Новости Hardware

GlobalFoundries готова выпускать чипы со встроенной 22-нм памятью eMRAM

Перспективная энергонезависимая магниторезистивная память eMRAM сделала ещё один шаг по направлению к массовому рынку. Главным недостатком eMRAM считается сравнительно низкая плотность записи. Компенсировать это можно с помощью более тонких технологических норм, тогда как все остальные достоинства eMRAM сохраняются ― это устойчивость к износу, скорость и надёжность. И за этот новый шаг нужно поблагодарить компанию GlobalFoundries.

 Информация в ячейке MRAM хранится в виде намагниченности слоёв

Информация в ячейке MRAM хранится в виде намагниченности слоёв

В четверг GlobalFoundries заявила, что её платформа 22FDX для выпуска полупроводников готова к производству решений со встроенной памятью eMRAM. Техпроцесс 22FDX подразумевает технологические нормы 22 нм на пластинах с полностью обеднённым кремнием на изоляторе (FD-SOI). Транзисторы в логике 22FDX всё ещё планарные и не используют вертикальных рёбер, как в случае транзисторов FinFET. Однако за счёт снижения утечек на пластинах FD-SOI скоростные и энергоэффективные характеристики планарных 22-нм транзисторов оказываются не хуже чем у 14/16-нм FinFET транзисторов.

Производством чипов со встроенной памятью eMRAM с использованием техпроцесса 22FDX будет заниматься завод GlobalFoundries в Дрездене, который обрабатывает кремниевые пластины диаметром 300 мм. Цифровые проекты контроллеров и другой логики со встроенной памятью eMRAM с нормами 22FDX клиенты компании предоставят в течение нескольких следующих месяцев. Тем самым можно ожидать, что массовое производство контроллеров со встроенными 22-нм блоками eMRAM начнётся до конца 2020 года (хотя оно ожидалось на год раньше).

До этого момента для выпуска чипов со встроенной памятью eMRAM будет использоваться техпроцесс с нормами 28 нм на пластинах SOI (обычный кремний на изоляторе). Такие решения выпускали компании GlobalFoundries, Samsung и NXP. Выгода от использования памяти eMRAM вместо встраиваемой памяти NAND-флеш в том, что память eMRAM выдерживает до 100 тыс. циклов перезаписи, тогда как память NAND может выдержать не более 30 тыс. циклов перезаписи. Также память eMRAM быстрее, поскольку она не требует операции по стиранию перед операцией записи в ячейку. Такая память станет находкой для автомобильной электроники и для устройств Интернета вещей.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме
window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Новая статья: Обзор смартфона HUAWEI Mate 50 Pro: новый король мобильной фотографии? 2 ч.
Volkswagen построит в Канаде или США аккумуляторный завод, чтобы покупатели ID.4 могли получать максимальные субсидии 6 ч.
Власти Германии не планируют полностью запрещать сетевое оборудование Huawei и ZTE в стране 12 ч.
Apple хотела бы выпускать больше устройств в Индии и Вьетнаме, но отдалиться от Китая будет очень непросто 17 ч.
Специалисты iFixit разобрали Apple iPad (2022) — внутренняя компоновка устройства во многом напоминает iPad Air (2020) 03-12 20:11
Samsung повысит безопасность сканера отпечатков пальцев в 2,5 млрд раз к 2025 году 03-12 18:40
BMW Group начала мелкосерийное производство водородной версии внедорожника iX5 03-12 15:38
В преддверии анонса смартфонов Xiaomi 13 и Xiaomi 13 Pro появилось больше данных об их особенностях 03-12 15:28
Китай впервые провёл ротацию экипажей космических кораблей на орбите 03-12 13:41
ASRock Rack представила GENOAD8UD-2T/X550 — одну из самых компактных плат для AMD EPYC Genoa 03-12 13:33