Один из крупнейших контрактных производителей микросхем, компания GlobalFoundries, продолжает осваивать все более тонкие техпроцессы. В соответствии с намеченным графиком, фирма планирует прийти к 22-нм производству к 2012 году. Ранее предполагалось, что выпуск подобных микросхем будет налажен после запуска фабрики Fab 8, строительство которой ведется в данный момент в Нью-Йорке, однако, если верить главному менеджеру Fab 1 Юдо Нотелферу (Udo Nothelfer), первые 22-нм продукты от GlobalFoundries могут появиться и раньше. Представитель компании заявил, что Fab 1 не только перейдет на использование 32-нм и 28-нм технологий до конца этого года, но и займется активным освоением 22-нм техпроцесса. Связано это в первую очередь с желанием «обкатать» тонкую технологию до начала массового производства микросхем на Fab 8. Кроме того, GlobalFoundries уверена, что 22-нм чипы будут востребованы заказчикам раньше, чем будет завершено строительство новой фабрики. Словом, миниатюризация приходит в нашу жизнь даже быстрее, чем мы рассчитывали. Материалы по теме:

• Топ-17 производителей полупроводников по итогам 2009 г;
• Chartered успешно продана основателям GLOBALFOUNDRIES;
• GLOBALFOUNDRIES поможет ARM с выпуском 28-нм чипов.

Источник:

• EE Times

Ученые создали новый материал, который может быть использован для направления световых волн. Благодаря этому открытию, человечество еще на шаг приблизилось к созданию ультра-быстрых компьютеров. В лаборатории Georgia Tech исследователи использовали специально разработанные органические красители, которые могут перенаправлять свет, не требуя преобразования его в электричество. Традиционное компьютерное оборудование, например, маршрутизаторы, способно получать световые сигналы от оптических кабелей, но все данные обрабатываются с использованием традиционных электронных чипов. Создание оптического маршрутизатора позволит передавать данные на скоростях до 200 Гбит/c, что в пять раз быстрее по сравнению с нынешними технологиями. «Наше открытие позволит создавать материалы, которые значительно ускорят передачу данных. Это поможет решить проблемы со скоростью и мы вплотную подойдем к созданию нового типа компьютеров», - говорит Сет Мардер (Seth Marder), профессор в Georgia Tech School of Chemistry. Материалы по теме:

• Фотонная временная линза обеспечит связь на 270 Гбит/с;
• Ученые создали акустическую линзу.

Источник:

• Ibtimes

Многие компании, тратящие огромные средства на разработку собственных чипов, предпочитают рассказывать широкой общественности о ходе работ. Даже такие компании, как Sun и IBM, чипы которых используются только в составе собственных решений, раскрывают информацию по поводу разработок еще задолго до того, как устройства на основе чипа выходит на рынок. Такая практика широко распространена в сфере производства игровых консолей, ПК и других устройств, но ее никогда не поддерживала Apple. С момента анонса Apple iPad общественность знала о процессоре устройства лишь информацию, которая заключается в двух символах – A4. Теперь же имеются необходимые для приоткрытия завесы тайны сведения. Оказалось, что процессор A4 – это SoC-система с тактовой частотой 1 ГГц, основанная на одном ядре Cortex A8 с интегрированным графическим ускорителем PowerVR SGX. Тот факт, что A4 есть одноядерная модификация A8, компания Apple предпочла не придавать огласке, но многие вполне компетентные источники указывают на то, что это именно так. По своим характеристикам A4 не имеет существенных отличий от других A8 SoC-систем. Разница заключается в том, что в чипе A4 в большей степени реализована поддержка ввода/вывода, что вполне логично, учитывая отличия между iPad и смартфонами. Кроме того, чип имеет инфракрасный блок, три модуля UART, четыре модуля USB, контроллер клавиатуры. 30-контактный выход может быть ТВ-выходом, но такая возможность не была анонсирована Apple. Материалы по теме:

• Каждый шестой владелец iPhone хочет iPad;
• Летом Nokia выпустит конкурентов iPad и iPhone на базе Meego;
• Apple планирует продавать iPad через сеть Best Buy.

Исследователи из Intel изучают наноматериалы, которые могут быть использованы при создании ультраконденсаторов с большей энергетической плотностью чем литий-ионные батареи. В случае успеха новые материалы будут использоваться во всех энергосистемах – начиная от мобильных устройств и заканчивая электромобилями. Работы над проектом начались в мае прошлого года. Особое внимание ученых привлекают так называемые «микросетки». Руководитель проекта Том Олдридж (Tomm Aldridge) считает, что в скором времени они представят миру будущее электрических сетей. «Пока слишком рано анонсировать какие-либо результаты, но уже сейчас мы достаточно далеко продвинулись в создании ультраконденсаторов на базе наноматериалов. Цель исследования – увеличить энергоемкость батарей и показать, насколько полезными могут быть нанотехнологии». Олдридж с коллегами также исследуют вопросы архитектуры микросеток, включая энергетическое зондирование. Команда Олдриджа в скором времени пополнится десятком новых исследователей, которые будут работать в лаборатории Intel в Нью-Мексико. Материалы по теме:

• Жидкое стекло защитит одежду от грязи;
• Новые энергосберегающие лампы на базе нанотехнологий;
• Опасность нанотехнологий. Реальны ли угрозы?.

Группа исследователей из Университета Пенсильвании под руководством профессора материаловедения Дона Боннела (Dawn Bonnell) предложила оригинальный вариант преобразования солнечного света в электрический ток. По задумке изобретателей, разработанная ими технология может применяться скорее не в составе солнечных батарей, а как компонент, обеспечивающий автономное питание электрических схем, или даже в качестве запоминающей ячейки оптоэлектронного запоминающего устройства. Представленный фотовольтаический элемент образован светочувствительными наночастицами золота, помещенными на стеклянную подложку на минимальном расстоянии друг от друга. При стимуляции электронов посредством оптического излучения они начинают перемещаться по поверхности наночастиц золота, образуя так называемые «поверхностные плазмоны», что вызывает протекание электрического тока сквозь молекулы. По словам Боннела, если при масштабировании подобной схемы не встретятся некие неизвестные на сегодняшний день факторы, можно будет создать структуру толщиной с человеческий волос и длиной в один дюйм, способную обеспечивать электрический ток силой 1 А при напряжении 1 В. Кроме того, исследователи полагают, что предложенные ими фотовольтаические цепи можно использовать для кодирования битов, используя для записи не электрический заряд, а световое излучение. Материалы по теме:

• Разработаны недорогие солнечные элементы из пластика;
• IBM: эффективная солнечная батарея из доступных компонентов;
• Рынок солнечной энергии США удвоится в следующем году.

Источник:

• ACS Nano

Команда инженеров Калифорнийского Университете Беркли вышли на новый виток в развитии пьезоэлектриков. Им удалось создать так называемые «энергосберегающие нановолокна», которые однажды станут переворотом в текстильной промышленности. Эти нановолокна способны вырабатывать электрическую энергию за счет механического стресса, растяжений и изгибов. Ученые утверждают, что новый тип одежды сможет накапливать достаточно энергии для зарядки мобильного телефона или плеера. Цена «энергетической одежды» будет довольно низкой благодаря органическим материалам на базе поливинилиденфторида, которые позволяют производить дешевые нановолокна. К сожалению, пока судьба нового типа одежды остается неясной. Ученые не говорят, можно ли ее стирать, сушить и гладить обычными методами. Материалы по теме:

• Жидкое стекло защитит одежду от грязи;
• Чернила с нанотрубками превращают бумагу в суперконденсатор;
• Опасность нанотехнологий. Реальны ли угрозы?.

Исследователям из ирландского Национального научно-исследовательского института им. Тиндаля (Tyndall National Institute) удалось создать полупроводниковую структуру, претендующую на ключевую роль для дальнейшего развития электронных компонентов. По словам ученых, представленный ими беспереходный транзистор – первое в мире физически реализованное устройство такого типа. Функционирование структуры основано на возможности управления протеканием тока, вплоть до полного запирания, через тончайший, толщиной всего 10 нм, проводник, посредством «электрического сжатия» со стороны окружающего его слоя, получившего название «обручального кольца». Согласно данным исследователей, отсутствие традиционных для транзисторов переходов между полупроводниками n- и p-типов позволяет как уменьшить размеры логических вентилей, так и улучшить их характеристики – например, существенно уменьшить токи утечки, а также снизить стоимость чипов. При этом для изготовления микросхем с беспереходными транзисторами могут использоваться те же технологические операции, что и в техпроцессе типа CMOS. Исследователи использовали коммерческие SOI-подложки и электронно-лучевую литографию для создания нанопроводников (или нанолент) шириной приблизительно 30 нм и толщиной 10 нм. После выращивания 10-нм слоя оксида, нанопроводники подвергались легированию мышьяком для получения канала n-типа, или фторидом бора – для p-типа. Окружающий затворный слой управления толщиной 50 нм был сформирован из поликристаллического кремния, и легирован таким образом, чтобы отличаться от типа канала. Созданный беспереходный транзистор напоминает структуру, впервые предложенную еще в 1925 г. и известную под названием устройства Лилиенфильда, по имени его изобретателя, австро-венгерского ученого Юлиуса Эдгара Лилиенфильда (Julius Edgar Lilienfield). Однако реализация устройства стала возможна только сейчас, благодаря появлению технологий, позволивших формировать кремниевые проводники толщиной всего лишь в несколько десятков атомов. Материалы по теме:

• Создан первый в мире транзистор из одной молекулы;
• Создан "одноатомный" транзистор;
• Toshiba представила спинтронный транзистор.

Японский Национальный институт передовой промышленной науки и технологии (National Institute of Advanced Industrial Science and Technologies, AIST) разработал алмазный светодиод мощностью 0,3 Вт и представил его на выставке по нанотехнологиям, прошедшей в этой стране. Кроме AIST, в создании устройства принимали участие также японские компании Iwasaki Electric и Shintec. Дебютная реализация алмазного светодиода, представленная AIST в марте 2009 г., имела мощность на порядок меньше – всего 30 мкВт. Такие светодиоды имеют две основные отличительные особенности по сравнению с устройствами других типов – светоотдача, продолжающая возрастать при приложении токов даже значительной величины, и сохранение работоспособности при температуре вплоть до нескольких сотен градусов. Впрочем, пока что для практического применения больший интерес вызывает излучаемое светодиодом жесткое ультрафиолетовое излучение, которое можно применять для дезинфекции, за счет его способности угнетать жизнедеятельность таких бактерий, как кишечная палочка и им подобных. Представители AIST подтвердили, что мощности излучения в несколько милливатт уже достаточно для этих целей. Материалы по теме:

• Создан алмазный светодиод, работающий при 400 °С;
• Алмазная проводка может стать прорывом в квантовом вычислении;
• Получен алмазный 50-нм транзистор.

RTI International разработала революционную технологию освещения, которая более энергоэффективна, чем обычные электрические лампы накаливания, и экологически безопасна благодаря отсутствию ртути. Основой нового изобретения являются нановолокна, которые обеспечивают превосходное управление освещением. Нановолокна – это материалы с диаметром и поверхностью гораздо меньшей, чем человеческий волос. «Использование гибких фотолюминесцентных нановолокон – это настоящий прорыв в осветительных технологиях», - говорит Лин Дэвис (Lynn Davis), руководитель программы Nanoscale Materials. Помимо экономической выгоды, новая технология продуцирует более приятный свет с лучшей цветопередачей. Ожидается, что новые лампы появятся на рынке в ближайшие пять лет. Материалы по теме:

• Новое поколение технологий солнечной энергии;
• Гибкие LED-панели на солнечной энергии заменят керосиновые лампы.

Источник:

• Sciencedaily

Команде ученых университета Гарварда удалось создать устройство на базе алмазных нанопроводов. Устройство является ярким и стабильным источником одиночных фотонов при комнатной температуре. Данное открытие может привести к созданию нового класса наноструктурированных аппаратов, подходящих для квантовой связи. В отчете исследователи во главе с профессором Марком Лонкаром (Marko Loncar) сообщили, что производительность одиночного источника фотонов, базирующаяся на светоизлучающем дефекте, может быть значительно повышена путем наноструктурирования алмазов и внедрения дефекта в алмазную проводку. По сути, ученые впервые начали использовать свойства природных алмазов, узнав, как управлять вращением электрона, связанного с цветовым центром кристалла. Квантовое состояние может быть инициализировано и измерено при помощи света. Цветовой центр «общается», выделяя и поглощая фотоны. Поток фотонов, излучаемый цветовым центром, позволяет переносить результирующую информацию, осуществлять контроль, захватывать и хранить фотоны необходимые для любого типа вычислений или связи. При этом сбор фотонов достаточно трудоемкое занятие, поскольку цветовой центр запрятан глубоко внутри алмаза. «Наше устройство может направлять излучаемые фотоны в нужное русло», - говорит один из разработчиков Том Бабинец (Tom Babinec). Алмазная проводка также создана, чтобы преодолеть препятствия, вызванные устаревшими системами, которые базируются на квантовых точках и углеродных нанотрубках. «Мы рассматриваем это как важный шаг на пути к оптическим системам. Благодаря наноструктурированным алмазам мы уже можем мечтать об алмазных устройствах и системах», - заявил Лонкар. Материалы по теме:

• Кристаллы в метеоритах тверже алмазов;
• Получен алмазный 50-нм транзистор;
• Sparkle будет использовать аморфный углерод для охлаждения видеокарт.

Источник:

• sciencedaily