Похоже, в будущей флагманской серии Samsung Galaxy S10 наиболее совершенной моделью по-прежнему останется самая габаритная, которая будет отличаться от остальных не только размерами, но и самой продвинутой тройной системой тыльных камер. Сегодня люди редко покупают фотоаппараты, зато с большим вниманием относятся к качеству встроенной в смартфон камеры, которая всегда под рукой. Отвечая на нужды рынка, производители встраивают всё более изощрённые и совершенные системы.

Согласно информации журналиста Макса Вайнбаха (Max Weinbach) из XDATV, в Galaxy S10 Plus будет сделан следующий логический шаг по развитию тыльных камер в ведущих смартфонах корейской компании. По его словам, в стандартной модели Galaxy S10 будет обычный и сверхширокоугольный объективы, а в Galaxy S10 Plus к ним присоединится телеобъектив.

Предполагаемые характеристики:

• сверхширокоугольная камера: 16 Мп, f/1,9, угол около 123°, без автофокуса и без системы оптической стабилизации (OIS);
• обычная камера: 12 Мп, переключаемая диафрагма f/1,5 или f/2,4, угол 78°, автофокус и OIS;
• телеобъектив (только в S10+): 13 Мп, f/2,4, 45°, автофокус и OIS.

Объективы будут расположены горизонтально, как на приведённом изображении, вспышка разместится справа, а за ней — датчик сердечного ритма. Иметь сверхширокоугольную камеру полезно, когда хочется сделать панорамное фото или в ограниченном пространстве запечатлеть максимум информации. Однако даже «обычная камера» с углом в 78° малопригодна для хороших портретных фото из-за искажения пропорций лиц (особенно по краям кадра), так что наличие телеобъектива можно только приветствовать. Тем более, что он в целом делает смартфон более гибким инструментом для фотографирования и видеосъёмки.

Сверхширокоугольная камера также наверняка будет применяться автоматикой для анализа глубины сцены и создания более качественных эффектов вроде замены фона, искусственного сильного боке и тому подобного. Макс Вайнбах отметил, что камера будет поддерживать режимы съёмки ярких ночных фото, а также студийного портретного освещения.

Несмотря на шпионские скандалы, торговую войну между США и Китаем, а также аресты сотрудников китайских компаний разорвать тесные производственные связи между американскими и китайскими компаниями совершенно невозможно. В очередной раз нас в этом убеждает свежая новость о разделении заказов на упаковку 7-нм CPU и GPU компании AMD между тайваньскими упаковщиками и китайским упаковщиком. Как докладывает сайт DigiTimes со ссылкой на осведомлённые источники, 7-нм продукцию AMD будут упаковывать, тестировать и маркировать три компании: тайваньские TSMC и SPIL и китайская TFME.

2.5D упаковка TSMC: InFO и CoWoS

Начнём с китайцев. В своё время компания Fujitsu продала акции китайского подразделения компании Nantong Fujitsu Microelectronics в собственность китайских акционеров, после чего была переименована в TFME (TongFu Microelectronics). В конце апреля 2016 года TFME выкупила 85 % акций региональных подразделений компании AMD по упаковке и тестированию чипов: AMD Suzhou и AMD Penang. Формально это СП TF AMD, но доля AMD в 15 % не делает её определяющей в судьбе компании.

Процессор AMD EPYC Rome (упаковка, похожая на Flip-Chip)

Два других упаковщика — TSMC и SPIL — это тайваньские компании, которые лояльны американскому бизнесу. Три года назад акции компании SPIL (Siliconware Precision Industries) пыталась купить компания Tsinghua Unigroup — основатель производства национальной 3D NAND в Китае, но этому препятствовал другой тайваньский упаковщик — компания ASE Technology Holding. Сейчас SPIL входит в холдинг ASE и является подчинённой ему структурой.

Процессор AMD Zen 2 (упаковка, похожая на Flip-Chip)

Компания TSMC, как говорится, в рекламе не нуждается. С 2014 года TSMC совершила гигантский скачок на рынок упаковки и тестирования чипов и сегодня считается крупнейшим упаковщиком 2.5D и 3D-компоновок. Первые в индустрии 2.5D графические процессоры AMD Fiji, например, упаковывали компании Amkor Technology и Advanced Semiconductor Engineering (ASE), а мост-подложку (интерпозер) выпускала компания UMC. В TSMC своевременно поняли перспективность направления и освоили для 2.5D-компоновки технологию упаковки CoWoS (chip-on-wafer-on-substrate). Теперь TSMC не только будет выпускать 7-нм кристаллы CPU и GPU компании AMD, она готова завершать цикл выпуска изделий тестированием, упаковкой и маркировкой. Ни копейки конкурентам.

Графический процессор AMD Radeon VII (упаковка, похожая на CoWoS)

Правда, источник выдаёт следующую информацию, в которой мы усомнимся. Якобы TSMC будет упаковывать с помощью CoWoS 7-нм серверные продукты AMD, а SPIL и TFME будут тестировать и паковать массовые 7-нм процессоры и GPU AMD в упаковке Flip-Chip (перевернутый кристалл). На деле процессоры EPYC и Zen 2 упакованы методом Flip-Chip, а GPU с памятью HBM требуют интерпозер и упаковку CoWoS. Так что к предоставленной информации надо относиться с осторожностью.

Китайская компания Vivo анонсировала смартфон Z3i Standard Edition среднего уровня, который будет предлагаться по ориентировочной цене 300 долларов США.

Аппарат оборудован экраном Halo FullView LCD размером 6,3 дюйма по диагонали. Применена панель с соотношением сторон 19:9 и разрешением Full HD+ (2280 × 1080 точек). В небольшом вырезе в верхней части дисплея располагается 24-мегапиксельная селфи-камера с максимальной диафрагмой f/2,0.

Сзади установлена двойная камера с модулями на 16 млн пикселей (f/2,0) и 2 млн пикселей (f/2,4). Кроме того, в тыльной части корпуса располагается сканер отпечатков пальцев.

В смартфоне трудится процессор MediaTek Helio P60, который объединяет четыре ядра ARM Cortex-A73 и четыре ядра ARM Cortex-A53. Максимальная тактовая частота — 2,0 ГГц. Обработкой графики занят ускоритель ARM Mali-G72 MP3.

Аппарат располагает 6 Гбайт оперативной памяти, флеш-накопителем вместимостью 128 Гбайт, слотом microSD, 3,5-миллиметровым гнездом для наушников, портом Micro-USB. Питание обеспечивает аккумуляторная батарея ёмкостью 3315 мА·ч. Габариты составляют 156 × 76 × 8 мм, вес — 163,7 грамма.

На смартфон установлена операционная система Funtouch OS 4.5 на основе Android 8.1 Oreo. 

Компания Samsung Electronics на выставке CES 2019 представила семейство роботов Samsung Bots, призванных решать различные задачи в области здравоохранения, экологии и повседневной жизни людей.

Смарт-помощники объединяют в себе платформу искусственного интеллекта Bixby, новейшие достижения в области оборудования, программного обеспечения и пользовательского интерфейса.

Один из продемонстрированных роботов получил название Samsung Bot Retail. Его задача заключается в том, чтобы повысить удобство приобретения товаров в магазине. По сути, Samsung Bot Retail — это персональный гид по торговым залам. Робот поможет найти нужные товары, опираясь на выражение лица человека и распознавая его голос. Бот хорошо знает, где и что расположено, он способен с лёгкостью перемещаться по магазину даже при большом количестве посетителей. Робот оснащён информационным дисплеем и специальными полками для доставки товаров или, скажем, заказанных блюд.

Ещё одна новинка — Samsung Bot Care: этот робот заботится о здоровье пользователей. Он способен измерять артериальное давление, частоту сердечных сокращений, частоту дыхания и многое другое, а также может предупреждать о необходимости приёма лекарств. Кроме того, Samsung Bot Care может отслеживать и анализировать фазы сна.

Samsung Bot Air, в свою очередь, поможет улучшить качество воздуха в помещениях. Робот использует интегрированный сенсор и датчики, расположенные в различных зонах дома. Как только он видит, что где-то качество воздуха снижено, то автоматически перемещается в эту зону и приступает к очистке помещения.

Наконец, показан робот Samsung GEMS (Gait Enhancing & Motivating System) для укрепления мышц и коррекции осанки пользователя. По сути, это экзоскелет, призванный помочь пользователям, испытывающим затруднения при ходьбе, беге или при долгом нахождении на ногах. Предусмотрены версии для тренировки бёдер, коленей и голеностопа. 

Холдинг «Росэлектроника», входящий в госкорпорацию Ростех, сообщил о разработке первых в нашей стране изоляционных материалов для современных электронных устройств.

В настоящее время российские производители электронных устройств вынуждены закупать изоляционные материалы у иностранных поставщиков. Причина — отсутствие отечественных аналогов. Впрочем, новая разработка «Росэлектроники» позволит решить проблему импортозамещения в данной сфере.

Российские исследователи создали передовые термостойкие материалы с низкой диэлектрической проницаемостью на основе производных бензоциклобутена. Эти материалы, как ожидается, смогут найти широчайшее применение. Они будут использоваться для покрытий высокочастотных печатных плат для телекоммуникаций, создания изоляционных структур в кремниевых, арсенид-галлиевых и керамических устройствах, изоляции лазерных структур в квантовых каскадных лазерах, а также при производстве изоляционных слоёв в многофункциональных высокоплотных электронных модулях, созданных по технологии 3D-микросистем.

Утверждается, что российская разработка обладает рядом преимуществ перед зарубежной продукцией. В частности, диэлектрические характеристики новых отечественных материалов на 10–15 % превосходят показатели импортных аналогов. При этом стоимость российской продукции окажется в 3–4 раза ниже.

В скором времени планируется организовать серийное производство новых изоляционных материалов. 

В рамках выставки CES 2019 бельгийский исследовательский центр Imec и нидерландский центр прикладных научных разработок TNO представили недорогой одноразовый медицинский пластырь со встроенной системой мониторинга жизненных показателей человека. Разработка обещает оказаться на порядок дешевле, чем современные решения аналогичного назначения. В то же время повышен уровень комфорта ношения пластыря и длительность его активного использования (автономной работы).

По словам разработчиков, существующие аналоги следят за жизненными показаниями пациентов не больше 4 дней. Новый пластырь со встроенной SoC Imec MUSEIC V3 работает от установленной в него батареи не меньше семи дней. Батарея, кстати, выполнена из материалов, не содержащих вредные для экологии соединения, и может быть утилизирована без специальных предосторожностей. Собственно, пластырь со всей его электроникой — это изделие разового применения и выбрасывается после использования.

Применение «электронных» медицинских пластырей облегчает пациентам жизнь в процессе выздоровления без необходимости посещать врача. Пациент может быть выписан раньше положенного срока и завершать лечение дома с удалённым слежением со стороны лечащего врача за жизненными показателями. В новом пластыре кроме слежения за активностью сокращения сердечной мышцы есть акселерометр, который позволяем судить о физической активности пациента. В наличии схема замера сопротивления кожного покрова, потливости, температурных показателей и главное новшество — датчик определения степени насыщения крови кислородом (SpO2). Своевременные показания датчика SpO2 могут предотвратить остановку дыхания и остановку сердца, что делает разработку особенно ценной.

Пластырь изготовлен из толерантных к кожному покрову биосовместимых материалов. Базовая подложка — тонкая, гибкая и эластичная — выполнена из термопластичного полиуретана. Большинство электронных компонентов пластыря изготовлены методом печатной электроники. Контакты для снятия показаний жизнедеятельности сухие. Липкий слой содержит состав на основе силикона. О начале коммерческого производства разработки не сообщается. С образцами можно было ознакомиться на стенде Imec на CES 2019.

В конце декабря ряд аналитиков уже высказались на тему сокращения инвестиций в производство твердотельной памяти NAND. Потребители NAND в виде производителей смартфонов теряют темп развития, что ведёт к снижению спроса и перепроизводству продукции. У производителей памяти образуются угрожающие по объёмам складские запасы нереализованного товара, что, в свою очередь, требует сокращать выпуск NAND-флеш. Не продавать же её за копейки? Кстати, ещё сто лет назад практика уничтожения товара (прежде всего — продовольствия) имела законное хождение.

Но вернёмся к NAND. Аналитики подразделения DRAMeXchange торговой площадки TrendForce опубликовали прогноз, согласно которому производители NAND-флеш будут снижать капитальные затраты на расширение производства NAND в 2019 году. Конкретно это будет выражаться в том, что в пересчёте на ёмкость объёмы поставок памяти NAND в 2019 году вырастут в меньшей степени, чем ожидалось. В 2018 году компании Samsung и SK Hynix уже сократили капитальные затраты на 10 %, но, как видим, это не остановило перепроизводство. В 2019 году этим же приёмом обещают воспользоваться компании Micron и Intel, что снизит суммарные инвестиции в расширение производства NAND в 2019 году до $22 млрд или на 2  % меньше, чем в 2018 году.

Снижение инвестиций в развитие производства NAND означает, что переход на выпуск 92/96-слойной 3D NAND будет замедлен. Практически все производители (кроме SK Hynix) уже массово выпускают 92/96-слойную 3D NAND. К концу 2019 года, тем не менее, свыше 50 % выпускаемой 3D NAND будет оставаться 64/72-слойной, тогда как объём выпуска 92/96-слойной 3D NAND обещает оказаться на уровне 32  %. Это также означает, что в 2019 году увеличение производства NAND в пересчёте на биты вырастет всего на 38 %, хотя в 2018 году рост производства в пересчёте на ёмкость превысил 45 % в год. Это значительно больше, чем можно ожидать в текущем году, что явно не радует нас как потребителей.

Компания Samsung, как считают в DRAMeXchange, увеличит производство памяти в пересчёте на биты на 35 %. Поскольку Samsung удерживает около 30 % мирового рынка NAND, её решение притормозить окажет влияние на весь рынок в целом. Снижение объёмов Samsung следует из двух факторов. Во-первых, компания уменьшает выпуск планарной NAND. Во-вторых, выпуск 92-слойной 3D NAND (Samsung выпускает именно 92-слойную память) требует больших производственных площадей, чем выпуск той же 64-слойной 3D NAND. Это связано с тем, что 92-слойная 3D NAND собирается фактически из двух пластин с 48-слойными кристаллами 3D NAND, тогда как 64-слойную 3D NAND можно выпускать в виде одного монолитного кристалла на одной пластине.

Компании SK Hynix и Toshiba/Western Digital также имеют все шансы снизить объёмы производства 3D NAND. Каждая из них запустила в 2018 году по новому заводу (M15 и, соответственно, Fab 6), но они могут притормозить переход на выпуск 96-слойной памяти. Тем самым аналитики прогнозируют, что ранее запланированный рост выпуска памяти в битах на 50 % и, соответственно, 40 % трансформируется в рост менее 50 % и 35 %.

Что касается компании Micron, то её новый завод в Сингапуре начнёт массово выпускать 3D NAND только после 2020 года. Следовательно, объёмы производства Micron останутся теми же самыми, как в четвёртом квартале 2018 года. Компания Intel продолжит расширять производство на китайском заводе в городе Далянь, но молчит об инвестициях в другие производственные площадки. Суммарный вклад Micron и Intel в рост объёмов производства 3D NAND обещает оказаться в 2019 году на уровне 40  %, хотя этот показатель в 2018 году был на уровне 45 %.

Интересно отметить, что, несмотря на снижение инвестиций, перепроизводство 3D NAND приведёт к резкому — на 20 % — снижению отпускных цен на эту память уже по итогам первого квартала 2019 года. Во втором квартале аналитики ожидают дополнительного снижения цен на 15 % и дальше на 10 % за квартал. Всего в 2019 году по сравнению с 2018 годом отпускные цены на NAND обещают снизиться в два раза.

Компания Phison, известная многим своими контроллерами для твердотельных накопителей, представила в рамках CES 2019 новый контроллер с кодовым названием PS5016-E16, который предназначен для накопителей M.2 NVMe и способен обеспечить скорость передачи данных более чем 4000 Мбайт/с.

Однако максимальная теоретическая пропускная способность четырёх линий PCI Express 3.0, через которые и подключаются современные твердотельные накопители M.2 NVMe, достигает лишь 3940 Мбайт/с. Так как же Phison удалось обойти данное ограничение? Всё просто: контроллер PS5016-E16 предназначен для твердотельных накопителей NVMe формата M.2 нового поколения, которые будут использовать интерфейс PCI Express 4.0.

Несмотря на то, что накопители M.2 NVMe получили широкое распространение относительно недавно, производители уже предлагают модели, скорость работы которых близка к максимально возможной для PCI Express 3.0, поэтому переход к PCI Express 4.0 выглядит логичным вектором дальнейшего развития. К тому же уже в этом году на потребительском рынке появятся процессоры, поддерживающие PCI Express 4.0 — AMD Ryzen 3000-й серии. Да и серверном сегменте поддержка более современного интерфейса теперь будет не только у IBM Power9, но и у AMD EPYC «Rome».

Для демонстрации возможностей нового контроллера использовался твердотельный накопитель на 2 Тбайт с памятью BiCS3 (TLC) 3D NAND от компании Toshiba. Накопитель был подключён через специальный преобразователь, который «превращает» шестнадцать линий PCI Express 3.0 в восемь линий PCI Express 4.0, к системе на базе Core i7-8700K и ASUS ROG Strix Z370-F.

Как видно, новинка способна обеспечить скорость последовательного чтения и записи почти 4072 и 4244 Мбайт/с соответственно. В будущем Phison надеется ускорить свой накопитель на 10 % за счёт оптимизации программного обеспечения, и ещё на 10 % за счёт использования более скоростной памяти BiCS4 (QLC) 3D NAND. В результате скорость последовательного чтения должна составить 4800 Мбайт/с, а производительность при случайном чтении/записи достигнет 900 000 IOPS.

Компания Samsung объявила о том, что она планирует начать массовое производство полупроводниковой продукции по трёхнанометровому технологическому процессу GAAFET (Gate-All-Around Field-Effect Transistors) уже в 2021 году.

Samsung и другие производители ведут разработку технологии GAAFET с начала 2000-х годов. Данная технология должна прийти на смену актуальной FinFET (Fin Field-Effect Transistor) и позволит преодолеть имеющиеся у последней ограничения в производительности и масштабируемости.

Архитектура транзисторов GAAFET предполагает, что круглый нанопроводниковый канал, расположенный вертикально или горизонтально, будет со всех сторон окружён затвором. В свою очередь у транзисторов FinFET затвор окружает канал не полностью, а только с трёх сторон. Подход GAAFET снижает потери напряжения, увеличивая эффективность работы транзистора. А это позволяет снизить рабочее напряжение, а соответственно и энергопотребление.

Ещё в 2017 году компания Samsung заявляла о намерении начать производство продукции по 4-нм техпроцессу GAAFET уже в 2020 году. Тогда некоторые отраслевые аналитики, например, вице-президент Garner Сэмуэль Ванг (Samuel Wang), были настроены скептически и утверждали, что массовое производство с использованием GAAFET вряд ли начнётся раньше 2022 года. Однако теперь аналитики считают, что Samsung вполне может начать производство GAAFET-чипов раньше, чем ожидалось.

В конце также отметим, что Samsung сейчас лидирует в развитии 7-нм техпроцесса с литографией в глубоком ультрафиолете (EUV). Корейский производитель уже сейчас производит чипы по данной технологии, а к середине года планируется запуск массового производства. В свою очередь TSMC и Global Foundries ещё находятся на более ранних стадиях освоения EUV-литографии.