Новости Hardware

BGT представила тестовый чип GFET на основе графеновых транзисторов

Bluestone Global Tech сообщила о создании чипа Grat-FET, использующего преимущества недавно открытого материала графена. Grat-FET включает 36 графеновых полевых транзисторов с девятью различающимися по длине и ширине графеновыми каналами, обеспечивающими все параметры для исследования и разработки.

Графеновый чип Grat-FET

Графеновые транзисторы производятся методом химического осаждения графена на кремниевую пластину. Графен обладает высоким коэффициентом подвижности носителей заряда (2000—3000 см2/Вс).

Схема графенового транзистора

Высокомобильный графен Grat-M используется только в области канала и обеспечивает высокую модуляцию проводимости полевого транзистора. Как и стандартный транзистор, GFET имеют три электрода: металлические исток и сток, между которыми находится графеновый канал и по которым основные носители заряда входят и уходят, и затвор на основе легированного кремния, регулирующий поперечное сечение канала.

Grat-FET обладает амбиполярным свойствами, обеспечивая n- и p-переходы, если затворное напряжение на основании кремниевой пластины настроено правильно.

Печатная плата с 9 различными чипами Grat-FET

Являясь полуметаллом, графен обладает большими токами утечки, поэтому транзисторы на его основе пока не могут заменить кремниевые аналоги. Чипы Grat-FET предназначены для проведения исследований и разработок и не является коммерческим продуктом.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме
window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥