Новости Hardware

Toshiba похвасталась самой плотной 3D NAND в индустрии

С 17 по 21 февраля в Сан-Франциско проходит ежегодная конференция International Solid State Circuits Conference (ISSCC 2019). Мероприятие это интересное и мы попытаемся рассказать о самых значимых событиях конференции. Начнём мы с совместного доклада компаний Toshiba Memory и Western Digital. Эти производственные партнёры сообщили подробности о подготовленной к массовому производству 96-слойной 1,33-Тбит памяти 3D NAND QLC (запись четырёх бит в ячейку), а также о разработке 128-слойной памяти 3D NAND TLC (запись трёх бит в ячейку).

Основные характеристки 1,33-Тбит 3D NAND QLC Toshiba (Toshiba Memory)

Основные характеристики 1,33-Тбит 3D NAND QLC Toshiba (Toshiba Memory)

Рекордсменом по плотности стала память с записью четырёх бит в ячейку. Плотность записи 96-слойного чипа 3D NAND QLC ёмкостью 1,33 Тбит составила 8,5 Гбит/мм2. Это без малого в полтора раза больше (если точно ― на 40 %), чем в случае 512-Гбит 3D NAND TLC. Площадь чипа 3D NAND QLC равняется 158,4 мм2. Но рекорд в плотности ― это ещё не всё. В схемотехнику памяти были внесены изменения, которые позволили снизить потребление. В частности, была реализована схема питания со смещением, что снизило порог рабочего напряжения и дало возможность уменьшить напряжение питания. Также разработчики сократили время программирования ячеек памяти на 18 %, что ускорило работу со страницами и немного снизило латентность при работе с памятью.

Новая (дробная) организация массивов ячеек обещает вдвое повысить скорость работы 3D NAND (Toshiba Memory)

Новая (дробная) организация массивов ячеек обещает вдвое повысить скорость работы 3D NAND (Toshiba Memory)

Другой доклад Toshiba Memory и Western Digital раскрыл детали о 128-слойной 3D NAND TLC. Пожалуй, это первое публичное упоминание о продвижении в разработке 128-слойной 3D NAND TLC. Ёмкость 128-слойного чипа равна 512 Гбит, что при площади кристалла 66 мм2 соответствует плотности записи 7,8 Гбит/мм2. Массив ячеек на кристалле 128-слойной памяти разбит на четыре части (плана). Такая организация обеспечит серьёзный рост в скорости записи. Например, двухплановая организация обеспечивает скорость записи на уровне 66 Мбайт/с, а четырёхплановая ― 132 Мбайт/с.

Пример оргназиции кристалла флеш-памяти: кристалл, два региона ячеек (плана), каждый план состоит из блоков (из 18 в примере), блоки состоят из страниц

Пример организации кристалла флеш-памяти: кристалл, два размежёванных массива ячеек (плана), каждый план состоит из блоков (из 18, как в примере), блоки состоят из страниц (в примере из 10)

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме
Прежде чем оставить комментарий, пожалуйста, ознакомьтесь с правилами комментирования. Оставляя комментарий, вы подтверждаете ваше согласие с данными правилами и осознаете возможную ответственность за их нарушение.
Все комментарии премодерируются.
Комментарии загружаются...
window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥