Новости Hardware

Китайцы пропустят этап выпуска 96-слойной 3D NAND и сразу перейдут к 128-слойной

Как сообщает тайваньский интернет-ресурс DigiTimes, китайская компания Yangtze Memory Technology (YMTC) приступила к поставкам опытных образцов 64-слойной памяти 3D NAND. Согласно ранним сообщениям, это микросхемы ёмкостью 128 Гбит. К массовому производству 64-слойных чипов NAND компания собирается приступить в четвёртом квартале 2019 года или, если верить свежим сообщениям, в третьем квартале 2019 года.

Ветераны и лидеры отрасли по производству NAND компании Samsung, WD, Toshiba, SK Hynix, Intel и Micron в это время будут переходить к массовому производству 96-слойной памяти 3D NAND. У зарождающейся в Китае отрасли по выпуску 3D NAND не так много технологических возможностей выйти в течение нескольких ближайших лет на уровень старичков, но китайцы постараются. Например, компания YMTC собирается пропустить этап производства 96-слойной памяти и от 64-слойной сразу перейти к производству 128-слойной 3D NAND уже в 2020 году.

«Китайская память» 3D NAND состоит из двух отдельных кристаллов с интерфейсом и массивом памяти (стык в месте «красных» контактов)

«Китайская память» 3D NAND состоит из двух отдельных кристаллов с интерфейсом и массивом памяти (стык в месте «красных» контактов)

При всей сложности производства многослойной памяти 3D NAND с числом слоёв свыше 64 штук у компании Yangtze Memory есть своя разработанная в Китае технология выпуска подобной памяти. Это технология Xtacking, которая позволяет собирать 3D NAND как кубики «Лего», состыковывая отдельно выпущенные кристаллы с управляющей электроникой и массивы NAND. Это наверняка поможет производителю создать технологию стековой компоновки массивов NAND, как это делают западные компании. Память 3D NAND с 96 слоями, напомним, собирается из двух 48-слойных кристаллов 3D NAND. Китайцы точно так же смогут собирать 128-слойную 3D NAND из двух 64-слойных массивов памяти.

96-слойная 3D NAND может быть составлена из двух 48-слойных кристаллов 3D NAND (International Memory Workshop 2018)

96-слойная 3D NAND может быть составлена из двух 48-слойных кристаллов 3D NAND (International Memory Workshop 2018)

В настоящий момент, напомним, компания Yangtze Memory выпускает небольшие коммерческие партии 32-слойной 64-Гбит 3D NAND. Этот вид деятельности не приносит ей прибыли, но позволяет отладить техпроцессы и подготовиться к запуску полномасштабного производства 64-слойной 3D NAND. При выходе на полную мощность первый вошедший в строй завод YMTC будет каждый месяц выпускать до 100 тыс. пластин с 64-слойной памятью 3D NAND, что произойдёт, скорее всего, ближе к середине 2020 года.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме
Прежде чем оставить комментарий, пожалуйста, ознакомьтесь с правилами комментирования. Оставляя комментарий, вы подтверждаете ваше согласие с данными правилами и осознаете возможную ответственность за их нарушение.
Все комментарии премодерируются.
Комментарии загружаются...
window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Ровно 20 лет назад состоялся релиз Windows XP и она всё ещё используется на миллионах ПК 13 мин.
Британские чарты: ужастик House of Ashes уступил на старте предыдущей части, а Resident Evil Village вернулась в топ-15 15 мин.
СМИ массово опубликовали расследования на основе слитых документов Facebook — компания не хочет решать накопившиеся проблемы 24 мин.
«ВКонтакте» запустила автоматический перевод публикаций на английский при помощи нейросети 29 мин.
Создатели олдскульного квеста Unusual Findings рассказали о важности выбора на примере нового трейлера 60 мин.
Австралийское издательство обвинило Facebook в несоблюдении закона, обязывающего платить СМИ за новости 2 ч.
Microsoft связала более 22 тыс. кибератак с якобы российской группировкой Nobelium 2 ч.
В геймплейном трейлере сезона «Побег» представили новую карту Apex Legends 2 ч.
Discord расскажет больше о том, как ваши друзья проводят время в играх от Electronic Arts 3 ч.
Олдскульный хоррор Tormented Souls выйдет на PS4, Xbox One и Switch только в будущем году 3 ч.