Новости Hardware

Производство SSD Samsung на памяти Z-NAND начнётся в 2018 году

Примерно год назад компания Samsung показала прототип твердотельных накопителей на новом типе флеш-памяти, который она назвала Z-NAND. К началу весны текущего года Samsung представила опытные образцы SSD SZ985 на памяти Z-NAND (Z-SSD) ёмкостью 1 Тбайт (для пользователей доступный объём моделей составляет 800 Гбайт). Для PCIe-накопителя полной длины это сравнительно небольшой объём памяти, что заставляет задуматься о плотности записи микросхем Z-NAND.

SSD Samsung SZ985 на памяти Z-NAND

SSD Samsung SZ985 на памяти Z-NAND

В свежей новости на сайте Business Korea подтверждается, что память Z-NAND представляет собой многослойную память 3D NAND (в терминах Samsung — V-NAND) с записью в каждую ячейку по одному биту данных. Это ограничивает максимальный объём накопителей Z-SSD, но ведёт к повышению производительности, к снижению задержек и к росту устойчивости к износу.

По словам источника, компания Samsung некоторое время назад начала обсуждать с клиентами условия поставок Z-SSD. Известно, что опытные экземпляры накопителей на своих площадках уже изучают компании NetApp и Datera. К сожалению, массового производства памяти Z-NAND и накопителей Z-SSD можно не ждать. Как утверждают наши южнокорейские коллеги, производство Z-SSD запланировано на следующий год.

Остаётся напомнить, что память Z-SSD создана Samsung в качестве альтернативы памяти 3D XPoint компаний Intel и Micron. Память 3D XPoint характеризуется предельно малой латентностью в сфере SSD, которая для режима чтения снижена до 10 мкс. Задержки чтения для накопителя Samsung SZ985 снижены до 15 мкс.

Картинка со стенда Samsung с опытным экземпляром Z-SSD (www.businesskorea.co.kr)

Картинка со стенда Samsung с опытным экземпляром Z-SSD (www.businesskorea.co.kr)

Что касается устоявшихся скоростей в режиме чтения, то Samsung SZ985 как и Intel Optane DC P4800X не стали прорывом, хотя в целом обе модели показывают значительный рост по отношению к среднестатистическим SSD. Так, модель Samsung SZ985 показывает устоявшиеся скорости чтения и записи на уровне 3,2 Гбайт/с, что определённо выше возможностей Intel Optane DC P4800X (2,4 Гбайт/с для чтения и 2,1 Гбайт/с для записи). Значения IOPS для чтения случайных блоков достигает 750 тыс., а для записи — 160 тыс. операций ввода-вывода. В основе SZ985 лежит фирменный контроллер компании под кодовым именем Phoenix. Двукратный рост ёмкости Z-SSD можно ожидать в следующем году, когда компания начнёт производство Z-NAND с двухбитовой ячейкой.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме
Прежде чем оставить комментарий, пожалуйста, ознакомьтесь с правилами комментирования. Оставляя комментарий, вы подтверждаете ваше согласие с данными правилами и осознаете возможную ответственность за их нарушение.
Все комментарии премодерируются.
Комментарии загружаются...
window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
NVIDIA AI LaunchPad — быстрый доступ к ИИ по запросу для предприятий 1 мин.
Акции Microsoft подорожали до рекордного уровня в преддверии презентации Windows 11 5 мин.
Представлен корпус Sharkoon REV300 с нестандартным размещением материнской платы и обилием подсветки 45 мин.
Спекулянты на eBay заработали больше $100 млн на GeForce RTX 30-й серии и почти $190 млн на PlayStation 5 2 ч.
Топ-менеджеры Google заявили, что компания страдает от своего размера и стиля управления 2 ч.
«Ростелеком-ЦОД» и «ДатаЛайн» создали сервисную компанию для обслуживания дата-центров 2 ч.
Analog Devices представила трансиверы 10BASE-T1L: 10 Мбит/с по одной паре на расстоянии до 1,7 км 2 ч.
Новый суперкомпьютер Tesla позволит робомобилям избавиться от радаров и лидаров 2 ч.
Смартфон Infinix NOTE 10 Pro NFC поступил в продажу в России 2 ч.
Tesla построила зарядные станции на протяжении всего китайского «Шёлкового пути» 2 ч.