Новости Hardware

GlobalFoundries готова выпускать чипы со встроенной 22-нм памятью eMRAM

Перспективная энергонезависимая магниторезистивная память eMRAM сделала ещё один шаг по направлению к массовому рынку. Главным недостатком eMRAM считается сравнительно низкая плотность записи. Компенсировать это можно с помощью более тонких технологических норм, тогда как все остальные достоинства eMRAM сохраняются ― это устойчивость к износу, скорость и надёжность. И за этот новый шаг нужно поблагодарить компанию GlobalFoundries.

 Информация в ячейке MRAM хранится в виде намагниченности слоёв

Информация в ячейке MRAM хранится в виде намагниченности слоёв

В четверг GlobalFoundries заявила, что её платформа 22FDX для выпуска полупроводников готова к производству решений со встроенной памятью eMRAM. Техпроцесс 22FDX подразумевает технологические нормы 22 нм на пластинах с полностью обеднённым кремнием на изоляторе (FD-SOI). Транзисторы в логике 22FDX всё ещё планарные и не используют вертикальных рёбер, как в случае транзисторов FinFET. Однако за счёт снижения утечек на пластинах FD-SOI скоростные и энергоэффективные характеристики планарных 22-нм транзисторов оказываются не хуже чем у 14/16-нм FinFET транзисторов.

Производством чипов со встроенной памятью eMRAM с использованием техпроцесса 22FDX будет заниматься завод GlobalFoundries в Дрездене, который обрабатывает кремниевые пластины диаметром 300 мм. Цифровые проекты контроллеров и другой логики со встроенной памятью eMRAM с нормами 22FDX клиенты компании предоставят в течение нескольких следующих месяцев. Тем самым можно ожидать, что массовое производство контроллеров со встроенными 22-нм блоками eMRAM начнётся до конца 2020 года (хотя оно ожидалось на год раньше).

До этого момента для выпуска чипов со встроенной памятью eMRAM будет использоваться техпроцесс с нормами 28 нм на пластинах SOI (обычный кремний на изоляторе). Такие решения выпускали компании GlobalFoundries, Samsung и NXP. Выгода от использования памяти eMRAM вместо встраиваемой памяти NAND-флеш в том, что память eMRAM выдерживает до 100 тыс. циклов перезаписи, тогда как память NAND может выдержать не более 30 тыс. циклов перезаписи. Также память eMRAM быстрее, поскольку она не требует операции по стиранию перед операцией записи в ячейку. Такая память станет находкой для автомобильной электроники и для устройств Интернета вещей.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме
window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Песочница PT Sandbox дополнилась средствами выявления атак на Astra Linux и буткитов 13 мин.
Релизный трейлер Overwatch 2 готовит игроков к наступлению «новой эры» 3 ч.
VK продала игровое подразделение MY.GAMES за $642 млн 3 ч.
Фэнтезийное приключение I, the Inquisitor от выходцев из Techland и CD Projekt RED обрело издателя, сокращённое название и сроки премьеры 4 ч.
Видео: родовое проклятие, новые персонажи и много крыс в сюжетном трейлере A Plague Tale: Requiem 5 ч.
NVIDIA выпустила драйвер GeForce Game Ready 517.48 WHQL с поддержкой Overwatch 2 и обновлениями технологии DLSS для Microsoft Flight Simulator 5 ч.
Microids определилась с датой выхода Syberia: The World Before на PS5, Xbox Series X и S 6 ч.
В WhatsApp нашли уязвимости, позволяющие взламывать смартфоны на Android и iOS 6 ч.
Заключительный набор дополнительных бойцов первого сезона для The King of Fighters XV выйдет в октябре 6 ч.
Видео: особенностям ПК-версии супергеройского боевика Gotham Knights посвятили отдельный трейлер 6 ч.