобные чипы могут найти применение в телекоммуникациях, высокопроизводительных вычислениях, биотехнологиях и здравоохранении.
Чип с картой мира
Самые мелкие детали на карте имеют размер около 100 нм. Её создание включало 30 производственных этапов и четыре разных слоя с различной толщиной. Технологии кремниевой фотоники – это развивающаяся область исследований, объединяющая оптические схемы в небольших чипах. Манипуляции со светом производятся в субмикрометровом масштабе в крошечных фотонных проводниках, или волноводах. Такие кремниевые микросхемы могут содержать в миллионы раз больше компонентов по сравнению с использованием традиционной "стеклянной" фотоники. Материалы по теме: - IBM: 11 нм не предел для кремниевых чипов;
- Tilera собирается выпустить стоядерные процессоры;
- 48-ядерный процессор Intel: чип вместо ЦОД.

Первые трёхмерные интегральные схемы из нанотрубок

Исследователи из Стэнфордского университета (Stanford University) создали первые трёхмерные электронные схемы из нанотрубок. Данное достижение может стать важнейшим шагом на пути к компьютерам с вычислительными элементами на основе нанотрубок, обладающим превосходящим сегодняшнюю "кремниевую" технику быстродействием и потребляющим меньше энергии. До их появления должно пройти ещё не менее 10 лет, но значительность результата стэнфордских учёных в том, что показана принципиальная возможность "послойного" размещения наноэлементов из углерода. Подобные чипы будут иметь большую вычислительную мощность на единицу площади и лучше рассеивать тепло.
Элемент памяти из нанотрубок
Недавнее исследование компании IBM показало, что для некоторого количества потребляемой мощности электроника из нанотрубок функционирует в пять раз быстрее, чем кремниевая. "Мы можем и дальше уменьшать размеры транзисторов, но в очень малых масштабах они прекращают показывать желаемые характеристики, - говорит управляющий углеродными технологиями в IBM Watson Research Center Жионг Чен (Zhihong Chen). – Поэтому мы ищем альтернативные материалы, размеры элементов из которых можно уменьшать более агрессивно с сохранением быстродействия". Исследователи уже достигли некоторого успеха в изготовлении единичных транзисторов из нанотрубок в лабораториях, однако до сих пор комплексные цепи из них получать не удавалось вследствие невозможности контроля качества каждой отдельной нанотрубки. Стэнфордская разработка, представленная на прошедшей международной конференции International Electron Devices Meeting (IEDM) 2009 в Балтиморе, открывает возможность создания сложных структур несмотря на ограничения материалов. Как рассказывает профессор электронной инженерии Филип Вонг (Philip Wong), работа со множеством элементов в наномасштабе означает возникновение сложностей с формированием идеальных структур. Вырастив массив нанотрубок для дальнейшего создания из них электрических схем, исследователи получили смесь из полупроводниковых металлических трубок, которая имела тенденцию к коротким замыканиям. Некоторые из нанотрубок были объединены в прямые линии, другие же имели вид изогнутых форм, и это в том числе являлось препятствием. Пока химики занимаются методами выращивания исключительно прямых структур без примесей, команда Вонга поставила себе задачу ответить на вопрос, каким образом можно обойти проблему или смягчить оказываемый ею эффект.
Нанотрубки на кварце
Ответ заключается в конструкции схем. Необходимо вместо удаления металлических нанотрубок учесть их присутствие и разрабатывать соответствующий дизайн электронных цепей. Для начала учёные создают пустую разметку, и при помощи матрицы переносят выровненный однослойный массив углеродных нанотрубок, выращенных на кварцевой подложке, на кремниевую пластину. Над массивом помещаются металлические электроды. Между нанотрубками и кремнием находится выступающий тыловым затвором изолирующий слой, который позволяет прекратить подачу питания на полупроводниковые трубки перед использованием электродов для сжигания металлических нанотрубок разрядом электричества. Верхний затвор располагается так, чтобы не контактировать с выбивающимися из общей ровной структуры трубками. Наконец, металлические электроды удаляются как излишний компонент. Трёхмерная схема получается простым повторением процесса. Такое "штампование" является ключевым в создании многослойной структуры, потому что производится при низких температурах без повреждения металлических электрических контактов. По словам возглавляющего технологическую микропроцессорную лабораторию Intel Шекара Боркара (Shekhar Borkar), пока стэнфордская команда продемонстрировала небольшие и простые схемы наподобие кремниевых 1960-х годов. Например, был изготовлен "калькулятор", способный складывать и хранить числа. В настоящий момент учёные пытаются получить более сложные решения. Углеродные нанотрубки не ставят на этом пути фундаментальные барьеры. Их массивы в лабораториях исследователей одни из самых плотных, с 5-10 трубками на микрометр, но и этого пока недостаточно – требуемая цифра на порядок больше. Материалы по теме: - Первая нить из нитрид-борных нанотрубок;
- Тонкоплёночные транзисторы дисплеев переходят на нанотрубки;
- Сверхдлинные нанотрубки – будущее передающих линий.

Intel усовершенствовала транзисторы следующего поколения

Intel заявила об успешном изготовлении полевого транзистора с использованием индий-галлий-арсенида (InGaAs) на кремниевой подложке путём интегрирования затвора с высокой диэлектрической постоянной. Изолятор с высоким значением этого параметра позволяет уменьшить толщину оксида затвора без последствий в виде роста утечек зарядов. Получившийся комплексный полупроводниковый элемент с квантовыми ямами (quantum-well FET, QFET; квантовая яма – это структура, где частицы ограничены одной координатой) продемонстрировал высокие скорость переноса и ток возбуждения, что делает архитектуру InGaAs-on-Si привлекательным решением, но масштаб элементов должен быть снижен перед коммерциализацией технологии.
Снимок просвечивающего электронного микроскопа
По словам вице-президента Technology and Manufacturing Group и директора подразделения исследований компонентов в Intel Labs Майка Мэйберри (Mike Mayberry), длина затвора составляет 40 нм, однако контакты по-прежнему большие. Следующая задача заключается в их уменьшении, что минимизирует барьер между металлическими контактами и квантовой ямой. Intel более трёх лет работает над составными полупроводниками с целью интегрирования быстродействующих InGaAs-транзисторов на кремниевых подложках. Были преодолены несколько препятствий на пути к коммерциализации полупроводников класса III-V (с элементами соответствующих групп периодической таблицы), включая возможность объединения транзисторов из кремния и InGaAs на одном кристалле и создание элементов p- и n-типа. Чипмейкер разработал диэлектрик с высоким значением диэлектрической постоянной (high-k dielectric), отличный от материала, используемого в кремниевых транзисторах. В новом high-k-материале используется комплексная структура из 4-нм слоя тантала и оксида кремния на 2-нм запирающем слое из индий-фосфора. Чтобы получить высокую мобильность переноса в QFET, два материала буферного слоя – индий-алюминий-арсенид и индий-фосфор – были размещены между диэлектриком и квантовой ямой. Мэйберри уверен, что транзисторы класса III-V могут начать вытеснять традиционные кремниевые технологии с 2015 года, но только если задачи интеграции будут решены. В противном случае такие элементы всё равно станут кандидатами на совмещение с кремнием для специализированных областей, таких как фотонные устройства и транзисторы для периферийной поддержки работы чипа. Материалы по теме: - Новые материалы для транзисторов;
- Toshiba представила спинтронный транзистор;
- IT-Байки: Электроника-2020 – жизнь после смерти кремния.

Источник:

Термохимическая нанолитография «научилась» работать со множеством химикатов

Ученые из Технологического института Джорджии продолжают совершенствовать разработанную ими ранее технологию термохимической нанолитографии (thermochemical nanolithography, TCNL). Общий принцип предложенного процесса заключается в изменении свойств полимерной пленки на подложки с гидрофобных на гидрофильные с помощью «иглы» кремниевого наноскопического зонда атомно-силового микроскопа (atomic force microscope, AFM). В результате появляется возможность закрепления химического вещества по заданному прогревом шаблону. Такой способ формирования наноструктур имеет ряд преимуществ перед другими методами субмикронной литографии, прежде всего – скорость (миллиметры в секунду против десятитысячных долей миллиметра) и отсутствие необходимости в создании вакуума. Согласно заявлениям исследователей, доработки, внесенные ими в техпроцесс, обеспечивают возможность создания независимых шаблонов из нескольких химических веществ, почти в любых наборах и сочетаниях. Это обеспечивает TCNL еще большее преимущество по сравнению с конкурирующими технологиями, поскольку те, как правило, позволяют работать с единственным химическим веществом. Концепция усовершенствований столь же проста, как и метод в целом, и заключается в многократном повторении процесса нагрева-закрепления, по количеству разновидностей химикатов. Разработчики считают, что TCNL обеспечит относительно простую возможность формирования химических наноструктур исследователям из множества отраслей, будь то, например, электроника или биохимия. Предполагается, что новая технология позволит формировать столь сложные структуры, как ДНК. Материалы по теме: - Термохимическая нанолитография – основа 12-нм техпроцесса?;
- Toshiba за импринт-литографию для 22-нм техпроцесса.

Технология многоядерных 3D-CPU с революционным охлаждением

По достижении температуры около 85° С значительно повышается вероятность нестабильной работы полупроводниковых компонентов, в том числе процессоров. Чтобы преодолеть этот лимит, исследователями из Федеральной политехнической школы Лозанны (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne, EPFL) в сотрудничестве с IBM предложено в рамках проекта CMOSAIC решение с использованием технологии многоядерных чипов. Большинство из сегодняшних ПК имеют гордое обозначение "двухъядерный" или "четырёхъядерный". Тем не менее, в своё время наращивание производительности путём увеличения количества ядер на кристалле столкнётся с теми же ограничениями, что характерны для повышения степени интеграции одного ядра.
Технология многоядерных 3D-CPU с революционным охлаждением
Трёхмерные процессоры основаны на идее многоядерных чипов. Но размещаются они иным способом – вертикально, а не бок о бок. Преимущество в том, что вся поверхность одного вычислительного элемента может быть подключена к следующему слою с количеством соединений до 100 тыс. на мм2. Множество коротких проводников приведут к повышению пропускной способности между ядрами, снижению энергопотребления и тепловыделения. Как объясняет Джон Р. Том (John R. Thome) из EPFL, цель не только в увеличении быстродействия, но и в сохранении окружающей среды: "В США вычислительные центры уже потребляют 2% всей энергии. С удвоением этого показателя каждые пять лет суперкомпьютеры в 2100 году теоретически будут нуждаться во всём вырабатываемом в Штатах электричестве". 3D-процессоры используют меньше энергии и генерируют меньше тепла, но они всё же далеки от комнатной температуры. Том разрабатывает революционную систему охлаждения, способную значительно понизить тепловыделение. Ключевой элемент – расположенные между слоями трёхмерного чипа каналы диаметром 50 нм. Они заполнены охлаждающей жидкостью, нагревающейся на выходе из CPU до состояния пара. Затем он конденсируется, и жидкость снова подаётся в процессор. Прототип технологии должен быть протестирован в следующем году. А до внедрения в потребительскую электронику пройдёт несколько лет. Предполагается, что 3D-процессоры попадут в недра суперкомпьютеров к 2015 году, а решения с инновационным охлаждением появятся на рынке к 2020 г. Материалы по теме: - Новые материалы для кремниевых транзисторов;
- Нанотранзисторы «с четкими границами» обещают новые возможности;
- IT-Байки: Электроника-2020 – жизнь после смерти кремния.

Источник:

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥